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SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性： · 截止電壓：5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)...

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器（MLV），適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC6100...

WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關 產(chǎn)品描述 WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4612還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 輸入電壓范圍：2.5-5.5V · 主開關RON：60mΩ@VIN=5.0V · ...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢： · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V · 可調輸出電壓：0.8V至5V · 輸出電流：300mA · 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關機電流小于1μA · 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。 · 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高...

WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。 技術特性：偏移電壓只有3μ...

RB521S30肖特基勢壘二極管 特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應用：低電流整流 介紹： RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。 此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設...

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器 ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括： · 截止電壓：5V ...

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應用領域： · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器 · DC-DC轉換電路 · 電源開...

WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點： · 輸入電壓：29V · 導通電阻：45mΩ（典型值） · 超快OVP響應時間：450ns（典...

ESD56151Wxx：電源保護新選擇 ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 這款ESD適用于各種需要電源保...

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器 產(chǎn)品描述： WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點： · 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V · 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。 · 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB · 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV · ...

WS4603E：可調電流限制、電源分配開關 描述 WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。 特性 1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V 2、主開關RON：80mΩ@VIN=5V 3、調整電流限制范圍：0.4~2A（...

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅動器 產(chǎn)品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉換效率，并允許使用小型外部組件。 封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性： 輸入電壓范圍：2.7~5.5V 開路LED保護：38V（典型值） 參考電壓：200mV...

SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性： · 截止電壓：5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)...

WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡應用中極具吸引力。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V · 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB · 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV · 輸出噪聲：100uV · 靜態(tài)電流：典型值為150μA 此外，WL2803...

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓：±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域： · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動 · DC-DC轉換器電路 · 電源開關 · 負載開關 · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性...

WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。 WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。 ...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。 特性： D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是...

WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 特性： ...

RB521S30肖特基勢壘二極管 特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應用：低電流整流 介紹： RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。 此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設...

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉換器 WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關頻率工作，并采用脈沖寬度調制（PWM）。在輕負載電流時，它會進入脈沖跳變調制（PSM）操作，以在整個負載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標準無鉛和無鹵素產(chǎn)品。 其主要...

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5311Z可用于提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性 截...

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域： · DC/DC轉換器 · 電源轉換器電路 · 便攜式設備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： 反向截止電壓：±5V 根據(jù)IEC61000-4-2（...