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  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V

    ESD5311N:?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無(wú)鉛且不含鹵素。 其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD54211N
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD54211N

    WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2055
    中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2055

    ESD5341N:?jiǎn)尉€、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器 ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度壓力。ESD5341N包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無(wú)鉛且不含鹵素。 其主要特性包括: · 截止電壓:5V ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56321N09
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56321N09

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。 特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì): · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V · 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V · 輸出電流:300mA · 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機(jī)電流小于1μA · 低壓降:在輸出電流為0.3A時(shí),壓降為141mV。 · 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時(shí),PSRR高...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3400
    中文資料WILLSEMI韋爾WNM3400

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備,如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。 特性: · 極低電容:CJ=0.5pFtyp · 極低漏電流:IR<1nAtyp · 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP) · 固態(tài)硅技術(shù) · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

    ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。 特性: · 截止電壓:5V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù):40A(5/50ns) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):4A(8/20μs) · 極低電容:CJ=0.4pF(典型值) · 極低漏電流:IR<1nA(典型值...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM3055
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM3055

    ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:5V 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù) 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS72321
    中文資料WILLSEMI韋爾WS72321

    BL1551B是一款模擬開關(guān),具體地說(shuō):它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì): 高帶寬:BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號(hào)切換,滿足許多高速應(yīng)用的需求。 低導(dǎo)通電阻:在5V工作電壓下,其導(dǎo)通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號(hào)在開關(guān)過(guò)程中的損失,保證信號(hào)的完整性。 高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB,這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),信號(hào)泄漏非常小,從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。 寬工作電...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K
    中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K

    WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關(guān) 產(chǎn)品描述 WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過(guò)載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4612還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動(dòng)放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。 產(chǎn)品特性 · 輸入電壓范圍:2.5-5.5V · 主開關(guān)RON:60mΩ@VIN=5.0V · ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5432N
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5432N

    WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器) 產(chǎn)品描述: WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案,以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計(jì)用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩(wěn)定性,提高效率,從而延長(zhǎng)這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。 產(chǎn)品特性: 靜態(tài)電流:1.5μA(典型值) 輸入電壓:2.1V~5.5V 輸出電壓:1.1V~3.3V 輸出電流:@VOUT=3....

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS4612E
    中文資料WILLSEMI韋爾WS4612E

    WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備,如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。 特性: · 極低電容:CJ=0.5pFtyp · 極低漏電流:IR<1nAtyp · 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP) · 固態(tài)硅技術(shù) · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5549N
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5549N

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。 特性: · 截止電壓:±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供1...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56161D24
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD56161D24

    ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器 ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。 特性: · 截止電壓:±12V。 · 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù):±30kV(接觸放電) · 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):5.5A(8/20μs) · 典型電容:CJ=27pF...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D
    中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

    WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器 WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時(shí),它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛和無(wú)鹵素產(chǎn)品。 其主要...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WD1071VA
    中文資料WILLSEMI韋爾WD1071VA

    WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無(wú)需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過(guò)一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。 特性: · 可編程充電電流高達(dá)600mA · 過(guò)溫保護(hù) · 欠壓鎖定保護(hù) · 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V · 充電狀態(tài)輸出引腳 · 2.9V涓流充電閾值 · 軟啟動(dòng)限制浪涌電流 應(yīng)用: · 無(wú)線電話 · MP3/MP4播放器 · 藍(lán)牙設(shè)備 ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR

    ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:5V 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù) 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9241A
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9241A

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動(dòng)。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動(dòng)調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢(shì)。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴(kuò)展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。 技術(shù)特性:偏移電壓只有3μ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C
    中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:±5V 根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3035A
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3035A

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過(guò)VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會(huì)損壞部件或影響其操作,無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。 特性: ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WCL072N06DN
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WCL072N06DN

    ESD73011N:?jiǎn)尉€、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無(wú)鉛且不含鹵素。 其主要特性包括: · ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5556Z
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5556Z

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比(PSRR)的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,這使得它對(duì)于要求高輸出電流的消費(fèi)者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列提供了過(guò)熱保護(hù)(OTP)和電流限制功能,以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯(cuò)誤條件下的穩(wěn)定性,并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛且無(wú)...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS72544
    中文資料WILLSEMI韋爾WS72544

    WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET 產(chǎn)品描述: WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計(jì)使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供了出色的導(dǎo)通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計(jì)。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無(wú)鉛和無(wú)鹵素的。小型CSP4L封裝。 產(chǎn)品特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 出色的導(dǎo)通電阻 ·...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD83582C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD83582C

    ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器 ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。 特性: · 截止電壓:±12V。 · 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù):±30kV(接觸放電) · 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):5.5A(8/20μs) · 典型電容:CJ=27pF...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5301N
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5301N

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。 特性: · 截止電壓:±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供1...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD53101N
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD53101N

    RB521C30:肖特基勢(shì)壘二極管 · 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V · 直流反向電壓 VR 30 V · 平均整流正向電流 IO 100 mA 產(chǎn)品特性: 100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。 低正向電壓:肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn),這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。 低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。 ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾SPD81581A
    中文資料WILLSEMI韋爾SPD81581A

    WD3168:5V/300mA開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器,它能夠從一個(gè)非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當(dāng)負(fù)載電流在典型條件下低于4mA時(shí),WD3168會(huì)進(jìn)入跳模模式,此時(shí)其靜態(tài)電流會(huì)降低到170uA。只需3個(gè)外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓,從而節(jié)省PCB空間。 此外,其軟啟動(dòng)功能在開機(jī)和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會(huì)限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護(hù)功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應(yīng)用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z3V3
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z3V3

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù),還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點(diǎn): · 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V · 輸出電流:在輸出電壓小于2V時(shí),典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時(shí),典型值為300mA。 · 電源抑制比(PSRR):在217Hz時(shí)達(dá)到75dB · 壓差電壓:在輸出電流為200mA時(shí),壓差為170mV · ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS72142
    中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。 產(chǎn)品特性: ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵...

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