相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢(shì)。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽車市場(chǎng)，其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！深耕行業(yè)市場(chǎng)，開(kāi)拓業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)，新之聯(lián)伊麗斯誠(chéng)邀您相聚2025年3月10日中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)！2025年3月10日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷展

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)專題論壇靠技術(shù)騰飛，借展會(huì)布局，云集中外品牌的“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日我們上海見(jiàn)！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過(guò)了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會(huì)在熱循環(huán)期間對(duì)鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長(zhǎng)，設(shè)計(jì)者找到了新方法來(lái)確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長(zhǎng)10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對(duì)于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來(lái)衡量的。該測(cè)試通常是通過(guò)從-55°C到125°C或者150°C對(duì)樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來(lái)完成的。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館！

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸和6英寸為主，少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)，與國(guó)際廠商仍有一定差距。我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，國(guó)內(nèi)廠商與國(guó)外企業(yè)在碳化硅襯底產(chǎn)品上存在差距。國(guó)內(nèi)以4英寸和6英寸為主，而國(guó)際廠商如Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在2023年已能夠大批量穩(wěn)定供應(yīng)8英寸襯底。國(guó)內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)天岳先進(jìn)2024年5月披露，公司8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量交貨，將推動(dòng)頭部客戶向8英寸轉(zhuǎn)型，但8英寸產(chǎn)品品質(zhì)和良率與國(guó)際廠商還有一定差距?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英；展會(huì)將于2025年3月10日上海世博展覽館開(kāi)幕！2025年3月10日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷展

行業(yè)精英齊聚一堂，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。2025年3月10-12日中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)！誠(chéng)邀您蒞臨！2025年3月10日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷展

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本?ài)發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷展