逐步縮短時間τ2來運行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時間稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后，為了增加安全系數(shù)，時間τ2可以設(shè)置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導(dǎo)致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導(dǎo)致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預(yù)定閾值?？梢源_定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預(yù)定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預(yù)定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的**終產(chǎn)量沒有受到清洗過程造成的任何損害的實質(zhì)性影響，則損傷百分比實質(zhì)上為零。換句話說，從整個制造過程來看，清洗過程造成的任何損傷都是可以容許的。如前所述，損傷百分比可以通過使用電子顯微鏡檢查樣品晶圓來確定。圖8a至圖8d揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的功率水平p的振幅隨著時間變化，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣，在該實施例中。洛陽怎么樣半導(dǎo)體晶圓?北京半導(dǎo)體晶圓歡迎咨詢

    檢測電路檢測超聲波或兆聲波電源輸出的每個波形的振幅，將檢測到的每個波形的振幅與預(yù)設(shè)值相比較，如果檢測到任一波形的振幅比預(yù)設(shè)值大，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源，其中預(yù)設(shè)值大于正常工作時的波形振幅。在一個實施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明還提供了一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括晶圓盒、清洗槽、超聲波或兆聲波裝置、至少一個入口、超聲波或兆聲波電源、主機和檢測電路。晶圓盒裝有至少一片半導(dǎo)體基板。清洗槽容納晶圓盒。超聲波或兆聲波裝置設(shè)置在清洗槽的外壁。至少一個入口用來向清洗槽內(nèi)注滿化學(xué)液，化學(xué)液浸沒半導(dǎo)體基板。主機設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1、功率p1。檢測電路分別檢測頻率為f1，功率為p1時的通電時間和斷電時間，比較在頻率為f1。北京半導(dǎo)體晶圓歡迎咨詢半導(dǎo)體晶圓推薦廠家..

    以防止氣泡長大到一個臨界尺寸，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產(chǎn)生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時間段τ1內(nèi)設(shè)置功率水平為p1及在時間段τ2內(nèi)關(guān)閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對應(yīng)每個氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖。圖20c揭示了在每個氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r的曲線圖。根據(jù)r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr這里，氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn，單個氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數(shù)n后，在時間τ1內(nèi)增大。rn被控制在飽和點rs之下。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0，單個氣泡的平均體積在冷卻過程中，在時間τ2內(nèi)回到初始大小。參考圖20b所示，在時間段τ1內(nèi)，在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下，氣泡增大到大體積vn。在這種狀態(tài)下，清洗液的傳輸路徑部分受阻。新鮮的清洗液無法徹底進入到通孔或槽的底部和側(cè)壁。與此同時。

    本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓，以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法。根據(jù)本申請的方案，提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶圓、以及晶圓制作方法。根據(jù)本申請的一方案，提供一種承載半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：一晶圓層，具有相對應(yīng)的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中，使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍；以及一金屬層，具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面。進一步的，為了彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。國外哪個國家的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品好？

    并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實際應(yīng)用中，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來，微波w可均勻地進入腔室c內(nèi)，并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200，從而促進半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。舉例而言，如圖1所示，至少兩個微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè)，使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設(shè)置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設(shè)備(圖未示)上。一般而言，單晶圓濕處理設(shè)備具有旋轉(zhuǎn)基座，其用以承載單一片半導(dǎo)體晶圓，以于單晶圓濕處理設(shè)備內(nèi)對半導(dǎo)體晶圓進行各種處理。經(jīng)單晶圓濕處理設(shè)備處理后，半導(dǎo)體晶圓可被留在旋轉(zhuǎn)基座上，并且可將本發(fā)明的殼體120以及設(shè)置于其上的微波產(chǎn)生器130設(shè)置于單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座上，從而能執(zhí)行前文所述的半導(dǎo)體晶圓干燥過程。請參照圖2，其為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。在本實施方式中，如圖2所示，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100進一步包含旋轉(zhuǎn)器140。旋轉(zhuǎn)器140連接基座110，并且被配置成旋轉(zhuǎn)基座110。于半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100對半導(dǎo)體晶圓200執(zhí)行干燥處理的期間。半導(dǎo)體封裝晶圓切割膠帶品牌有哪些？威海半導(dǎo)體晶圓推薦廠家

中硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓現(xiàn)貨供應(yīng)。北京半導(dǎo)體晶圓歡迎咨詢

    基座110受到旋轉(zhuǎn)器140轉(zhuǎn)動。舉例而言，在實務(wù)上，基座110的轉(zhuǎn)速實質(zhì)上為10rpm，**半導(dǎo)體晶圓200亦以實質(zhì)上為10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。如此一來，半導(dǎo)體晶圓200可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w，借此可進一步促進半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。在實際應(yīng)用中，旋轉(zhuǎn)器140與基座110的組合亦可視為前文所述的單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座。請參照圖3，其為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。在本實施方式中，如圖3所示，殼體120的排氣口121包含多個穿孔h2。如此一來，原本位于半導(dǎo)體晶圓200表面的水轉(zhuǎn)換而成的水蒸氣s可經(jīng)由穿孔h2排出?？梢罁?jù)實際情況彈性地設(shè)計殼體120。綜合以上，相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實施方式至少具有以下優(yōu)點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，微波可均勻地進入腔室內(nèi)，并均勻地到達位于腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓，從而促進干燥過程。(3)由于半導(dǎo)體晶圓以約10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體晶圓可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器的微波，借此可促進干燥過程。盡管已以特定實施方式詳細地描述本發(fā)明。北京半導(dǎo)體晶圓歡迎咨詢

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