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選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。微納制造的加工材料多種多樣。濱州微納加工技術(shù)基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)，受光學(xué)衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可...

隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動(dòng)以單電子器件與自旋電子器件為代標(biāo)的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長(zhǎng)方向(直方向)的外延層精度控制到單個(gè)原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實(shí)現(xiàn)了納...

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時(shí)就減小到2nm。電子束的掃描步長(zhǎng)由束斑直徑所限制。步長(zhǎng)過大，不能實(shí)現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長(zhǎng)過小，電子束掃描區(qū)域會(huì)受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強(qiáng)度和駐留時(shí)間所決定。電子束流劑量過小，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會(huì)受到過多的電子散射作用。由于高能量的電子波長(zhǎng)要比光波長(zhǎng)短成百上千倍，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會(huì)使圖形邊緣內(nèi)側(cè)的電子能量和劑量降低，產(chǎn)生內(nèi)鄰近效應(yīng);同時(shí)散射的電子會(huì)使圖形邊緣外側(cè)的抗蝕劑感光，產(chǎn)生外鄰近效...

微納加工MEMS器件設(shè)計(jì)：根據(jù)客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術(shù)路線，并出具示意圖。版圖設(shè)計(jì)：在器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，將客戶需求細(xì)化，并轉(zhuǎn)化成版圖設(shè)計(jì)。工藝設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)具體的工藝路線和實(shí)現(xiàn)路徑，生產(chǎn)工藝流程圖等技術(shù)要求。工藝流片：根據(jù)工藝設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，小批量試樣驗(yàn)證。批量生產(chǎn)：在工藝流片的基礎(chǔ)上，進(jìn)行批量驗(yàn)證生產(chǎn)。MEMS微型傳感器及微機(jī)械結(jié)構(gòu)圖：微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護(hù)層材料；第二步：光刻定義保護(hù)圖形；第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護(hù)層材料。機(jī)械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)。孝感微納加工技術(shù)微納制造技術(shù)不只是加工方法米），到納米級(jí)（千分之一微米）...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個(gè)單晶的襯底上，定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電...

微流控芯片是在普通毛細(xì)管電泳的基本原理和技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質(zhì)材料上加工出各種微細(xì)結(jié)構(gòu)，如管道、反應(yīng)池、電極之類的功能單元，完成生物和化學(xué)等領(lǐng)域中所涉及的樣品制備、生化反應(yīng)、處理（混合、過濾、稀釋）、分離檢測(cè)等一系列任務(wù)，具有快速、高效、低耗、分析過程自動(dòng)化和應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)的微型分析實(shí)驗(yàn)裝置。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實(shí)驗(yàn)室（labonachip）的發(fā)展重點(diǎn)和前沿領(lǐng)域。為常見的聚合物微流控芯片形式。近年來，由于生化分析的復(fù)雜性和多樣性需求，微流控芯片技術(shù)的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化，在...

ICP（感應(yīng)耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，...

皮秒激光精密微孔加工應(yīng)用作為一種激光精密加工技術(shù)，皮秒激光在對(duì)高硬度金屬微孔加工方面的應(yīng)用早在20世紀(jì)90年代初就有報(bào)道。1996年德國(guó)學(xué)者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機(jī)理，并在真空靶室中對(duì)厚度100μm的不銹鋼進(jìn)行了打孔實(shí)驗(yàn)，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實(shí)驗(yàn)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。1998年Jandeleit等對(duì)厚度為250nm的銅膜進(jìn)行了精密制孔實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出使用同一脈寬的皮秒激光器對(duì)厚度較薄的金屬材料制孔時(shí)，采用高峰值功率更有可能獲得高質(zhì)量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個(gè)至關(guān)重要的因素...

微納制造技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)統(tǒng)和其他綜合系統(tǒng)；納米生物學(xué)等。另一方面，微納技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域也得到了比較大拓展。到目前為止。微納技術(shù)已經(jīng)被普遍應(yīng)用于****和民用產(chǎn)品。較主要的應(yīng)用如納米級(jí)機(jī)械加工、電子束和離子束加微納技術(shù)一般指微米、納米級(jí)Ａ技術(shù)、掃描隧道顯微加工技術(shù)等。100nm）的材料、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)量、控我國(guó)微納制造技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀制和產(chǎn)品的研究、加工、制造以及應(yīng)用技由于受到基礎(chǔ)裝備、工藝技術(shù)、科研術(shù)。在基礎(chǔ)科研以及制造行業(yè)中，微納制經(jīng)費(fèi)、行業(yè)基礎(chǔ)等多方面因素的影響。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)多學(xué)科交叉。黃山微納...

無論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開發(fā)新一代的模塊化、知識(shí)密集的、可升級(jí)的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來的微納技術(shù)研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺(tái)的發(fā)展前景。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺(tái)的發(fā)展前景包括以下幾個(gè)方面：（1）微納制造系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、建模和仿真；（2）智能的、可升級(jí)的和適應(yīng)性強(qiáng)的微納制造系統(tǒng)（工藝、設(shè)備和工具集成）；（3）新型靈活的、模塊化的和網(wǎng)絡(luò)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，以構(gòu)筑基于制造的知識(shí)。微納加工設(shè)備主要有：光刻、刻蝕、成膜、離子注入、晶圓鍵合等。衢州微納加工工藝微納加工中，材料濕法腐蝕是一個(gè)常用的工藝方法。材料的濕法化學(xué)刻蝕，包括刻蝕劑到達(dá)...

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。巴中鍍膜微納加工高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像...

聚合物微納系統(tǒng)是較具應(yīng)用前景的微納機(jī)電系統(tǒng)之一，按照微納制品的空間結(jié)構(gòu)形式可以分為一維、二維和三維微納制造。一維微納制造：微流控芯片、導(dǎo)光板、納米薄膜、微納過濾材料、微納復(fù)合材料及器件等；二維微納制造：納米纖維、納米中空纖維等；三維微納制造：微泵、微換熱器、微型減速器、微型按插件等。聚合物是許多微納米系統(tǒng)的基礎(chǔ)材料，聚合物微納系統(tǒng)是較有希望在近期實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用的系統(tǒng)之一，聚合物微納尺度制造科學(xué)與技術(shù)在微納制造技術(shù)中占有極其重要的地位。聚合物微加工工藝除了LIGA加工、準(zhǔn)LIGA加工、小機(jī)械加工、超聲波加工、等離子體加工、激光加工、離子束加工、電子束加工和快速成形等工藝外，還包括微注塑成型、微擠出...

在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線通過一個(gè)具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會(huì)對(duì)沒有光刻膠保護(hù)的硅片部分進(jìn)行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時(shí)光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個(gè)物理過程，便產(chǎn)生集成電路。微納加工平臺(tái)，主要是兩個(gè)方面：微納加工、微納檢測(cè)。嘉興微納加工工藝流程微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級(jí)的零件，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集...

微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技...

皮秒激光精密微孔加工應(yīng)用作為一種激光精密加工技術(shù)，皮秒激光在對(duì)高硬度金屬微孔加工方面的應(yīng)用早在20世紀(jì)90年代初就有報(bào)道。1996年德國(guó)學(xué)者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機(jī)理，并在真空靶室中對(duì)厚度100μm的不銹鋼進(jìn)行了打孔實(shí)驗(yàn)，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實(shí)驗(yàn)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。1998年Jandeleit等對(duì)厚度為250nm的銅膜進(jìn)行了精密制孔實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出使用同一脈寬的皮秒激光器對(duì)厚度較薄的金屬材料制孔時(shí)，采用高峰值功率更有可能獲得高質(zhì)量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個(gè)至關(guān)重要的因素...

微納加工中，材料濕法腐蝕是一個(gè)常用的工藝方法。材料的濕法化學(xué)刻蝕，包括刻蝕劑到達(dá)材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應(yīng)。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當(dāng)緩慢并受速率控制的情況下進(jìn)行的，這是因?yàn)楦采w在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動(dòng)，因?yàn)閿噭?dòng)增強(qiáng)了外擴(kuò)散效應(yīng)。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的性質(zhì)。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生平滑的...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護(hù)層材料；第二步：光刻定義保護(hù)圖形；第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護(hù)層材料。微納加工平臺(tái)主要提供微納加工技術(shù)工藝。自貢超快微納加工微流控芯片是在普通毛細(xì)管電泳的基本原理和技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)在硅、石英、玻璃或...

微納制造技術(shù)屬國(guó)際前沿技術(shù)，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎(chǔ)和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，其研發(fā)和應(yīng)用標(biāo)志著人類可以在微、納米尺度認(rèn)識(shí)和改造世界。以聚合物為基礎(chǔ)材料的微納系統(tǒng)在整個(gè)微納系統(tǒng)中占有極其重要地位，是較具產(chǎn)業(yè)化開發(fā)前景的微納系統(tǒng)之一，聚合物微納制造技術(shù)也已經(jīng)開始得到應(yīng)用并具有極大的發(fā)展空間。集中介紹了多種典型聚合物微納器件及系統(tǒng)，并對(duì)微注塑成型、微擠出成型和微納壓印成型等聚合物微納制造技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)的闡述，比較了各種聚合物微納制造技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)和使用條件。末尾，結(jié)合國(guó)內(nèi)外研究人員的研究成果，對(duì)聚合物微納制造技術(shù)的未來發(fā)展做出展望。微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測(cè)...

研究應(yīng)著眼于開發(fā)一種新型的可配置、可升級(jí)的微納制造平臺(tái)和系統(tǒng)，以降低大批量或是小規(guī)模定制產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。新一代微納制造系統(tǒng)應(yīng)滿足下述要求：（1）能生產(chǎn)多種多樣高度復(fù)雜的微納產(chǎn)品；（2）具有微納特性的組件的小型化連續(xù)生產(chǎn)；（3）為了掌握基于整個(gè)生產(chǎn)加工鏈制造的知識(shí)，新設(shè)計(jì)和仿真系統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)過程的全部跨學(xué)科知識(shí)進(jìn)行條理化和儲(chǔ)存；（4）為了保證生產(chǎn)的靈活性和適應(yīng)性，應(yīng)確保在分布式制造中各企業(yè)的有效合作，以支撐通過新型商業(yè)生產(chǎn)、管理和物流方法來實(shí)現(xiàn)的中小型企業(yè)在綜合制造網(wǎng)絡(luò)中的有效整合；（5）是一個(gè)擁有更高級(jí)的智能和可靠性、可根據(jù)相應(yīng)環(huán)境自行調(diào)整設(shè)置及生產(chǎn)加工參數(shù)的、可嵌入整個(gè)生產(chǎn)制造行業(yè)的制造系統(tǒng)...

“納米制造”路線圖強(qiáng)調(diào)了未來納米表面制造的發(fā)展。問卷調(diào)查探尋了納米表面制備所面臨的機(jī)遇。調(diào)查中提出的問題旨在獲取納米表面特征的相關(guān)信息：這種納米表面結(jié)構(gòu)可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域，也可以是具有相位調(diào)制或一定晶粒尺寸的涂層。這類結(jié)構(gòu)構(gòu)建于眾多固體材料表面，如金屬、陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體和聚合物等?？偨Y(jié)了調(diào)查結(jié)果與發(fā)現(xiàn)，并闡明了未來納米表面制造的前景。納米表面可產(chǎn)生自材料的消解、沉積、改性或形成過程。這導(dǎo)致制備出的納米表面帶有納米尺度所特有的新的化學(xué)、物理和生物特性（比如催化作用、磁性質(zhì)、電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)或抗細(xì)菌性）。在納米科學(xué)許多已有的和新興的子領(lǐng)域中，表面工程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了從基礎(chǔ)科學(xué)向現(xiàn)實(shí)應(yīng)用...

ICP（感應(yīng)耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，...

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級(jí)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣、多學(xué)科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列**技術(shù)，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點(diǎn)，微納加工技術(shù)對(duì)現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出，成為MEMS器件加工...

微納制造技術(shù)一般是指微米、納米級(jí)的材料、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)量控制和產(chǎn)品的研發(fā)、加工、制造以及應(yīng)用技術(shù)。微納制造技術(shù)是繼IT、生物技術(shù)之后，21世紀(jì)較具發(fā)展?jié)摿Φ难芯款I(lǐng)域和新興產(chǎn)業(yè)之一。微納制造技術(shù)較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進(jìn)步和制造業(yè)的快速發(fā)展，人們對(duì)加工精度的要求越來越高，傳統(tǒng)加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領(lǐng)域的應(yīng)用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術(shù)的研發(fā)上。從較初的毫米級(jí)（10-3m）到微米級(jí)（10-6m）和納米級(jí)（10-9m），人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進(jìn)，“微納制造技術(shù)”的概念也應(yīng)運(yùn)而生。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：微型化。甘肅微納加工服務(wù)...

高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動(dòng)書寫圖案進(jìn)行曝光，具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)*適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺(tái)階微光學(xué)元件等。據(jù)悉，某公司新上市的手機(jī)產(chǎn)品中人臉識(shí)別模塊就采用了多臺(tái)階微光學(xué)元件，以及當(dāng)下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達(dá)光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進(jìn)行制作。直寫技術(shù)，通過在光束移動(dòng)過程中進(jìn)行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)良好的...

Mems加工工藝和微納加工大體上都是一樣的，只是表述不一樣而已，MEMS即是微機(jī)械電子系統(tǒng)，大多時(shí)候等同于微納系統(tǒng)是根據(jù)產(chǎn)品需要，在各類襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍(lán)寶石襯底等等）制作微米級(jí)微型結(jié)構(gòu)的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動(dòng)結(jié)構(gòu)（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結(jié)構(gòu)等等）以及各種功能材料，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號(hào)（電壓，電阻，電流等等）的差異，以實(shí)現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。深圳MEMS微納加工代工通過光刻...

平臺(tái)目前已配備各類微納加工和表征測(cè)試設(shè)備50余臺(tái)套，擁有一條相對(duì)完整的微納加工工藝線，可制成2-6英寸樣品，涵蓋了圖形發(fā)生、薄膜制備、材料刻蝕、表征測(cè)試等常見的工藝段，可以進(jìn)行常見微納米結(jié)構(gòu)和器件的加工，極限線寬達(dá)到600納米，材料種類包括硅基、化合物半導(dǎo)體等多種類型材料，可以有力支撐多學(xué)科領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件加工以及微納米結(jié)構(gòu)的表征測(cè)試需求。微納加工平臺(tái)支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域、交叉學(xué)科，開展前沿信息科學(xué)研究和技術(shù)開發(fā)。作為開放共享服務(wù)平臺(tái)，支撐的研究領(lǐng)域包括新型器件、柔性電子器件、微流體、發(fā)光芯片、化合物半導(dǎo)體、微機(jī)電器件與系統(tǒng)（MEMS）等。以高效、創(chuàng)新、穩(wěn)定、合作共贏的合作理念，歡迎...

獲得或保持率先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的優(yōu)勢(shì)將維持強(qiáng)勁的經(jīng)濟(jì)、提供動(dòng)力以滿足社會(huì)需求，而微納制造技術(shù)能力正在成為這其中的關(guān)鍵使能因素。微納制造技術(shù)可以幫助企業(yè)、產(chǎn)業(yè)形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。得益于私營(yíng)部門和公共部門之間的合作，它們的快速發(fā)展提升了許多不同應(yīng)用領(lǐng)域的歐洲公司的市場(chǎng)份額，促進(jìn)了協(xié)作研究。需要強(qiáng)調(diào)的，產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的合作在增加公司的市場(chǎng)實(shí)力上發(fā)揮了重要作用；這種合作使得那些阻礙創(chuàng)新、新技術(shù)與高水平的教育需求等進(jìn)展的問題的解決變得更為容易。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。云南半導(dǎo)體微納加工服務(wù)微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定...

微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級(jí)的零件，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集成與應(yīng)用技術(shù)。傳統(tǒng)“宏”機(jī)械制造技術(shù)已不能滿足這些“微”機(jī)械和“微”系統(tǒng)的高精度制造和裝配加工要求，必須研究和應(yīng)用微納制造的技術(shù)與方法。微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應(yīng)的功能，隨著科技的發(fā)展，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會(huì)得到更多的應(yīng)用。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術(shù)的限制。因此，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)方面進(jìn)行普遍深入的研...

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級(jí)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)。微納加工按技術(shù)分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術(shù)中較關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實(shí)現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。微納加工包括光刻、磁控...