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中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

來源: 發(fā)布時間:2024-03-13

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:±5V

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn),每條線路的瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)

IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)

電容:CJ=9pF(典型值)

低漏電流

低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機

· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM03105DWL2836D12-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)等特點。在500mA的負(fù)載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V

· 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時為65dB

· 壓降電壓:在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲:100uV

· 靜態(tài)電流:典型值為150μA

此外,WL2803E系列還具備熱關(guān)斷(OTP)和電流限制功能,以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時,采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應(yīng)用:

· LCD電視

· 機頂盒(STB)

· 計算機、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源,具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比,有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求,適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計使其易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±10kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:5.5A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2020-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。

中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C,WILLSEMI韋爾

ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DWN0603-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM5002

ESD5651N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時,它會進入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括:

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機電流,60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開關(guān)

· 逐周期過流保護

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

深圳安美斯科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經(jīng)濟奇跡,一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地,繪畫新藍圖,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽,信奉著“爭取每一個客戶不容易,失去每一個用戶很簡單”的理念,市場是企業(yè)的方向,質(zhì)量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,全體上下,團結(jié)一致,共同進退,**協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,即使現(xiàn)在有一點小小的成績,也不足以驕傲,過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗,才能繼續(xù)上路,讓我們一起點燃新的希望,放飛新的夢想!

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