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大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術：目前照明領域led驅動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術人員亟待...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

全橋由四只二極管組成,有四個引腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”。大多數(shù)的整流全橋上,均標注有“+”、“-”、“~”符號.(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。2)萬用表檢測法。如果組件的正、負極性標記已模糊不清,也可采用萬用表對其進行檢測。檢測時,將萬用表置“R×1k”擋,黑表筆接全橋組件的某個引腳,用紅表筆分別測量其余三個引腳,如果測得的阻值都為無窮大,則此黑表筆所接的引腳為全橋組件的直流輸出正極;如果測得的阻值均在4~l0kΩ范圍內(nèi),則此時黑...

所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs，高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用四基島架構，將整流橋、功率開關管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個引線框架內(nèi)，由此降低封裝成本。如圖6所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實施...

包括但不限于高壓供電基島13或漏極基島15)或不同基島(包括但不限于高壓供電基島13及漏極基島15)，在此不一一贅述。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，如圖5所示，所述整流橋設置于火線基島16及零線基島17上。具體地，所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn)，其中，第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管，所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8為p型二極管。所述第五整流二極管dz5的負極通過導電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上，正極通過金屬引線連接所述信號地管腳gnd。所述第六整流二極管dz6的負極通過導電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上，正極通過金屬引線連...

n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū)，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接...

本實用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本，并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結構及電源模組，包括：塑封體，設置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳，以及設置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關管、邏輯電路、至少兩個基島；其中，所述整流橋包括四個整流二極管，各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳；所述邏輯電路連接對應管腳，產(chǎn)生邏輯控制信號；所述功率開關管的柵極連接所述邏輯控制信號，漏極及源極分別連接對應管腳；所述功率開關管及所述邏輯電路分立設置或集成于控制芯片內(nèi)。本實...

全橋由四只二極管組成,有四個引腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”。大多數(shù)的整流全橋上,均標注有“+”、“-”、“~”符號.(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。2)萬用表檢測法。如果組件的正、負極性標記已模糊不清,也可采用萬用表對其進行檢測。檢測時,將萬用表置“R×1k”擋,黑表筆接全橋組件的某個引腳,用紅表筆分別測量其余三個引腳,如果測得的阻值都為無窮大,則此黑表筆所接的引腳為全橋組件的直流輸出正極;如果測得的阻值均在4~l0kΩ范圍內(nèi),則此時黑...

這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底...

③由于此時整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關，因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出，在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關于整流橋帶散熱器的熱阻時，只可能是整流橋背面的結--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時的結--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒有參考價值，因為它是隨著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強迫風冷冷卻時殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計算，我們可以得出:在整流橋自然冷卻時，我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結--環(huán)境熱阻(Rja)，來計算整流橋的結溫，從而可以方便地檢驗我們的設計...

所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，所述信號地管腳gnd的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。在本實施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側，所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側。需要說明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實際需要進行設定，不以本實施例為限。如圖1所...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結構特點3整流橋模塊的優(yōu)點4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M）進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳...

整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M）進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導線）相連，形成我們在外觀上看見...

目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結構特點3整流橋模塊的優(yōu)點4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M）進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳...

所述負載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的采樣管腳cs，另一端接地。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅動電源應用，適用于高壓buck(5w～25w)。實施例三如圖5所示，本實施例提供一種合封整流橋的封裝結構，與實施例一及實施例二的不同之處在于，所述整流橋的設置方式不同，且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示，在本實施例中，所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極...

假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結論:在自然冷卻的情況下，整流橋的散熱主要是通過其引腳線(輸出引腳正負極)與PCB板的焊盤來進行的。因此，在整流橋的損耗不大，并用自然冷卻方式進行散熱時，我們可以通過增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來改善其整流橋的散熱狀況。同時，我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內(nèi)二極管結溫到周圍環(huán)境間的總熱阻，即:其...

這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底...

從前面對整流橋帶散熱器來實現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時，就忽約其通過引腳的傳熱量。現(xiàn)結合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應用的損耗(大為)來分析。假設整流橋殼體外表面上的溫度為結溫(即)，表面換熱系數(shù)為(在一般情況下，強迫風冷的對流換熱系數(shù)為20~40W/m2C)。那么在環(huán)境溫度為，通過整流橋正表面散發(fā)到環(huán)境中的熱量為:忽約整流橋引腳的傳熱量，則通過整流橋背面的傳熱量為:由于在整流橋殼體表面上的兩個傳熱途徑上(殼體正面、殼體背面)的熱阻分別為:根據(jù)熱阻的定義式有:所以:由上式可以看出:整流橋...

全橋由四只二極管組成,有四個引腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”。大多數(shù)的整流全橋上,均標注有“+”、“-”、“~”符號.(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。2)萬用表檢測法。如果組件的正、負極性標記已模糊不清,也可采用萬用表對其進行檢測。檢測時,將萬用表置“R×1k”擋,黑表筆接全橋組件的某個引腳,用紅表筆分別測量其余三個引腳,如果測得的阻值都為無窮大,則此黑表筆所接的引腳為全橋組件的直流輸出正極;如果測得的阻值均在4~l0kΩ范圍內(nèi),則此時黑...

生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結構特點1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的結構基礎。因此，它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負載短路，絕緣不好，負荷電流過大引起；3、頻繁的啟停電源，若是感性負載屬于儲能元件！那么會產(chǎn)生反電動勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時只要一個壞了。則對稱橋臂必燒壞！4、個別元件使用時間較長，質量下降！5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法（1）找到引起整流橋模塊損壞的根本原因，并消除，防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。（2）更換新整流橋模塊，對焊接的整流橋模塊需確...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應用于各種電源設備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結構所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導線）相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。...

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術：目前照明領域led驅動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術人員亟待...

從前面對整流橋帶散熱器來實現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時，就忽約其通過引腳的傳熱量。現(xiàn)結合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應用的損耗(大為)來分析。假設整流橋殼體外表面上的溫度為結溫(即)，表面換熱系數(shù)為(在一般情況下，強迫風冷的對流換熱系數(shù)為20~40W/m2C)。那么在環(huán)境溫度為，通過整流橋正表面散發(fā)到環(huán)境中的熱量為:忽約整流橋引腳的傳熱量，則通過整流橋背面的傳熱量為:由于在整流橋殼體表面上的兩個傳熱途徑上(殼體正面、殼體背面)的熱阻分別為:根據(jù)熱阻的定義式有:所以:由上式可以看出:整流橋...

整流橋在電路中也是非常常見的一種器件，特別是220V供電的設備中，由于220V是交流電，我們一般使用的電子器件是弱電，所以需要降壓整流，***和大家談談，整流橋在電路中起什么作用？步驟閱讀方法/步驟1首先看下整流橋的工作原理，它是由四個二極管組成，對交流電進行整流為直流電。步驟閱讀2進過整流橋直接整流過的電壓還不夠穩(wěn)定，還需要濾波電路對整流過的電壓進行過濾已達到穩(wěn)定的電壓。步驟閱讀3為了減少的電壓的波動，一般還需要LDO的配合來達到更加精細和穩(wěn)定的電壓，比如7805就是常見的LDO。步驟閱讀4上面三點再加上變壓器，變壓器對220V或者更高的交流電壓進行***次降壓，這就是我們平常*...

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術：目前照明領域led驅動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術人員亟待...

所述負載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的采樣管腳cs，另一端接地。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅動電源應用，適用于高壓buck(5w～25w)。實施例三如圖5所示，本實施例提供一種合封整流橋的封裝結構，與實施例一及實施例二的不同之處在于，所述整流橋的設置方式不同，且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示，在本實施例中，所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極...

以及設置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關管、邏輯電路、至少兩個基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳；所述邏輯電路的控制信號輸出端輸出邏輯控制信號，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，采樣端口連接所述采樣管腳，接地端口連接所述信號地管腳；所述功率開關管的柵極連接所述邏輯控制信號，漏極連接所述漏極管腳，源極連接所述采樣管腳；所述功率開關管及所述邏輯電路分立設置或集成于控制芯片內(nèi)。可選地，所述火線管腳、所述零線管腳、所述高壓供電...