WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D

    ESD5304D是一個專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力而設(shè)計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù)，結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83241CRB520S30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-523。

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護(hù)和輸出電流限制器，而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無論是對于追求高性能的設(shè)計師，還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供10A（8/20μs）的浪涌保護(hù)

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· 手機(jī)

· 計算機(jī)和外設(shè)：為計算機(jī)主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計算機(jī)和便攜式設(shè)備，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-353。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計簡化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點(diǎn)也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD91011W

SPD9811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管（TSS）封裝：SMB。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，每條線路的瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D

深圳安美斯科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，深圳安美斯科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！