在步驟33050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測(cè)到的斷電時(shí)間與預(yù)設(shè)時(shí)間τ2進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的斷電時(shí)間短于預(yù)設(shè)時(shí)間τ2，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。在步驟33070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟33010-33060?；蛘?，可能不需要在每個(gè)周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過(guò)經(jīng)驗(yàn)確定。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開(kāi)始，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34020中，設(shè)置超聲波或兆聲波裝置的頻率為f1，功率為p1以驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置。在步驟34030中，檢測(cè)聲波電源輸出的振幅并將其與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的振幅高于預(yù)設(shè)值，則關(guān)閉電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。在步驟34040中，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前，設(shè)置電源輸出為零。在步驟34050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟34060中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟34010-34050。半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域分析。江蘇半導(dǎo)體晶圓多大

    圖案結(jié)構(gòu)4034包括需要清潔的多個(gè)特征，包括但不限于鰭、通孔、槽等。氣泡4044變成微噴射，它可以非常猛烈，達(dá)到幾千大氣壓以及幾千攝氏度。參考圖4b所示，一旦微噴射發(fā)生，圖案結(jié)構(gòu)4034的一部分被損傷。對(duì)于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圓，這種損傷更為嚴(yán)重。圖5a至圖5c揭示了在晶圓清洗過(guò)程中氣泡5016內(nèi)的熱能變化。當(dāng)聲波正壓作用在氣泡5016上時(shí)，氣泡5016如圖5a中所示體積減小。在體積減小的過(guò)程中，聲波壓強(qiáng)pm對(duì)氣泡5016做功，機(jī)械功轉(zhuǎn)化為氣泡5016內(nèi)的熱能。因此，氣泡5016內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度t如圖5b所示那樣增加。各參數(shù)間的關(guān)系可用如下公式表示：p0v0/t0＝pv/t(1)其中，p0是壓縮前氣泡內(nèi)部的壓強(qiáng)，v0是壓縮前氣泡的初始體積，t0是壓縮前氣泡內(nèi)部的氣體溫度，p是受壓時(shí)氣泡內(nèi)部的壓強(qiáng)，v是受壓時(shí)氣泡的體積，t是受壓時(shí)氣泡內(nèi)部的氣體溫度。為了簡(jiǎn)化計(jì)算，假設(shè)壓縮或壓縮非常慢時(shí)氣體的溫度沒(méi)有變化，由于液體包圍了氣泡而導(dǎo)致的溫度的增加可以忽略。因此，一次氣泡壓縮過(guò)程中(從體積n單位量至體積1單位量或壓縮比為n)，聲壓pm所做的機(jī)械功wm可以表達(dá)如下：wm＝∫0x0-1psdx＝∫0x0-1(s(x0p0)/(x0-x))dx＝sx0p0∫0x0-1dx/(x0-x)＝-sx0p0ln。半導(dǎo)體晶圓銷(xiāo)售廠(chǎng)家國(guó)外半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品品質(zhì)怎么樣？

    圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的可以執(zhí)行圖7至圖22揭示的晶圓清洗工藝的晶圓清洗裝置。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的可以執(zhí)行圖7至圖22所揭示的晶圓清洗工藝的另一晶圓清洗裝置的剖視圖。圖25揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于監(jiān)測(cè)采用聲能清洗晶圓的工藝參數(shù)的控制系統(tǒng)。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖25所示的檢測(cè)電路的框圖。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的如圖25所示的檢測(cè)電路的框圖。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖26所示的電壓衰減電路。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖26所示的整形電路。圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖26及圖27所示的主控制器。圖31揭示了主機(jī)關(guān)閉聲波電源后聲波電源繼續(xù)振蕩幾個(gè)周期。圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖27所示的振幅檢測(cè)電路。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝的流程圖。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝的流程圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的一個(gè)方面涉及使用聲能進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓清洗時(shí)控制氣泡氣穴振蕩。下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。參考圖1a至圖1b。

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來(lái)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來(lái)說(shuō)，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強(qiáng)該一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)。請(qǐng)參考圖12所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線(xiàn)剖面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過(guò)圖12理解到，本申請(qǐng)并不限定該樹(shù)酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。怎么選擇質(zhì)量好的半導(dǎo)體晶圓？

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過(guò)程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時(shí)，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋(píng)果形g。**終氣泡3012到達(dá)內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達(dá)到上千個(gè)大氣壓和上千攝氏度)，會(huì)損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過(guò)程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044。天津12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。上海半導(dǎo)體晶圓誠(chéng)信推薦

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)家哪家好？江蘇半導(dǎo)體晶圓多大

    請(qǐng)參考圖10a所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。和圖9所示的實(shí)施例不同之處，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹(shù)酯層1040。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹(shù)酯層1040來(lái)替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請(qǐng)參考圖10b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。圖10b所示的實(shí)施例是圖10a所示實(shí)施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比，圖10b所示實(shí)施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實(shí)施例的其余特征均與圖10a所示實(shí)施例相同。請(qǐng)參考圖11a所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線(xiàn)剖面，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線(xiàn)剖面，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線(xiàn)剖面。為了方便說(shuō)明起見(jiàn)。江蘇半導(dǎo)體晶圓多大

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