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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-01

    整流橋模塊作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們?cè)谕庥^上看見(jiàn)的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于一般整流橋模塊都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹(shù)脂。然而,環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,比較高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻。 多組三相整流橋相互連接,使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。上海西門康SEMIKRON整流橋模塊銷售

    所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示,所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈,負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示,所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極,負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示,所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,適用于兩繞組flyback(3w~25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一~三的不同之處在于,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd,所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號(hào)地管腳gnd,而連接所述電源地管腳bgnd,相應(yīng)地,所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改,在此不一一贅述。如圖7所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于,所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。 福建哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。

    目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)4整流橋模塊的分類展開(kāi)1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋(如:RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M)進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們?cè)谕庥^上看見(jiàn)的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹(shù)脂。然而,環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,比較高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里。

    大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“~”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“一”為輸出電壓的負(fù)極,兩個(gè)“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí),可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“~”極、“一”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否損壞。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,則可判斷該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成,檢測(cè)時(shí),可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl,反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得其正、反向均有一定電阻值,則說(shuō)明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測(cè)二端肖特基二極管可以用萬(wàn)用表Rl擋測(cè)量。正常時(shí),其正向電阻值(黑表筆接正極)為~,反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均接近O,則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端,判別出是共陰對(duì)管,還是共陽(yáng)對(duì)管,然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。 將交流電轉(zhuǎn)為直流電的電能轉(zhuǎn)換形式稱為整流(AC/DC變換),所用電器稱為整流器,對(duì)應(yīng)電路稱為整流電路。

    使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn),F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問(wèn)題,通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔,實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡(jiǎn)單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。 整流橋是將數(shù)個(gè)整流二極管封在一起組成的橋式整流器件,主要作用是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電,也就是整流。福建哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。上海西門康SEMIKRON整流橋模塊銷售

    b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對(duì)于整流橋不帶散熱器而采用強(qiáng)迫風(fēng)冷這種情況,其分析的過(guò)程同自然冷卻一樣,只不過(guò)在計(jì)算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時(shí),對(duì)其換熱系數(shù)的選擇應(yīng)該按照強(qiáng)迫風(fēng)冷情形來(lái)進(jìn)行,其數(shù)值通常為20~30W/m2C。也即是:于是可以得到整流橋殼體表面的傳熱熱阻和通過(guò)引腳的傳熱熱阻為:于是整流橋的結(jié)-環(huán)境的總熱阻為:由上述整流橋不帶散熱器的強(qiáng)迫對(duì)流冷卻分析中可以看出,通過(guò)整流橋殼體表面的散熱途徑與通過(guò)引腳進(jìn)行散熱的熱阻是相當(dāng)?shù)模环矫嫖覀兛梢酝ㄟ^(guò)增加其冷卻風(fēng)速的大小來(lái)改變整流橋的換熱狀況,另一方面我們也可以采用增大PCB板上銅的覆蓋率來(lái)改善PCB板到環(huán)境間的換熱,以實(shí)現(xiàn)提高整流橋的散熱能力。2、整流橋自帶散熱器當(dāng)整流橋自帶散熱器進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷來(lái)實(shí)現(xiàn)其散熱目的時(shí),該種情況下的散熱途徑對(duì)比整流橋自然冷卻和帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷散熱這兩種散熱途徑,可以發(fā)現(xiàn)其根本的差異在于:散熱器的作用地改善了整流橋殼體與環(huán)境間的散熱熱阻。如果忽約散熱器與整流橋間的接觸熱阻,則結(jié)合整流橋不帶散熱器的傳熱分析,我們可以得到整流橋帶散熱器進(jìn)行冷卻的各散熱途徑熱阻分別如下:。 上海西門康SEMIKRON整流橋模塊銷售

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