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光刻是微納加工技術中關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。在我國，微納制造技術同樣是重點發(fā)展...

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時就減小到2nm。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制。步長過大，不能實現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長過小，電子束掃描區(qū)域會受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定。電子束流劑量過小，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會使圖形邊緣內側的電子能量和劑量降低，產(chǎn)生內鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側的抗蝕劑感光，產(chǎn)生外鄰近效...

飛秒激光微納加工類型飛秒激光微納加工的類型可以分為激光燒蝕微加工以及雙光子聚合加工。激光燒蝕微加工利用其本身獨特的性質使材料瞬間蒸發(fā)，而不經(jīng)歷熔化過程，具有優(yōu)良的加工特性。雙光子聚合加工三維微納結構時利用飛秒激光聚焦點上發(fā)生的雙光子吸收效應，獲得比衍射極限還要小的光響應，可以在多種材料上進行微納米尺度的加工。對波長特定的激光來說，材料可分為吸收材料和透明材料。飛秒激光對于這些材料的作用機理都不相同。由于自由電子大量存在的緣故，金屬具有良好的導熱性和導電性。透明材料原本不會吸收這一波段，但是由于飛秒激光可以產(chǎn)生極高的光強，它使材料實現(xiàn)對激光的非線性吸收。微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主...

微納制造可以應用在什么哪些領域？微納制造作為國家新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大關鍵技術之一，對國家裝備實力和國民經(jīng)濟技術的發(fā)展起到重要作用。微納制造技術的進步，推動著三大前沿科技的發(fā)展：生物技術、信息技術、納米技術。由于微納制造技術產(chǎn)品有體積小、集成度高、重量輕、智能化程度高等諸多優(yōu)點，在信息科學、生物醫(yī)療、航空航天等領域廣的應用。微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與...

2012年北京工業(yè)大學Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究，并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實驗指出大口徑微孔加工應采用旋切制孔方式，而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式。皮秒激光精密微孔加工過程中，對于厚度較小的材料(d<1μm)，由于激光與材料作用的時間較短，以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜，而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外，選擇合適的制孔方式是必要的。此外，根據(jù)材料...

微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件?；诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用...

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PEC...

作為前沿加工技術，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現(xiàn)對各種材料的高質量、高精度微納米加工和三維微納結構制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結構。其中，飛秒激光直寫通常用于復雜、不規(guī)則的微納結構加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術、空間光調制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結構。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點，可以...

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域提供技術咨詢、器件設計、版圖設計、光刻、刻蝕、鍍膜等技術服務。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。盤錦微納加工廠家 廣東省科學院半導體研究所致力于推動微納...

作為前沿加工技術，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現(xiàn)對各種材料的高質量、高精度微納米加工和三維微納結構制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結構。其中，飛秒激光直寫通常用于復雜、不規(guī)則的微納結構加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術、空間光調制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結構。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點，可以...

當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料...

MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導，通過半導體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律），MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結構或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術構建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點，已廣泛應用于汽車、手機、工業(yè)、醫(yī)療、**、航空航天等領域。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前...

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域提供技術咨詢、器件設計、版圖設計、光刻、刻蝕、鍍膜等技術服務。微納檢測主要是表征檢測：原子力顯微鏡、掃描電鏡、掃聲波掃描顯微鏡、白光干涉儀、臺階儀等。宜昌微納加工中心 微納加工中蒸鍍的...

激光微納加工技術的實現(xiàn)方式：接觸式并行激光加工技術是指利用微球體顆粒進行激光圖案化。微球激光納米加工的機理。微球激光納米加工技術初源于對激光清潔領域的研究。研究發(fā)現(xiàn)，基底上的微小球形顆粒在脈沖激光照射后，基底上球形顆粒的中心位置能夠產(chǎn)生亞波長尺寸的微/納孔。對于金屬顆粒而言，這是由于顆粒與基底之間的LSPR產(chǎn)生的強電磁場增強造成的；對于介質顆粒而言，由于其大半部分是透明的，可以將透明顆?？闯蔀槲⑶蛲哥R，入射光在微球形透鏡的底面實現(xiàn)聚焦而引起的電磁場增強。這一過程可以實現(xiàn)入射光強度的60倍增強。通過對微球的直徑，折射率，環(huán)境以及入射的激光強度進行設計，可以實現(xiàn)在基底上燒蝕出亞波長尺寸...

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節(jié)，可以實現(xiàn)良好的灰...

激光微納加工技術的實現(xiàn)方式：接觸式并行激光加工技術是指利用微球體顆粒進行激光圖案化。微球激光納米加工的機理。微球激光納米加工技術初源于對激光清潔領域的研究。研究發(fā)現(xiàn)，基底上的微小球形顆粒在脈沖激光照射后，基底上球形顆粒的中心位置能夠產(chǎn)生亞波長尺寸的微/納孔。對于金屬顆粒而言，這是由于顆粒與基底之間的LSPR產(chǎn)生的強電磁場增強造成的；對于介質顆粒而言，由于其大半部分是透明的，可以將透明顆?？闯蔀槲⑶蛲哥R，入射光在微球形透鏡的底面實現(xiàn)聚焦而引起的電磁場增強。這一過程可以實現(xiàn)入射光強度的60倍增強。通過對微球的直徑，折射率，環(huán)境以及入射的激光強度進行設計，可以實現(xiàn)在基底上燒蝕出亞波長尺寸...

微納加工技術具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點，能突顯一個國家工業(yè)發(fā)展水平，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，是國內少數(shù)擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一，可進行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺將面向國內外科研機構和企業(yè)提供全方面的開放服務，對半導體材料與器件的深入研發(fā)給予全方面支持，能夠為廣大科研單位和企業(yè)提供高質量檔次服務。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求，且在微納加工技術中被大量使用。云南MEMS微納加工外協(xié)電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片...

作為前沿加工技術，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現(xiàn)對各種材料的高質量、高精度微納米加工和三維微納結構制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結構。其中，飛秒激光直寫通常用于復雜、不規(guī)則的微納結構加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術、空間光調制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結構。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點，可以...

濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結構，膜料物質做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內。為減少污染，先將鐘罩內的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。...

在過去的50多年中，微納加工技術的進步極大地促進了微電子技術和光電子技術的發(fā)展。微電子技術的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為，集成度以每18個月翻一番的速度提高，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎的平面為加工技術已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術，隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學的發(fā)展.光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。遼寧真空鍍膜微納加工價錢微納制造技術屬國際前沿技術，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎和可持續(xù)發(fā)展的關鍵，其研發(fā)和應用標志著人類可以...

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列技術，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，對現(xiàn)活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實...

光刻是微納加工技術中關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造技術是指尺度為毫米、微米和...

2012年北京工業(yè)大學Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究，并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實驗指出大口徑微孔加工應采用旋切制孔方式，而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式。皮秒激光精密微孔加工過程中，對于厚度較小的材料(d<1μm)，由于激光與材料作用的時間較短，以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜，而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外，選擇合適的制孔方式是必要的。此外，根據(jù)材料...

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。深圳半導體微納加工價錢微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結構都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結構相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。不同的表面微納結構可以呈現(xiàn)出...

濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結構，膜料物質做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內。為減少污染，先將鐘罩內的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。...

微納制造技術的發(fā)展，同樣涉及到科研體系問題。嚴格意義上來說，科研分為三個領域，一個是基礎研究領域，一個是工程化應用領域，一個是市場推廣領域。在發(fā)達國家的科研機制中。幾乎所有的基礎研究領域都是由國家或機構直接或間接支持的。這種基礎研究較看重的是對于國家、民生或**的長遠意義．而不是短期內的投入與產(chǎn)出。因而致力于基礎研究的機構或者人員。根本不用考慮研究的所謂“市場化”問題。而只是進行基礎、理論的研究。另一方面。工程化應用領域由專門的機構或職能部門負責，這些部門從應用領域、生產(chǎn)領域、制造領域抽調專家、學者及相關專業(yè)人員，對基礎研究的市場應用前景進行分析，并提出可行性建議，末尾由市場或企業(yè)來進行工程化...

仿生學是近年來發(fā)展起來的一門工程技術與生物科學相結合的交叉學科。仿生學研究生物體的結構、功能和工作原理，并將這些原理移植于工程技術之中，試圖在技術上模仿植物和動物在自然中的功能，發(fā)明性能優(yōu)越的儀器、裝置和機器，創(chuàng)造新技術。就聚合物仿生功能材料而言，在聚合物材料表面加工出不同形式的微納結構就會賦予材料不同的性能。超疏水表面是指水滴在表面的接觸角大于150°，同時滾動角小于10°的一種特殊表面。在過去的20年里，超疏水表面誘人的潛在應用價值已經(jīng)引起了科學家們極大的興趣。自然界中，荷葉表面是超疏水的典型象征，其表面的接觸角高達160°。展示了荷葉的超疏水效果及其表面微觀結構。荷葉表面的這種超疏水特性...

隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發(fā)展.當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納...

目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA。這項技術由于可加工尺寸小、精度高，適合加工半導體材料，因而在半導體產(chǎn)業(yè)中得到普遍的應用，其較基礎的中心技術是光刻，即曝光和刻蝕工藝。隨著LIGA技術的發(fā)展，人們開發(fā)出了比較多種不同的曝光、刻蝕工藝，以滿足不同精度尺寸、生產(chǎn)效率等的需求。LIGA技術經(jīng)過多年的發(fā)展，工藝已經(jīng)相當成熟，但是這項技術的基本原理決定了它必然會存在的一些缺陷，比如工藝過程復雜、制備環(huán)境要求高（比如需要凈化間等）、設備投入大、生產(chǎn)成本高等。微納檢測主要是表征檢測：原子力顯微鏡、掃描電鏡、掃描顯微鏡、XRD、臺階儀等。武漢微納加工價目獲得或保持率先競爭對手的優(yōu)勢將維持強勁的...