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無法有效去除被困在通孔或槽內(nèi)的顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)。但如圖20a所示，在時間τ2內(nèi)關閉超/兆聲波電源以冷卻氣泡，由于氣泡縮小，這種狀態(tài)將更替到下一個狀態(tài)。在冷卻狀態(tài)下，新鮮清洗液有機會進入到通孔或槽內(nèi)以便清洗其底部和側(cè)壁。當超/兆聲波電源在下一個打開周期打開時，顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)受到氣泡體積增量產(chǎn)生的外拉力移出通孔或槽。如果在清洗過程中這兩個狀態(tài)交替進行，可以達到使用超聲波/兆聲波有效清洗具有高深寬比的通孔，槽或凹進區(qū)域的晶圓的目的。時間段τ2內(nèi)的冷卻狀態(tài)在清洗過程中起到關鍵作用，且需要在τ1<τi的條件下限制氣泡尺寸。以下用實驗方法可以確定時間段τ2以在冷卻狀態(tài)下縮小氣泡尺寸，...

在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結(jié)...

大于或等于在該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個芯...

其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第...

該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進一步的，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相...

所述橫條的頂面上固設有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進一步的技術(shù)方案，所述從動腔的后側(cè)開設有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設有***電機，所述***電機的右側(cè)面動力連接設有蝸桿，所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進一步的技術(shù)方案，所述穩(wěn)定機構(gòu)包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側(cè)面固設有手拉塊，所述橫板內(nèi)設有開口向上的限制腔，所述從動腔的上側(cè)連通設有滑動腔，所述滑動腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動設在所述滑動腔的右壁上，所述限制塊向下滑動可插入...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設計。在另一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當中，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請所欲保...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導體晶圓當中預定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導體晶圓當中預定切割出多個芯片區(qū)域，該多個芯片區(qū)域當中的每一個都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請的一實施例，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個芯片區(qū)域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個芯片區(qū)域其中的一***芯...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導體元器件的設計當中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再從金屬層110經(jīng)由該晶圓層120流回該半導體元器件的另一部分。舉例來說，電流路徑可以是從金氧半導體場效晶體管的汲極到源極。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場效晶體管當中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的百分之三十到五十之間。請參考圖2所示，其為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)200的另一剖面示意圖。...

半導體制造領域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應。在一實施例當中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實施例當中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導體元器件的設計當中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再從金屬層110經(jīng)由該晶圓層120流回該半導體元器件的另一部分。舉例來說，電流路徑可以是從金氧半導體場效晶體管的汲極到源極。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場效晶體管當中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的百分之三十到五十之間。請參考圖2所示，其為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)200的另一剖面示意圖。...

逐步縮短時間τ2來運行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時間稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后，為了增加安全系數(shù)，時間τ2可以設置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預定閾值?？梢源_定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的*...

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，排氣口包含多個穿孔。本發(fā)明的另一實施方式提供一種半導體晶圓干燥方法。半導體晶圓干燥方法包含：將半導體晶圓設置于腔室內(nèi)；對半導體晶圓發(fā)射微波，以將半導體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓干燥方法進一步包含：旋轉(zhuǎn)半導體晶圓。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓的轉(zhuǎn)速實質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實施方式至少具有以下優(yōu)點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，...

***相機，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺，其上放置有檢測晶圓；環(huán)繞所述檢測晶圓布置的倏逝場移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓的暗場照明光源；第二相機，用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠場像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被檢晶圓半導體材料的光譜吸收特性，選擇對應的照明光源，具體包括暗場照明源，pl激發(fā)源，共聚焦照明光源以及倏逝場移頻照明光源；完成所有照明成像系統(tǒng)的集成化設計，具體包括暗場照明光路、pl激發(fā)光路、自聚焦掃描成像光路、倏逝場照明光路的設計以及所有光路系統(tǒng)的整合。同時，完成部分模塊的集成，如自聚焦模塊；另外，針對不同照明模式的缺陷檢測過程，圖像的...

本申請?zhí)峁┝司哂袕姸容^大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)，也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。附圖說明圖1為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖2為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)的另一剖面示意圖。圖3為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖4為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖5a與5b為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示...

以及波導表面缺陷微結(jié)構(gòu)204。光源輸入端數(shù)量以及方位需根據(jù)被檢測樣品的尺寸進行設置。光源載具需要能夠在二維平面內(nèi)進行縮放調(diào)控，滿足不同尺寸樣品的需求。光源載具的設計不限于圖中所示圓環(huán)形貌，也可是**控制的多組結(jié)構(gòu)。如被檢測波導為多邊形結(jié)構(gòu)，需要將輸入光源的排布形貌做出調(diào)整。如圖3所示為一種實施實例示意圖，包括環(huán)形耦合波導302，環(huán)形波導內(nèi)傳輸光場301，被檢測晶圓波導303以及晶圓波導表面缺陷304。當光場在環(huán)形耦合波導內(nèi)傳輸時，環(huán)形波導表面的倏逝場將耦合進被檢晶圓波導內(nèi)。如前所述，不同的環(huán)形耦合波導結(jié)構(gòu)需要根據(jù)被檢測樣品的尺寸進行切換。圖4a是一種暗場照明實施方案圖，包括斜照明光源載...

本申請關于半導體，特別是關于晶圓級芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的設計與制作。背景技術(shù)：現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄短小，集成電路的尺寸不*縮小，還有薄型化的趨勢。相較于傳統(tǒng)芯片，薄型化的芯片能夠承受的物理應力與熱應力較小。在進行熱處理與其他加工工藝時，特別是當芯片焊貼到印刷電路板時，物理應力與熱應力容易造成基板的裂紋與/或翹曲，進而導致半導體元器件失效。除此之外，當芯片薄型化之后，由于導電的線路可能變小變窄，使得電阻增加。不利于降低消耗功率，也導致溫度上升的速度較快。當散熱效率無法應付溫度上升的速度時，可能需要額外的散熱組件，就喪失薄型化芯片的優(yōu)點。據(jù)此，需要一種具有較強強度的基板結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進...

圖11a所示的實施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號。但本領域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀。舉例來說，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結(jié)構(gòu)。在圖11a所示的實施例當中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內(nèi)部，還有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。該內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b的內(nèi)部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結(jié)構(gòu)8...

所述送料腔內(nèi)設有可在切割狀態(tài)時限制所述滑塊左右晃動，并在所述滑塊移動狀態(tài)時打開的穩(wěn)定機構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設有切割腔，所述切割腔內(nèi)設有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設有可帶動所述切割片升降的升降塊，所述升降腔的下側(cè)開設有動力腔，所述動力腔內(nèi)設有可控制所述升降塊間歇性往返升降，來達到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機構(gòu)，所述切割腔靠上側(cè)位置設有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片的海綿，所述切割腔的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設有冷卻水腔，是冷卻水腔的上側(cè)連通設有傳動腔，所述傳動腔內(nèi)設有可控制所述海綿在所述切割片上升時抵接所述切割片，達到冷卻效果的傳動機構(gòu)，所述傳...

在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結(jié)...

逐步縮短時間τ2來運行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時間稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后，為了增加安全系數(shù)，時間τ2可以設置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預定閾值。可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的*...

之后為f3，**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設置為f4,之后為f3，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設置為f1，之后為f4，**后為f3，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設置為f3,之后為f4，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設置為f3,之后為f1，**后為f4...

半導體制造領域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應。在一實施例當中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實施例當中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

上述步驟7210至7240可以重復操作以此來縮小內(nèi)爆時間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結(jié)了其他試驗參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個試驗中，當τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達1216個點。當τ1＝(或周期數(shù)為100)時...

該晶圓層320的該***表面321與第二表面322的**小距離可以是**大距離的一半。換言之，該晶圓層320的電阻值約略是該晶圓層120的一半。在另外的實施例當中，該***表面321與第二表面322的**小距離與**大距離的比值，可以是其他小于100%的比例。如此，在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層320，但是降低在芯片中間有半導體元器件之處的晶圓厚度。此外，可以在降低該晶圓層320中間的電阻值的同時，可以維持芯片結(jié)構(gòu)強度，降低工藝過程中的器件失效。在一實施例當中，該芯片邊緣較厚的晶圓層320，其左右的寬度可以介于50~200um之間。本領域普通技術(shù)人員可以理解到，可以根據(jù)該芯片所實作的半...

所述橫條的頂面上固設有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進一步的技術(shù)方案，所述從動腔的后側(cè)開設有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設有***電機，所述***電機的右側(cè)面動力連接設有蝸桿，所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進一步的技術(shù)方案，所述穩(wěn)定機構(gòu)包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側(cè)面固設有手拉塊，所述橫板內(nèi)設有開口向上的限制腔，所述從動腔的上側(cè)連通設有滑動腔，所述滑動腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動設在所述滑動腔的右壁上，所述限制塊向下滑動可插入...

半導體制造領域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應。在一實施例當中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實施例當中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，排氣口包含多個穿孔。本發(fā)明的另一實施方式提供一種半導體晶圓干燥方法。半導體晶圓干燥方法包含：將半導體晶圓設置于腔室內(nèi)；對半導體晶圓發(fā)射微波，以將半導體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓干燥方法進一步包含：旋轉(zhuǎn)半導體晶圓。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓的轉(zhuǎn)速實質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實施方式至少具有以下優(yōu)點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，...

其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面...

使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該**...