s25，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。s26，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計(jì)算晴天無(wú)云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。這種太陽(yáng)能電池非常昂貴，但研究者認(rèn)為其**重要的是表明了所能達(dá)到的效率上限。天津下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮?dú)饬髁繛?0sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為70nm；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；遼寧AM1.5太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過(guò)量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻。

本申請(qǐng)?zhí)岣吡四拥墓鉄徂D(zhuǎn)換的效率，其中的工作原理是：純銅、黃銅的低發(fā)射率在金屬中比較低，*為0.03～0.05，因此本申請(qǐng)濺鍍制備了銅離子膜，作為低發(fā)射率膜，以降低膜層的發(fā)射率；抗反射膜是利用材料表面的反射能力與其折射率有關(guān)這一特性，通過(guò)降低材料表面的折射率，減少材料對(duì)太陽(yáng)輻射的反射，在金屬表面做多孔的二氧化硅膜層，其折射率較低，可使太陽(yáng)反射比**降低；氧化鉻等氧化物具有高吸收率，經(jīng)檢測(cè)，本申請(qǐng)制備的膜層的太陽(yáng)吸收率為93％～97％。實(shí)施例1一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：相反地，如果通入過(guò)量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。天津下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢?shí)現(xiàn)更具效率的太陽(yáng)能電池已經(jīng)努力多年，這一方法具有兩個(gè)創(chuàng)新之處。天津下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；天津下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司位于若水路388號(hào)蘇州納米技術(shù)國(guó)家大學(xué)科技園B棟10樓1005，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡。昊躍光學(xué)自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。