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廣東半導(dǎo)體晶圓制造工序

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-26

    所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙,所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案,所述從動(dòng)腔的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔,所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi),且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪,所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機(jī),所述***電機(jī)的右側(cè)面動(dòng)力連接設(shè)有蝸桿,所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案,所述穩(wěn)定機(jī)構(gòu)包括限制塊,所述橫板向右延伸部分伸出外界,且其右側(cè)面固設(shè)有手拉塊,所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔,所述從動(dòng)腔的上側(cè)連通設(shè)有滑動(dòng)腔,所述滑動(dòng)腔與所述送料腔連通,所述限制塊滑動(dòng)設(shè)在所述滑動(dòng)腔的右壁上,所述限制塊向下滑動(dòng)可插入所述限制腔內(nèi),所述限制塊向下延伸部分貫穿所述送料腔,并伸入所述從動(dòng)腔內(nèi),且其位于所述橫條上側(cè),所述第二齒牙可與所述限制塊抵接,所述限制塊的頂面固設(shè)有拉桿,所述拉桿向上延伸部分伸出外界,且其頂面固設(shè)有手握球,所述限制塊頂面與所述滑動(dòng)腔的頂壁之間固定安裝有彈簧。進(jìn)一步的技術(shù)方案,所述升降塊的內(nèi)壁里固嵌有第二電機(jī),所述第二電機(jī)的右側(cè)面動(dòng)力連接設(shè)有切割軸,所述切割片固設(shè)在所述切割軸的右側(cè)面上。半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的用途是什么?廣東半導(dǎo)體晶圓制造工序

    結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離,要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄,因此可以節(jié)省金屬本身的成本,也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請(qǐng)參考圖5b所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實(shí)施例是圖5a所示實(shí)施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比,圖5b所示實(shí)施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實(shí)施例的其余特征均與圖5a所示實(shí)施例相同。請(qǐng)參考圖6所示,為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面600的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面600可以是圖3所示結(jié)構(gòu)300的aa線剖面,也可以是圖4所示結(jié)構(gòu)400的aa線剖面,還可以是圖5b所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。為了方便說(shuō)明起見,圖6所示的實(shí)施例是圖3所示的結(jié)構(gòu)300,因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號(hào)。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,剖面600可以適用于結(jié)構(gòu)400或500。東莞半導(dǎo)體晶圓量大從優(yōu)半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域分析。

    通過(guò)通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機(jī)25080。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同,則檢測(cè)電路25086將發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080。主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來(lái)阻止對(duì)晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)的損傷。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖25所示的檢測(cè)電路25086的框圖。該檢測(cè)電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實(shí)現(xiàn)。通信電路26096作為主機(jī)25080的接口。通信電路26096與主機(jī)25080實(shí)現(xiàn)rs232/rs485串行通信來(lái)從主機(jī)25080讀取參數(shù)設(shè)置,并將比較結(jié)果返回主機(jī)25080。電源電路26098將直流15v轉(zhuǎn)換成直流、直流。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的檢測(cè)電路25086的框圖。該檢測(cè)電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、振幅檢測(cè)電路27092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電壓衰減電路的示例。當(dāng)聲波發(fā)生器25082輸出的聲波信號(hào)***被讀取時(shí),該聲波信號(hào)具有相對(duì)較高的振幅值,如圖28b所示。電壓衰減電路26090被設(shè)計(jì)成使用兩個(gè)運(yùn)算放大器28102和28104來(lái)減小波形的振幅值。

    半導(dǎo)體制造領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,本申請(qǐng)并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)400的金屬層310,并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,進(jìn)而保護(hù)器件。該樹酯層440包含彼此相對(duì)的一第五表面445與一第六表面446,該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此,該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應(yīng)。在一實(shí)施例當(dāng)中,該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實(shí)施例當(dāng)中,在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴,制作較厚金屬層310的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設(shè)計(jì)規(guī)格允許的情況下,可以制作較薄的金屬層310,以便減少成本。請(qǐng)參考圖5a所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400相比,該結(jié)構(gòu)500依序包含了半導(dǎo)體組件層130、晶圓層320、金屬層510、和樹酯層540。圖5a所示的結(jié)構(gòu)500所包含的各組件,如果符號(hào)與圖4所示的結(jié)構(gòu)400所包含的組件相同者,則可以適用圖4所示實(shí)施例的敘述。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400相比。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司。

    然后采用sems處理晶圓的截面檢測(cè)10片晶圓上通孔或槽的清洗狀態(tài),數(shù)據(jù)如表3所示。從表3可以看出,對(duì)于#6晶圓,τ1=32τ10,清洗效果達(dá)到**佳點(diǎn),因此**佳時(shí)間τ1為32τ10。表3如果沒(méi)有找到峰值,那么設(shè)置更寬的時(shí)間τ1重復(fù)步驟一至步驟四以找到時(shí)間τ1。找到**初的τ1后,設(shè)置更窄的時(shí)間范圍τ1重復(fù)步驟一至步驟四以縮小時(shí)間τ1的范圍。得知時(shí)間τ1后,時(shí)間τ2可以通過(guò)從512τ2開始減小τ2到某個(gè)值直到清洗效果下降以優(yōu)化時(shí)間τ2。詳細(xì)步驟參見表4,從表4可以看出,對(duì)于#5晶圓,τ2=256τ10,清洗效果達(dá)到**優(yōu),因此**佳時(shí)間τ2為256τ10。表4圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的清洗工藝。該清洗工藝與圖20a-20d所示的相類似,不同在于該實(shí)施例中即使氣泡達(dá)到了飽和點(diǎn)rs,電源仍然打開且持續(xù)時(shí)間為mτ1,此處,m的值可以是,推薦為2,取決于通孔和槽的結(jié)構(gòu)以及所使用的清洗液??梢酝ㄟ^(guò)類似圖20a-20d所示的方法通過(guò)實(shí)驗(yàn)優(yōu)化m的值。圖22a至22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的利用聲能清洗晶圓的一個(gè)實(shí)施例。在時(shí)間段τ1內(nèi),以聲波功率p1作用于清洗液,當(dāng)***個(gè)氣泡的溫度達(dá)到其內(nèi)爆溫度點(diǎn)ti,開始發(fā)生氣泡內(nèi)爆,然后,在溫度從ti上升至溫度tn(在時(shí)間△τ內(nèi))的過(guò)程中。中硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓現(xiàn)貨供應(yīng)。大連半導(dǎo)體晶圓商家

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    揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖1a揭示了晶圓清洗裝置的剖視圖。該裝置包括用于保持晶圓1010的晶圓卡盤1014,用于驅(qū)動(dòng)晶圓卡盤1014的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置1016,用于輸送清洗液1032至晶圓1010表面的噴頭1012。清洗液1032可以是化學(xué)試劑或去離子水。晶圓清洗裝置還包括位于晶圓1010上方的超聲波或兆聲波裝置1003,因此,隨著晶圓1010的旋轉(zhuǎn)以及從噴頭1012內(nèi)噴出的恒定流量的清洗液1032,在晶圓1010和聲波裝置1003之間保持具有厚度d的清洗液1032液膜。聲波裝置1003進(jìn)一步包括壓電式傳感器1004及與其配對(duì)的聲學(xué)共振器1008。壓電式傳感器1004通電后振動(dòng),聲學(xué)共振器1008會(huì)將高頻聲能量傳遞到清洗液1032中。由高頻聲能引起氣穴振蕩使得晶圓1010表面上的雜質(zhì)顆粒,也就是污染物等松動(dòng),以此去除晶圓1010表面上的污染物。再次參考圖1a所示,晶圓清洗裝置還包括與聲波裝置1003相連接的臂1007以在豎直方向z上移動(dòng)聲波裝置1003,從而改變液膜厚度d。豎直驅(qū)動(dòng)裝置1006驅(qū)動(dòng)臂1007的豎直移動(dòng)。豎直驅(qū)動(dòng)裝置1006和轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置1016都由控制器1088控制。參考圖1b所示,揭示了圖1a所示的晶圓清洗裝置的頂視圖。聲波裝置1003*覆蓋晶圓1010的一小部分區(qū)域。廣東半導(dǎo)體晶圓制造工序

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