SD5302F是一款專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線(xiàn)路均符合IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號(hào)完整性，承受力強(qiáng)。適合緊湊設(shè)備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護(hù)組件。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS72552M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：MSOP-8。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9241A

WNM2016A：N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元

· 設(shè)計(jì)出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器

· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開(kāi)關(guān)      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇，因?yàn)樗饶軌蛱峁?qiáng)大的性能，又能夠節(jié)省空間。無(wú)論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路，還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開(kāi)關(guān)，WNM2016A都是一個(gè)出色的選擇，能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3033WAS4642Q-24/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN2534-24L。

ESD73034D四線(xiàn)路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線(xiàn)路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD73011N：?jiǎn)尉€(xiàn)、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線(xiàn)瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 WAS4766C-9/TR 模擬開(kāi)關(guān) 封裝：WLCSP-9L。

WS3202E：過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過(guò)壓保護(hù)（OVP）和過(guò)流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過(guò)閾值時(shí)，該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開(kāi)IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過(guò)溫保護(hù)（OTP）功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時(shí)間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應(yīng)時(shí)間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域：

· GPS設(shè)備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機(jī)

· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)

     WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC，為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時(shí)其無(wú)鉛和無(wú)鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM2021-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15

WPM2015-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9241A

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器，專(zhuān)為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計(jì)用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長(zhǎng)這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時(shí)為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時(shí)為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時(shí)為150mA

壓差電壓：@100mA時(shí)為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機(jī)

藍(lán)牙耳機(jī)

無(wú)線(xiàn)鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專(zhuān)為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗CMOS穩(wěn)壓器，性能優(yōu)異，低靜態(tài)電流，高效能，延長(zhǎng)電池壽命。優(yōu)化設(shè)計(jì)，使用低成本陶瓷電容器，在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等。緊湊封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9241A