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規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

來源: 發(fā)布時間:2024-05-06

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性:

· 截止電壓:±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關(guān) 封裝:TSOT-25。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

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      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用:

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用。可承受-5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5539NESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。

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ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓:±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):20A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):3A(8/20μs)

· 電容:CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備,保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓,穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓


應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī),或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5311X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:WBFBP-02C-C。

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      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無論是對于追求高性能的設(shè)計(jì)師,還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商,WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-353。代理分銷商WILLSEMI韋爾HWS74285

ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-523。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:±5V

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn),每條線路的瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)

IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)

電容:CJ=9pF(典型值)

低漏電流

低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

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