氣力輸送系統(tǒng):解決物料輸送難題,提升生產(chǎn)效率
稱(chēng)重配料控制系統(tǒng):精確配料,提升生產(chǎn)質(zhì)量與效率
革新配料行業(yè),稱(chēng)重配料助力企業(yè)提升生產(chǎn)效率
氣力輸送:解決物料輸送難題,提升生產(chǎn)效率的利器
從開(kāi)始到驗(yàn)收,江蘇惟德如何完成一整套氣力輸送系統(tǒng)?
?哪些物料適合氣力輸送
氣力輸送系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)以及發(fā)展前景介紹
關(guān)于稱(chēng)重配料系統(tǒng)的應(yīng)用知識(shí)介紹
影響稱(chēng)重配料系統(tǒng)的精度有哪些
氣力輸送系統(tǒng)的裝置特點(diǎn)
WNM2021:?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS72042M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝:MSOP-8。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNMD2153A
ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。
特性:
· 截止電壓:±3.3V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護(hù)
· 電容:典型值為17.5pF
· 低泄漏電流:典型值為1nA
· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時(shí),典型值為8V。
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用:
· 手機(jī)
· 計(jì)算機(jī)和外設(shè):為計(jì)算機(jī)主板、顯示器、鍵盤(pán)等
· 微處理器
· 電源線
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD5431N是專(zhuān)為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5681N07WNM3003-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。
ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器
ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。
特性:
· 截止電壓:±12V。
· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù):±30kV(接觸放電)
· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 典型電容:CJ=27pF
· 極低泄漏電流:IR=0.1nA
· 低鉗位電壓:在IPP=16A(TLP)時(shí),VCL=20V。
· 固態(tài)硅技術(shù):確保器件性能穩(wěn)定和長(zhǎng)壽命。
應(yīng)用:
· 計(jì)算機(jī)及其外設(shè):如鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、顯示器等。
· 手機(jī)
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,專(zhuān)為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無(wú)論是計(jì)算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備,ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù),確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN2510-10。
WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件,其特點(diǎn)是在低門(mén)極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
特點(diǎn):
RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,3407通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低RDS(ON),這意味著在器件導(dǎo)通時(shí),其電阻較小,從而減小了能量損失。低門(mén)極電荷:門(mén)極電荷是描述開(kāi)關(guān)器件從關(guān)閉到打開(kāi)或從打開(kāi)到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門(mén)極電荷可以更快地開(kāi)關(guān),從而減少開(kāi)關(guān)損耗。無(wú)鉛:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛產(chǎn)品有需求的場(chǎng)合。
應(yīng)用:
筆記本電腦的電源管理:3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器,以提供穩(wěn)定的電源。
便攜式設(shè)備:由于它的快速開(kāi)關(guān)和低能量損失,3407也適用于各種便攜式設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦等。
電池供電系統(tǒng):在電池供電的應(yīng)用中,減少能量損失和延長(zhǎng)電池壽命是非常重要的,3407的出色RDS(ON)和低門(mén)極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。
DC/DC轉(zhuǎn)換器:這是3407的主要應(yīng)用之一,用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。
負(fù)載開(kāi)關(guān):3407可以用于控制電路的通斷,實(shí)現(xiàn)負(fù)載開(kāi)關(guān)的功能。
如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD9N12BA-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WH2516D
WAS4729QB-10/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4)。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNMD2153A
ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力影響。
包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦
安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNMD2153A