WPM1481：?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專(zhuān)為高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路的理想選擇。同時(shí)，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無(wú)鉛產(chǎn)品，還符合環(huán)保要求。無(wú)論是用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM3401-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD5401N

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WS4696EWL2815D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器韋爾 封裝:X2-DFN1010-4-EP。

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開(kāi)關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開(kāi)關(guān)頻率工作，并采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）。在輕負(fù)載電流時(shí)，它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制（PSM）操作，以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛和無(wú)鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開(kāi)關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機(jī)電流，60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動(dòng)

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開(kāi)關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開(kāi)關(guān)

· 逐周期過(guò)流保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù)，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時(shí)，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時(shí)，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時(shí)達(dá)到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時(shí)，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關(guān)斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)和無(wú)線電話

· 數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙和無(wú)線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點(diǎn)，為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無(wú)論是手機(jī)、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5441N02-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計(jì)使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專(zhuān)為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計(jì)。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無(wú)鉛和無(wú)鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無(wú)鉛和無(wú)鹵素的特點(diǎn)也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5431ZL

WNM3018-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD5401N

WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD5401N