圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導體晶圓干燥設備的剖視圖。具體實施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實施方式。為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明的部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包含技術以及科學術語)對于所屬領域中的技術人員通常理解的涵義。還應理解到，諸如常用的字典中定義的術語的解讀，應使其在相關領域與本發(fā)明中具有一致的涵義，且將不以理想化或過度正式的意義解釋，除非明確如此定義。請參照圖1，其為依據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導體晶圓干燥設備100的剖視圖。半導體晶圓干燥設備100是用以干燥半導體晶圓200，半導體晶圓200為包含半導體材料的圓形薄片，其常用于集成電路的制造。在本實施方式中，如圖1所示，半導體晶圓干燥設備100包含基座110、殼體120以及微波產生器130。基座110被配置成承載半導體晶圓200。殼體120以金屬制成。什么才可以稱為半導體晶圓？開封半導體晶圓來電咨詢

    如圖28c所示。電壓衰減電路26090的衰減率的設置范圍在5-100之間，推薦20。電壓衰減可以用如下公式表達：vout＝(r2/r1)*vin假設r1＝200k,r2＝r3＝r4＝10k,vout＝(r2/r1)*vin＝vin/20其中，vout是電壓衰減電路26090輸出的振幅值，vin是電壓衰減電路26090輸入的振幅值，r1、r2、r3、r4是兩個運算放大器28102及28104的電阻。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的整形電路26092的示例。參考圖26所示，電壓衰減電路26090的輸出端連接整形電路26092。電壓衰減電路26090輸出的波形輸入到整形電路26092，整形電路26092將電壓衰減電路26090輸出的正弦波轉化為方波以便主控制器26094處理。如圖29a所示，整形電路26092包括窗口比較器29102及或門29104。當vcal-圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26及圖27所示的主控制器26094的示例。如圖30a所示，主控制器26094包括脈沖轉換模塊30102和周期測量模塊30104。脈沖轉換模塊30102用來將τ1時間的脈沖信號轉換為高電平信號，τ2時間的低電平信號保持不變，如圖30b-30c所示。圖30a示意了脈沖轉換模塊30102的電路符號，其中，clk_sys為50mhz時鐘信號，pulse_in為輸入信號，pulse_out為輸出信號。丹東質量半導體晶圓半導體晶圓研磨設備。

    但本領域普通技術人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行，也可以針對單一個芯片進行。在一實施例當中，如果要讓內框結構的晶圓層厚度小于邊框結構的晶圓層厚度，可以反復執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時，蝕刻的深度到達內框結構的厚度。接著，第二次執(zhí)行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內框區(qū)域。接著，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來，就有厚薄不一的邊框結構與方框結構。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示，屏蔽層1610已經被去除。本領域普通技術人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術，不在此詳述。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物。舉例來說，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金。

    該中心凹陷區(qū)域位于該***內框結構區(qū)域當中，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該邊框結構區(qū)域當中。在一實施例中，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該***芯片區(qū)域更包含該屏蔽層未覆蓋的一第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一第二內框結構區(qū)域，該***內框結構區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域包圍該第二內框結構區(qū)域，該第二內框結構區(qū)域包圍該中心凹陷區(qū)域。在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該晶圓制造方法更包含：在該金屬層上涂布樹酯層。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，上述的各步驟是針對該晶圓層的該多個芯片區(qū)域同時施作。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：進行該多個芯片區(qū)域的切割。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：在該涂布樹酯層的步驟之后，進行該多個芯片區(qū)域的切割。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化。安徽半導體晶圓制作流程。

    其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域，該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域，該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度不同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度均不相同。在一實施例中，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形。在一實施例中，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀，其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中該晶圓層包含與該第二表面相對應的一***表面，在進行該蝕刻步驟之后，在該邊框結構區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。天津12英寸半導體晶圓代工。棗莊標準半導體晶圓

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    圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結構。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內的循環(huán)。圖19a至圖19d揭示了對應于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝。圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的清洗工藝。圖22a至圖22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。開封半導體晶圓來電咨詢

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