WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關(guān)都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設(shè)計，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用：

· 手機

· MID（移動設(shè)備）

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設(shè)計的穩(wěn)定、高效CMOS開關(guān)，適用于手持和消費電子產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2805N33-3/TR 線性穩(wěn)壓器（LDO）封裝：SOT-23-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1305E20

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7035AT0-6/TRWPM2019-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關(guān)斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應(yīng)用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應(yīng)晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元

· 設(shè)計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器

· 電路便攜式設(shè)備的負載/電源開關(guān)      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其獨特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路，還是便攜式設(shè)備的負載/電源開關(guān)，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術(shù)特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。

應(yīng)用領(lǐng)域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應(yīng)變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7035AT0-6/TR

ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1305E20

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號，這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1305E20