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根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為...

在電池片出產(chǎn)進(jìn)程中，燒結(jié)工序工藝參數(shù)欠安或燒結(jié)設(shè)備存在缺點(diǎn)時(shí)，出產(chǎn)出來(lái)的電池片在el測(cè)驗(yàn)進(jìn)程中會(huì)顯現(xiàn)為大面積的履帶印。實(shí)際出產(chǎn)中經(jīng)過(guò)有針對(duì)性的工裝改造就能夠有用的消除履帶印的問(wèn)題。例如選用頂針式履帶出產(chǎn)出來(lái)的電池片在el測(cè)驗(yàn)圖只能看到若干個(gè)黑點(diǎn)而沒(méi)有大面積的履帶印。 2.5黑芯片 黑芯片在el測(cè)驗(yàn)圖中我們能夠明晰的看到從電池片中心到邊緣逐步變亮的同心圓，它們發(fā)生于硅資料出產(chǎn)階段，與硅棒制造進(jìn)程中氧的溶解度和分凝系數(shù)大有關(guān)。此種資料缺點(diǎn)必然導(dǎo)致晶體硅電池片的少量載流子濃度下降，然后導(dǎo)致電池片中有此類(lèi)缺點(diǎn)的部分在el測(cè)驗(yàn)進(jìn)程中表現(xiàn)為發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光。反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍...

科學(xué)家們?cè)O(shè)計(jì)和建造了一種新型太陽(yáng)能電池的原型，將多個(gè)電池堆疊到一個(gè)設(shè)備中，能捕捉太陽(yáng)光譜中幾乎所有能量。這一新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換太陽(yáng)光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的太陽(yáng)能電池。 這一方法不同于一般在房頂或者田野中看到的那種太陽(yáng)能電池板。這一新設(shè)備利用了聚光光伏(CPV)電池板，利用透鏡將太陽(yáng)光集中到微小尺度的太陽(yáng)能電池上。由于其尺寸很小——小于1平方毫米，因此可以有效地開(kāi)發(fā)具有更復(fù)雜材料的太陽(yáng)能電池。 堆棧式電池就像是太陽(yáng)光篩子，每層的特制材料吸收特定波長(zhǎng)**的能量。等到陽(yáng)光透過(guò)整個(gè)堆棧之時(shí)，近一半的可用能量都被轉(zhuǎn)換為了電力。相對(duì)的，目前大部分常見(jiàn)太陽(yáng)能電池只能將25%的可用能...

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長(zhǎng)或?qū)?，例如，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取。s2，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。這種新型的...

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的操作s2計(jì)算過(guò)程流程圖，如圖2所示，該操作例如可以包括s21～s28。s21，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實(shí)施例可行方式中，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，選取圖像中一點(diǎn)為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系，例如，可以在左上角建立直角坐標(biāo)系，圖像左上角向右為x軸正方向，圖像左上角向下為y軸正方向，還可以選取圖像的中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，向右為x軸正方向，向上為y軸正方向，具體建立坐標(biāo)系的方式本發(fā)明不做限制。這樣，可以得到圖像總每一像素點(diǎn)的坐標(biāo)值(x，y...

完善并網(wǎng)服務(wù)管理。按照“一口對(duì)外”、“便捷高效”的原則，建立優(yōu)化并網(wǎng)流程、簡(jiǎn)化并網(wǎng)手續(xù)、提高服務(wù)效率的內(nèi)部協(xié)同服務(wù)機(jī)制。按照國(guó)網(wǎng)公司“兩個(gè)意見(jiàn)一個(gè)規(guī)定”，對(duì)接入系統(tǒng)方案制定、電能計(jì)量裝置安裝、并網(wǎng)驗(yàn)收和調(diào)試等全過(guò)程服務(wù)明確不收取費(fèi)用，對(duì)所有分布式光伏發(fā)電項(xiàng)目免收系統(tǒng)備用容量費(fèi)。 實(shí)施“全程引導(dǎo)制”。指定專(zhuān)人為分布式光伏項(xiàng)目提供系統(tǒng)方案制定、并網(wǎng)檢測(cè)、調(diào)試等全過(guò)程服務(wù)，協(xié)助客戶辦理和市局相應(yīng)部門(mén)間的業(yè)務(wù)手續(xù)，并提供技術(shù)指導(dǎo)。 開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)。在與高校開(kāi)展合作成立光伏發(fā)電推進(jìn)小組基礎(chǔ)上，在國(guó)內(nèi)首先開(kāi)展對(duì)分布式光伏發(fā)電并網(wǎng)調(diào)度運(yùn)行管理進(jìn)行研究，探索建立一套分布式光伏發(fā)電并網(wǎng)調(diào)度運(yùn)行管理制度及調(diào)...

根據(jù)拍攝時(shí)刻和所地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角。s24，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。**優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽(yáng)吸收比α(am1.5)達(dá)0.94，半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。廣東銷(xiāo)售...

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為30～120nm。撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)...

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為30～120nm。為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)...

4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮?dú)饬髁繛?0sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為70nm；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上...

近年來(lái)，中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所功能薄膜與智構(gòu)器件團(tuán)隊(duì)聚焦新型金屬陶瓷基太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層研發(fā)，以提升熱穩(wěn)定性為抓手，在新型耐高溫金屬陶瓷材料設(shè)計(jì)、光學(xué)模擬、涂層構(gòu)筑和熱穩(wěn)定性強(qiáng)化機(jī)理研究等方面開(kāi)展了一系列的工作。前期，利用金屬Al合金化Ag納米粒子，結(jié)合多靶共濺射的方法，獲得新型AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜，耐熱溫度較Ag-Al2O3（350℃）提高至500℃，在非真空條件下經(jīng)高溫長(zhǎng)時(shí)間退火（~1000 h），光學(xué)性能非常穩(wěn)定（ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材以及設(shè)置在基材的外表面上的膜層構(gòu)成，膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜、銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜、氮化鉻材質(zhì)的緩沖膜、氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻的混合物材質(zhì)的過(guò)渡膜、氧化鉻材質(zhì)的吸收膜、二氧化硅材質(zhì)的抗反射膜，其中強(qiáng)化膜、緩沖膜、過(guò)渡膜、吸收膜以及抗反射膜均為通過(guò)反應(yīng)性濺就鍍制備得到，銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜為通過(guò)直流濺鍍制備得到；這種新型的基于銻化鎵的太陽(yáng)能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)。安徽AM1太陽(yáng)光譜模擬代理s25，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)...

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長(zhǎng)或?qū)?，例如，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取。s2，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。經(jīng)國(guó)家節(jié)能產(chǎn)品質(zhì)量...

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基...

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長(zhǎng)或?qū)?，例如，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取。s2，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。如果所通入的氣體含...

每層的特制材料吸收特定波長(zhǎng)**的能量。等到陽(yáng)光透過(guò)整個(gè)堆棧之時(shí)，近一半的可用能量都被轉(zhuǎn)換為了電力。相對(duì)的，目前大部分常見(jiàn)太陽(yáng)能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。 研究***作者、喬治*華盛頓大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院研究科學(xué)家Matthew Lumb說(shuō)道：“抵達(dá)地球表面的太陽(yáng)光中99%的能量都落在250納米到2500納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)，但高效多連接太陽(yáng)能電池的傳統(tǒng)材料無(wú)法捕獲這整個(gè)光譜范圍。我們的新設(shè)備能夠解鎖存儲(chǔ)在長(zhǎng)波長(zhǎng)光子中的能量，這些是傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池力所未逮之處，從而為實(shí)現(xiàn)多連反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。河北銷(xiāo)售太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)本申請(qǐng)?zhí)岣吡四拥墓鉄徂D(zhuǎn)換的...

獲取模塊310，用于獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。***計(jì)算模塊320，用于根據(jù)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。第二計(jì)算模塊330，用于根據(jù)太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度。第三計(jì)算模塊340，用于針對(duì)于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時(shí)間、和/或拍攝位置對(duì)應(yīng)的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計(jì)算各自對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度相互之間的差值，得到各個(gè)地球靜止軌道衛(wèi)...

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試，結(jié)果為1級(jí)；本申請(qǐng)制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)...

例如，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330和第三計(jì)算模塊340中的任意多個(gè)可以合并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)，或者其中的任意一個(gè)模塊可以被拆分成多個(gè)模塊。或者，這些模塊中的一個(gè)或多個(gè)模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合，并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，...

用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣譜線用箭頭標(biāo)識(shí)(實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以紅色顯示，并與文獻(xiàn)中的參考光譜進(jìn)行了比較。右側(cè)顯示629.216nm處氧線的放大視圖，以及紅色He-Ne激光器（632.816nm處的單頻源）的光譜的插圖。03測(cè)量太陽(yáng)自轉(zhuǎn)引起的多普勒頻移由于太陽(yáng)吸收線和大氣氧線在太陽(yáng)光譜的某些區(qū)域非常接近，這種接近可以通過(guò)測(cè)量太陽(yáng)吸收線相對(duì)于固定氧線的多普勒頻移來(lái)確定太陽(yáng)的旋轉(zhuǎn)速度，從而確定地球和太陽(yáng)之間的當(dāng)前距離。進(jìn)行這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)所需的***設(shè)備是高頻光譜儀和太陽(yáng)望遠(yuǎn)鏡。當(dāng)太陽(yáng)相對(duì)于地球自轉(zhuǎn)時(shí)，太陽(yáng)圓盤(pán)的一個(gè)分支朝著地球移動(dòng)，而另一個(gè)分支后退。通過(guò)降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來(lái)類(lèi)似的產(chǎn)品可能將被推...

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提出一種用于地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值方法，該方法通過(guò)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角、太陽(yáng)高度角、太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算。相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱(chēng)為反應(yīng)...

s25，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。s26，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計(jì)算晴天無(wú)云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。我們的新設(shè)備...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材以及設(shè)置在基材的外表面上的膜層構(gòu)成，膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜、銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜、氮化鉻材質(zhì)的緩沖膜、氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻的混合物材質(zhì)的過(guò)渡膜、氧化鉻材質(zhì)的吸收膜、二氧化硅材質(zhì)的抗反射膜，其中強(qiáng)化膜、緩沖膜、過(guò)渡膜、吸收膜以及抗反射膜均為通過(guò)反應(yīng)性濺就鍍制備得到，銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜為通過(guò)直流濺鍍制備得到；如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。吉林上打光太陽(yáng)光譜模擬購(gòu)買(mǎi)據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，加拿大科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種可***改善太陽(yáng)能電池效能的新技術(shù)，該技術(shù)可在近紅...

厚度為0.1～2μm的薄層金屬氧化物或硫化物，如氧化銅、氧化鉻等，具有很高的太陽(yáng)輻射吸收比和長(zhǎng)波輻射透射比。6層構(gòu)成的膜層的緩沖膜、過(guò)渡膜、吸收膜的主要成分是氧化鉻等氧化物，能夠吸收波長(zhǎng)范圍為0.20～3.0μm的太陽(yáng)輻射能量并轉(zhuǎn)化為熱能。本申請(qǐng)實(shí)現(xiàn)了用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的吸收率高、發(fā)射率低以及附著力好，其中的工作原理是：在2500nm波長(zhǎng)以下的太陽(yáng)光反射光譜，反射率越低，吸收率越高，相反的，在2500nm波長(zhǎng)以上的太陽(yáng)光反射光譜，反射率越高，發(fā)射率越低；對(duì)基材表面作預(yù)處理，增加吸熱體表面粗超度，能有效增強(qiáng)附著力，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試，結(jié)果為1級(jí)。為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬...

這發(fā)生在太陽(yáng)大氣層的外層（夫瑯和費(fèi)線），或通過(guò)地球大氣層內(nèi)的吸收（由水蒸氣或氧氣等氣體引起的大氣吸收譜線）。每個(gè)單獨(dú)的條紋由標(biāo)準(zhǔn)具或VIPA的一個(gè)FSR隔開(kāi)。標(biāo)準(zhǔn)具FSR由其制造工藝精確確定，這意味著將原始條紋圖像與現(xiàn)有文獻(xiàn)中的太陽(yáng)光譜進(jìn)行比較，即可得到相應(yīng)的太陽(yáng)光譜。HN-9332光譜儀在518nm附近記錄的太陽(yáng)極光光譜顯示了太陽(yáng)外層的Mg三重態(tài)吸收(除了所示的Mg線和Fe線之外，在太陽(yáng)光譜的這個(gè)區(qū)域也有一些Ni吸收線）。比較LightMachineryHF-8989-2e光譜儀記錄的太陽(yáng)光譜（紅色數(shù)據(jù)）和參考光譜（藍(lán)色數(shù)據(jù)）這一新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換太陽(yáng)光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的...

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化...

根據(jù)拍攝時(shí)刻和所地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角。s24，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見(jiàn)于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。西藏高級(jí)太...

本發(fā)明涉及圖像處理領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法。背景技術(shù)：地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星的軌道周期與地球自轉(zhuǎn)周期相同，與地球保持相對(duì)靜止，擁有較大的成像幅寬，可對(duì)某一大面積指定感興趣區(qū)域進(jìn)行連續(xù)觀測(cè)，具有時(shí)間分辨率高、數(shù)據(jù)時(shí)效性好等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于地球自轉(zhuǎn)和圍繞太陽(yáng)公轉(zhuǎn)，導(dǎo)致地球上同一位置的光照強(qiáng)度每天都是不同的。此外，由于地球本身是圓形的，因此即使同一時(shí)刻，不同經(jīng)度和緯度的光照強(qiáng)度也是不一樣的，這就導(dǎo)致靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星在不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的圖像的亮度有很大差別，這對(duì)遙感圖像后續(xù)處理和應(yīng)用造成很大困難。因此，如何對(duì)在不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)...

HN-9332儀器的寬波長(zhǎng)覆蓋范圍允許在整個(gè)光譜的可見(jiàn)區(qū)域進(jìn)行快速的“測(cè)量”光譜。然而，許多夫瑯和費(fèi)譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來(lái)詳細(xì)檢查太陽(yáng)光譜的感興趣區(qū)域；例如HF-8989。02高分辨率太陽(yáng)光譜下圖顯示了太陽(yáng)光譜中一個(gè)特別有趣的區(qū)域。這個(gè)位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里，可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個(gè)吸收線，較強(qiáng)的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個(gè)高分辨率的太陽(yáng)光譜，它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。通過(guò)降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來(lái)類(lèi)似的產(chǎn)品可能將被...

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；這一新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換太陽(yáng)光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的太陽(yáng)能電池。上海AM0太陽(yáng)光譜模擬濾光片可選地，根...