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規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

來源: 發(fā)布時間:2024-03-13

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機(jī)

· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1610-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

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ESD73011N:單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.40pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63011NWPM2341-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。

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    ESD5304D是一個專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力而設(shè)計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結(jié)合了四對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù),結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管,提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口,是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保,易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù),其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護(hù)還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9X5VU-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。

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    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應(yīng)用:低電流整流

介紹:

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強(qiáng),無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。

    總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計工程師,都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E28-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

ESD9X12VD-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-923。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性:

· 截止電壓:±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護(hù)

· 電容:典型值為17.5pF

· 低泄漏電流:典型值為1nA

· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時,典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 計算機(jī)和外設(shè):為計算機(jī)主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計算機(jī)和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

深圳安美斯科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗,在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!

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