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逐步縮短時(shí)間τ2來(lái)運(yùn)行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時(shí)間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會(huì)引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會(huì)觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時(shí)間稱為臨界冷卻時(shí)間τc。知道臨界冷卻時(shí)間τc后，為了...

所述傳動(dòng)腔的上側(cè)開(kāi)設(shè)有皮帶腔，所述皮帶腔的底壁上轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有豎軸，所述第二螺桿向上延伸部分伸入所述皮帶腔內(nèi)，所述第二螺桿與所述豎軸之間傳動(dòng)連接設(shè)有皮帶傳動(dòng)裝置，所述豎軸向下延伸部分伸入所述動(dòng)力腔內(nèi)，且其底面固設(shè)有***齒輪，位于所述動(dòng)力腔內(nèi)的所述***螺桿...

x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長(zhǎng)度，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。方程式(2)不考慮壓縮過(guò)程中溫度增長(zhǎng)的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實(shí)際壓強(qiáng)會(huì)更高，實(shí)際上由聲壓做的機(jī)械功要大于方程式(...

一個(gè)晶圓1300可以在半導(dǎo)體的制程與封裝之后，再進(jìn)行芯片的切割，這種制作過(guò)程通常被稱為晶圓級(jí)芯片封裝(wlcsp,waferlevelchipscalepackage)。如圖13所示，該晶圓1300可以預(yù)先設(shè)計(jì)成要在虛線處進(jìn)行切割，以便在封裝之后形成多...

用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進(jìn)口為主，中國(guó)生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來(lái)隨著多條中國(guó)新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年將為中國(guó)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)新契機(jī)。未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)將從兩方面同步進(jìn)行：集中優(yōu)勢(shì)資源，針對(duì)各類別半導(dǎo)體材料，以一...

其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面700的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面700可以是圖5a所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。該樹(shù)酯層540與該金屬層510外緣之間，是該金屬層510用于包圍該樹(shù)酯層540的四個(gè)金屬邊框。該四個(gè)金屬邊框的厚度可以相同，也可以...

所述有機(jī)胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機(jī)羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲...

在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中，示出四個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中，如圖8a所示，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的。在...

所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時(shí)限制所述滑塊左右晃動(dòng)，并在所述滑塊移動(dòng)狀態(tài)時(shí)打開(kāi)的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動(dòng)所述切割片升降的升降塊，所述升降腔...

該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請(qǐng)所欲保護(hù)的其他基板結(jié)構(gòu)，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖1...

在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達(dá)到時(shí)間段τ2后(在時(shí)間段τ2內(nèi)，設(shè)置電源輸出為零)，電源輸出恢復(fù)至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟15210-15260?；蛘?，可能不需要在...

所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56，通過(guò)所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動(dòng)，可使所述螺套58間歇性升降移動(dòng)，進(jìn)而可使所述第五連桿56帶動(dòng)所述第四連桿54間歇性往返左右移動(dòng)，從而可使所述移動(dòng)...

周期測(cè)量模塊30104用于通過(guò)使用以下公式的計(jì)數(shù)器測(cè)量高電平和低電平信號(hào)的持續(xù)時(shí)間：τ1＝counter_h*20ns,τ2＝counter_l*20ns其中，counter_h為高電平的數(shù)量，counter_l為低電平的數(shù)量。主控制器26094比較計(jì)...

所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時(shí)限制所述滑塊左右晃動(dòng)，并在所述滑塊移動(dòng)狀態(tài)時(shí)打開(kāi)的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動(dòng)所述切割片升降的升降塊，所述升降腔...

所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述從動(dòng)腔的后側(cè)開(kāi)設(shè)有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機(jī)，所述***電機(jī)的右...

并且與基座110形成腔室c。在實(shí)際應(yīng)用中，殼體120接觸基座110。依據(jù)實(shí)際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發(fā)明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導(dǎo)體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠(yuǎn)離基座110設(shè)...

在步驟33050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測(cè)到的斷電時(shí)間與預(yù)設(shè)時(shí)間τ2進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的斷電時(shí)間短于預(yù)設(shè)時(shí)間τ2，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。在步驟33070中...

氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計(jì)算出內(nèi)爆時(shí)間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計(jì)算出或直...

x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長(zhǎng)度，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。方程式(2)不考慮壓縮過(guò)程中溫度增長(zhǎng)的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實(shí)際壓強(qiáng)會(huì)更高，實(shí)際上由聲壓做的機(jī)械功要大于方程式(...

其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關(guān)于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實(shí)施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實(shí)施例中，這三個(gè)芯片13...

該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，...

圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開(kāi)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式。為明確說(shuō)明起見(jiàn)，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測(cè)系統(tǒng)。背景技術(shù)：半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)系統(tǒng)是半導(dǎo)體器件制作前用于識(shí)別襯底或外延層缺陷數(shù)量、沾污面積、表面顆粒物數(shù)量，從而進(jìn)行襯底或外延層的篩選，器件制造良率的計(jì)算，是半導(dǎo)體器件制作的...

圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲...

并且不同規(guī)格的花籃無(wú)法同時(shí)進(jìn)行作業(yè)，**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)清洗。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問(wèn)題...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設(shè)有手握球46，所述限制塊39頂面與所述滑動(dòng)腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當(dāng)所述橫條33帶動(dòng)所述第二齒牙34向上移動(dòng)時(shí)，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39，并使所述限制塊39向上移動(dòng)，進(jìn)而可使所述限制...

圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖27所示的振幅檢測(cè)電路27092的示例。該振幅檢測(cè)電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為...

金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長(zhǎng)度611與左右軸長(zhǎng)度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同...

通過(guò)通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機(jī)25080。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同，則檢測(cè)電路25086將發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080。主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來(lái)阻止對(duì)晶圓1010上的...

位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個(gè)前后對(duì)稱的卡扣61，所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66，通過(guò)所述卡扣61，可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48，通過(guò)所述玻璃窗66可便于觀測(cè)切割情況。初始狀態(tài)時(shí)，滑塊47與送料腔68右壁抵接，切割片50處于上側(cè)，兩個(gè)海綿52...