WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點(diǎn)包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計(jì)，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實(shí)際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實(shí)現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)對電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D20WL2805N33-3/TR 線性穩(wěn)壓器（LDO）封裝：SOT-23-3L。

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311X可提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，能承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保，廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息，請查閱手冊或聯(lián)系我們。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計(jì)使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計(jì)。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計(jì)簡化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點(diǎn)也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3021-8/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOP-8。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點(diǎn)。在500mA的負(fù)載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關(guān)斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應(yīng)用：

· LCD電視

· 機(jī)頂盒（STB）

· 計(jì)算機(jī)、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求，適用于LCD電視、機(jī)頂盒和計(jì)算機(jī)通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計(jì)使其易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WSB5524D

SPD9112W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

WNM2016A：N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元

· 設(shè)計(jì)出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器

· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇，因?yàn)樗饶軌蛱峁?qiáng)大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路，還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D