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規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH

來源: 發(fā)布時間:2024-03-13

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術

超高密度單元設計

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用:

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進溝槽技術,具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應用??沙惺?5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關,驅(qū)動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH

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    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構,無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性:

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用:

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設計,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時,自動進入低電流和關機模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標準,適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD54331CYWPT2E33-3/TR 三極管(BJT) 封裝:SOT-89-3。

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WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)

產(chǎn)品描述:

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案,以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩(wěn)定性,提高效率,從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

靜態(tài)電流:1.5μA(典型值)

輸入電壓:2.1V~5.5V

輸出電壓:1.1V~3.3V

輸出電流:@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流:@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流:@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓:@100mA時為100mV

推薦電容器:1uF或更大

工作溫度:-40°C至+85°C

輸出短路保護

應用領域:

MP3/MP4播放器

手機

藍牙耳機

無線鼠標

其他電子設備

    WL2815是專為便攜式設備設計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器,性能優(yōu)異,低靜態(tài)電流,高效能,延長電池壽命。優(yōu)化設計,使用低成本陶瓷電容器,在多種應用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機、藍牙耳機等。緊湊封裝,符合環(huán)保標準,是現(xiàn)代電子設備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESDA6V8AV6靜電放電(ESD)保護的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器,為可能受到靜電放電(ESD)影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態(tài),這些設備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上;對于負瞬態(tài),則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊,超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人體模型(HBM)ESD規(guī)格,該設備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝,工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性:

· 工作峰值反向電壓:5V

· 低漏電流:<1uA@3V

· 高ESD保護水平:每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級ESD保護

· IEC61000-4-4四級EFT保護

· 五種單獨的單向配置

機械特性:

· 無空洞、轉移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面,易于焊接


應用領域:

· 手機和配件

· 個人數(shù)字助理(PDA)

· 筆記本電腦、臺式機和服務器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機

· 外設MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器,保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流,能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準,適用于手機、筆記本等便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

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ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。

     應用領域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設備,筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(硅麥) 封裝:SMD-4P,1.9x2.8mm。代理分銷商WILLSEMI韋爾WCM03141S

WPM3401-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH

WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH

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