大于或等于在該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。在一實施例中，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域。開封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?北京半導(dǎo)體晶圓銷售廠

    功率為p1時檢測到的通電時間和預(yù)設(shè)時間τ1進行比較，如果檢測到的通電時間比預(yù)設(shè)時間τ1長，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源；檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預(yù)設(shè)時間τ2，如果檢測到的斷電時間比預(yù)設(shè)時間τ2短，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源。在一個實施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置、至少一個噴頭、超聲波或兆聲波電源、主機和檢測電路?？ūP支撐半導(dǎo)體基板。超聲波或兆聲波裝置置于半導(dǎo)體基板附近。至少一個噴頭向半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學(xué)液體。主機設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1。合肥半導(dǎo)體晶圓口碑推薦半導(dǎo)體晶圓推薦貨源.?

    其為根據(jù)本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關(guān)于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實施例中，這三個芯片1310~1430可以是同一種設(shè)計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種?；蛘哒f整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu)。在另一實施例當(dāng)中，這三個芯片1310~1430可以是不同種設(shè)計的芯片。也就是說，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中兩種或三種。換言之，整個晶圓1400的多個芯片包含兩種以上的基板結(jié)構(gòu)。舉例來說，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)500，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)900，芯片1430可以包含基板結(jié)構(gòu)400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)300，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)800。圖14所示的芯片也可以包含圖6、7、11、12分別所示的四種剖面600、700、1100與1200。換言之，本申請并不限定同一個晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面。從圖13與14所示的晶圓1300與1400當(dāng)中可以得知，本申請并不限定同一晶圓上的芯片是否都具有同一尺寸與形狀。

    13)v3＝v2-△v＝v1+δv-△v＝v0-△v+δv-△v＝v0+δv-2△v(14)其中，△v是由超/兆聲波產(chǎn)生的正壓使氣泡壓縮一次后氣泡的體積減量，δv是由超/兆聲波產(chǎn)生的負(fù)壓使氣泡膨脹一次后氣泡的體積增量，(δv-△v)是一個周期后由方程式(5)計算出的溫度增量(△t-δt)導(dǎo)致的體積增量。氣穴振蕩的第二個周期完成后，在溫度的持續(xù)增長過程中，氣泡的尺寸達到更大。氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v4為：v4＝v3+δv＝v0+δv-2△v+δv＝v0+2(δv-△v)(15)第三次壓縮后，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v5為：v5＝v4-△v＝v0+2(δv-△v)-△v＝v0+2δv-3△v(16)同理，當(dāng)氣穴振蕩的第n個周期達到**小氣泡尺寸時，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n-1為：v2n-1＝v0+(n-1)δv-n△v＝v0+(n-1)δv-n△v(17)當(dāng)氣穴振蕩的第n個周期完成后，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n為：v2n＝v0+n(δv-△v)(18)為了將氣泡的體積限制在所需體積vi內(nèi)，該所需體積vi是具有足夠物理活動的尺寸或者是氣泡狀態(tài)低于氣穴振蕩或氣泡密度的飽和點，而不會阻塞通孔、槽或其他凹進區(qū)域內(nèi)的清洗液交換路徑。周期數(shù)ni可以表示為：ni＝(vi–v0-△v)/(δv-△v)+1(19)根據(jù)公式(19)，達到vi所需的時間τi可以表示為：τi＝nit1＝t1(。洛陽怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    如圖28c所示。電壓衰減電路26090的衰減率的設(shè)置范圍在5-100之間，推薦20。電壓衰減可以用如下公式表達：vout＝(r2/r1)*vin假設(shè)r1＝200k,r2＝r3＝r4＝10k,vout＝(r2/r1)*vin＝vin/20其中，vout是電壓衰減電路26090輸出的振幅值，vin是電壓衰減電路26090輸入的振幅值，r1、r2、r3、r4是兩個運算放大器28102及28104的電阻。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的整形電路26092的示例。參考圖26所示，電壓衰減電路26090的輸出端連接整形電路26092。電壓衰減電路26090輸出的波形輸入到整形電路26092，整形電路26092將電壓衰減電路26090輸出的正弦波轉(zhuǎn)化為方波以便主控制器26094處理。如圖29a所示，整形電路26092包括窗口比較器29102及或門29104。當(dāng)vcal-圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26及圖27所示的主控制器26094的示例。如圖30a所示，主控制器26094包括脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102和周期測量模塊30104。脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102用來將τ1時間的脈沖信號轉(zhuǎn)換為高電平信號，τ2時間的低電平信號保持不變，如圖30b-30c所示。圖30a示意了脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102的電路符號，其中，clk_sys為50mhz時鐘信號，pulse_in為輸入信號，pulse_out為輸出信號。進口半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的價格。北京半導(dǎo)體晶圓銷售廠

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    該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進一步的，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。進一步的，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀。北京半導(dǎo)體晶圓銷售廠

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