在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中，示出四個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中，如圖8a所示，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的。在另一實(shí)施例當(dāng)中，內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的。舉例來(lái)說(shuō)，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來(lái)得小。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來(lái)得小，因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng)。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值，另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖9所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)900的一剖面示意圖。圖9所示的結(jié)構(gòu)900是在圖8所示的結(jié)構(gòu)800之下加入樹(shù)酯層440。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400一樣，該樹(shù)酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)900的金屬層810，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進(jìn)而保護(hù)器件。在圖8a與圖9的實(shí)施例當(dāng)中，在芯片中間的金屬層810比較厚。由于金屬層810的金屬價(jià)格比樹(shù)酯層440的樹(shù)酯還要貴，制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹(shù)酯層440的步驟更貴。如果在設(shè)計(jì)規(guī)格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層810，以便減少成本。半導(dǎo)體晶圓服務(wù)電話(huà)？重慶半導(dǎo)體晶圓制造工序

    結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請(qǐng)參考圖5b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實(shí)施例是圖5a所示實(shí)施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比，圖5b所示實(shí)施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實(shí)施例的其余特征均與圖5a所示實(shí)施例相同。請(qǐng)參考圖6所示，為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面600的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面600可以是圖3所示結(jié)構(gòu)300的aa線(xiàn)剖面，也可以是圖4所示結(jié)構(gòu)400的aa線(xiàn)剖面，還可以是圖5b所示結(jié)構(gòu)500的bb線(xiàn)剖面。為了方便說(shuō)明起見(jiàn)，圖6所示的實(shí)施例是圖3所示的結(jié)構(gòu)300，因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號(hào)。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面600可以適用于結(jié)構(gòu)400或500。丹東半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢(xún)開(kāi)封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時(shí)限制所述滑塊左右晃動(dòng)，并在所述滑塊移動(dòng)狀態(tài)時(shí)打開(kāi)的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動(dòng)所述切割片升降的升降塊，所述升降腔的下側(cè)開(kāi)設(shè)有動(dòng)力腔，所述動(dòng)力腔內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊間歇性往返升降，來(lái)達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動(dòng)力機(jī)構(gòu)，所述切割腔靠上側(cè)位置設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)，且能用來(lái)冷卻所述切割片的海綿，所述切割腔的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔，是冷卻水腔的上側(cè)連通設(shè)有傳動(dòng)腔，所述傳動(dòng)腔內(nèi)設(shè)有可控制所述海綿在所述切割片上升時(shí)抵接所述切割片，達(dá)到冷卻效果的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)聯(lián)動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述步進(jìn)機(jī)構(gòu)包括固設(shè)在所述滑塊底面上的步進(jìn)塊，所述步進(jìn)塊位于所述從動(dòng)腔內(nèi)，所述步進(jìn)塊的底面固設(shè)有***齒牙，所述從動(dòng)腔的后壁上轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)的旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸的外周上固設(shè)有***連桿，所述從動(dòng)腔的后壁上鉸接設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱(chēng)的第二連桿，所述第二連桿與所述***連桿之間鉸接設(shè)有三叉連桿，所述三叉連桿另一側(cè)鉸接設(shè)有旋轉(zhuǎn)軸，兩個(gè)所述旋轉(zhuǎn)軸的頂面上固設(shè)有一個(gè)橫條。

    檢測(cè)電路檢測(cè)超聲波或兆聲波電源輸出的每個(gè)波形的振幅，將檢測(cè)到的每個(gè)波形的振幅與預(yù)設(shè)值相比較，如果檢測(cè)到任一波形的振幅比預(yù)設(shè)值大，檢測(cè)電路發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)，主機(jī)接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源，其中預(yù)設(shè)值大于正常工作時(shí)的波形振幅。在一個(gè)實(shí)施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過(guò)噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明還提供了一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括晶圓盒、清洗槽、超聲波或兆聲波裝置、至少一個(gè)入口、超聲波或兆聲波電源、主機(jī)和檢測(cè)電路。晶圓盒裝有至少一片半導(dǎo)體基板。清洗槽容納晶圓盒。超聲波或兆聲波裝置設(shè)置在清洗槽的外壁。至少一個(gè)入口用來(lái)向清洗槽內(nèi)注滿(mǎn)化學(xué)液，化學(xué)液浸沒(méi)半導(dǎo)體基板。主機(jī)設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1、功率p1。檢測(cè)電路分別檢測(cè)頻率為f1，功率為p1時(shí)的通電時(shí)間和斷電時(shí)間，比較在頻率為f1。天津12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。

    圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過(guò)程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強(qiáng)新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內(nèi)的循環(huán)。圖19a至圖19d揭示了對(duì)應(yīng)于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝。圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的清洗工藝。圖22a至圖22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,硅晶圓片工藝技術(shù)!丹東半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)家供應(yīng)

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    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置。背景技術(shù)：目前，隨著科技水平的提高，半導(dǎo)體元件被使用的越來(lái)越***，半導(dǎo)體在制作過(guò)程中，其中一項(xiàng)工序?yàn)榘压桢V通過(guò)切割的方式制作成硅晶圓，一般的硅晶圓切割裝置，是通過(guò)電機(jī)螺桿傳動(dòng)送料的，這種送料方式會(huì)使硅錠的移動(dòng)不夠準(zhǔn)確，導(dǎo)致每個(gè)晶圓的厚度不均勻，并且螺桿長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作容易發(fā)***熱扭曲變形，**終導(dǎo)致切割位置偏移，另外，切割片在連續(xù)切割時(shí)，容易發(fā)熱，導(dǎo)致晶圓受熱變形，但由于晶圓很薄，無(wú)法用直接噴冷卻水的方式冷卻，會(huì)導(dǎo)致晶圓在切割過(guò)程中被沖擊變形。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置，用于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置，包括機(jī)體，所述機(jī)體內(nèi)設(shè)有向上和向右開(kāi)口的送料腔，所述送料腔的前后壁間左右滑動(dòng)設(shè)有滑塊，所述滑塊的頂面上設(shè)有可用于夾持硅錠的夾塊，所述送料腔的下側(cè)連通設(shè)有從動(dòng)腔，所述從動(dòng)腔內(nèi)設(shè)有可控制所述滑塊帶動(dòng)所述硅錠向左步進(jìn)移動(dòng)的步進(jìn)機(jī)構(gòu)，所述滑塊的右側(cè)面固設(shè)有橫板，所述橫板內(nèi)設(shè)有開(kāi)口向上的限制腔。重慶半導(dǎo)體晶圓制造工序

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