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中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-06

ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力影響。

      包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

 1、截止電壓:5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低電容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流:IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WL2836E08-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

中文資料WILLSEMI韋爾WS72142,WILLSEMI韋爾

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2516DWPM3401-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。

中文資料WILLSEMI韋爾WS72142,WILLSEMI韋爾

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311X可提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),能承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛且無(wú)鹵素產(chǎn)品。

主要特性:

截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息,請(qǐng)查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD73011N:?jiǎn)尉€、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無(wú)鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.40pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 WNMD2171-4/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:CSP-4L。

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WPM3401:?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥) 封裝:SMD-4P,1.9x2.8mm。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WNT2F04

ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-563。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

    WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開(kāi)關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過(guò)載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開(kāi)關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動(dòng)放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5~5.5V

· 主開(kāi)關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V

· 持續(xù)輸出電流:1.0A

· 電流限制閾值:1.5A(典型值)

· 電流限制精度:±20%

· 輸出短路電流:0.7A(典型值)

· 自動(dòng)放電反向阻斷(無(wú)“體二極管”)

· 過(guò)溫保護(hù)

應(yīng)用:

· USB外設(shè)USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開(kāi)關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)的高性能高側(cè)開(kāi)關(guān)。其極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET結(jié)構(gòu)使其在處理大電流時(shí)高效且節(jié)能。集成的電流限制功能保護(hù)電源免受過(guò)大電流損害,確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。自動(dòng)放電功能和反向保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)安全性。適用于USB外設(shè)、USB Dongle等需要高效電源管理的場(chǎng)合。無(wú)論3.3V還是5V系統(tǒng),WS4601都提供出色的性能和保護(hù)機(jī)制,確保設(shè)備正常運(yùn)行。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

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