***相機，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺，其上放置有檢測晶圓；環(huán)繞所述檢測晶圓布置的倏逝場移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓的暗場照明光源；第二相機，用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠場像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被檢晶圓半導(dǎo)體材料的光譜吸收特性，選擇對應(yīng)的照明光源，具體包括暗場照明源，pl激發(fā)源，共聚焦照明光源以及倏逝場移頻照明光源；完成所有照明成像系統(tǒng)的集成化設(shè)計，具體包括暗場照明光路、pl激發(fā)光路、自聚焦掃描成像光路、倏逝場照明光路的設(shè)計以及所有光路系統(tǒng)的整合。同時，完成部分模塊的集成，如自聚焦模塊；另外，針對不同照明模式的缺陷檢測過程，圖像的采集方案有所差別，對應(yīng)的圖像拼接算法應(yīng)做出調(diào)整。推薦的，所述的照明光源為汞氙燈、led光源或激光光源。照明光源可以選用汞氙燈(hg-xelamp)、特定波段的發(fā)光二極管(led)光源、白光led光源，或者其他非相干和部分相干光源等。其中pl照明模式、共焦掃描成像模式也可選用激光光源。推薦的，所述的耦合物鏡與***偏振片間依次設(shè)置有***透鏡、***、第二透鏡和濾光片。推薦的，所述的偏振片與偏振分光棱鏡間依次設(shè)置有柱面鏡和第三透鏡。推薦的。半導(dǎo)體晶圓用的精密運動平臺，國內(nèi)有廠家做嗎？四川全球半導(dǎo)體晶圓

    ticuni)、鈦合金、釩鎳合金、銀合金、鎳合金、銅合金、純鈷，也可以包含鋁、鈦、鎳、銀、鎳、銅各種金屬的合金。如圖16e所示的一實施例當中，步驟1550所作出的金屬層的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應(yīng)當是平行的。如圖16f所示的一實施例當中，基板結(jié)構(gòu)的金屬層1010可以更包含兩個金屬子層1011與1012。這兩個金屬子層1011與1012的材質(zhì)可以相同，也可以不同。金屬子層1011的形狀與第二表面8222相應(yīng)。金屬子層1012的形狀與金屬子層1011相應(yīng)。制作金屬子層1011的工法可以和制作金屬子層1012的工法相同，也可以不同。圖16f所示的實施例的一種變化當中，也可以只包含一層金屬層1010，其形狀與第二表面822相應(yīng)。如圖16g所示的一實施例當中，基板結(jié)構(gòu)可以包含兩個金屬子層1011與1012。金屬子層1011的形狀與第二表面822相應(yīng)。金屬子層1012的下表面與金屬子層1011的上表面相應(yīng)，但金屬子層1012的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應(yīng)當是平行的。雖然在圖16f與16g的實施例只示出兩個金屬子層1011與1012，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到步驟1550可以制作出包含更多金屬子層的金屬層。天津12英寸大尺寸半導(dǎo)體晶圓國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,硅晶圓片工藝技術(shù)!

    上述步驟7210至7240可以重復(fù)操作以此來縮小內(nèi)爆時間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設(shè)置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設(shè)圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結(jié)了其他試驗參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個試驗中，當τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達1216個點。當τ1＝(或周期數(shù)為100)時，聲波清洗工藝對相同的圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷為0。所以τi為。通過縮小τ1的范圍來做更多的試驗可進一步縮小τi的范圍。在上述實驗中，周期數(shù)取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率。功率密度越大，則周期數(shù)越小；頻率越低，則周期數(shù)越小。從以上實驗結(jié)果可以預(yù)測出無損傷的周期數(shù)應(yīng)該小于2000，假設(shè)超聲波或兆聲波的功率密度大于，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于，那么可以預(yù)測周期數(shù)將會增加。知道時間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來獲得。確定時間τ1。

    所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。實施例3一種用于半導(dǎo)體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑48份、氟化物12份、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份、有機胺7份、氨基酸14份、胍類15份、苯并三氮唑5份、有機羧酸19份、硫脲23份和水64份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。開封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計算出內(nèi)爆時間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計算出或直接得到。然而可以憑經(jīng)驗直接得到τi的值。圖7e揭示了根據(jù)經(jīng)驗得出內(nèi)爆時間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個不同的時間段τ1作為實驗設(shè)定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時間段τ2，在***次測試時**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運行以上五種條件來分別清洗具有圖案結(jié)構(gòu)的晶圓。此處，p0是在如圖6a所示的連續(xù)不間斷模式(非脈沖模式)下確定會對晶圓的圖案結(jié)構(gòu)造成損傷的功率水平。在步驟7240中，使用掃描電鏡(sem)或晶圓圖案損傷查看工具來檢查以上五種晶圓的損壞程度，如應(yīng)用材料的semvision或日立is3000，然后內(nèi)爆時間τi可以被確定在某一范圍。損傷特征的百分比可以通過由掃描電鏡檢查出的損傷特征總數(shù)除以圖案結(jié)構(gòu)特征的總數(shù)。也可以通過其它方法計算得出損傷特征百分比。例如，**終晶圓的成品率可以用來表征損傷特征的百分比。西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?鄭州半導(dǎo)體晶圓服務(wù)至上

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    用振幅隨著時間變化的電源的功率水平p來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的功率水平p1。在一個實施例中，如圖8a所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p增大。在另一個實施例中，如圖8b所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p減小。在又一個實施例中，如圖8c所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先減小后增大。在如圖8d所示的實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先增大后減小。圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的頻率隨著時間變化，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣，在該實施例中，用隨著時間變化的電源的頻率來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的頻率f1。如圖9a所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1后設(shè)置為f3，f1高于f3。如圖9b所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3后增大至f1。如圖9c所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f3變化至f1再變回f3。如圖9d所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f1變?yōu)閒3再變回f1。與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1。四川全球半導(dǎo)體晶圓

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