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來源: 發(fā)布時間:2022-08-15

    位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個前后對稱的卡扣61,所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66,通過所述卡扣61,可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48,通過所述玻璃窗66可便于觀測切割情況。初始狀態(tài)時,滑塊47與送料腔68右壁抵接,切割片50處于上側(cè),兩個海綿52抵接切割片50,接收箱28位于切割腔27下側(cè),并接收腔29內(nèi)存有清水,橫條33位于**下側(cè),第二齒牙34與***齒牙38不接觸,第二齒牙34與限制塊39不接觸,限制塊39插入限制腔42內(nèi)。當使用時,通過***電機63的運轉(zhuǎn),可使蝸桿65帶動旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動,通過旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn),可使***連桿32帶動三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動,從而可使連接臺35帶動橫條33繞圓弧方向左右晃動,當橫條33沿圓弧方向向上移動時,第二齒牙34可與***齒牙38嚙合,進而可帶動上滑塊47向左移動,則可使夾塊49向左移動,當橫條33帶動第二齒牙34向上移動時,第二齒牙34可抵接限制塊39,并使限制塊39向上移動,進而可使限制塊39離開限制腔42,則可使滑塊47能夠正常向左移動,當滑塊47需要向右移動時,手動向上拉動手握球46,使限制塊39向上移動,并手動向右拉動手拉塊40,則橫板41可帶動滑塊47向右移動,通過第二電機16的運轉(zhuǎn),可使切割軸51帶動切割片50轉(zhuǎn)動。浙江12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。棗莊半導(dǎo)體晶圓銷售電話

    揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖1a揭示了晶圓清洗裝置的剖視圖。該裝置包括用于保持晶圓1010的晶圓卡盤1014,用于驅(qū)動晶圓卡盤1014的轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置1016,用于輸送清洗液1032至晶圓1010表面的噴頭1012。清洗液1032可以是化學(xué)試劑或去離子水。晶圓清洗裝置還包括位于晶圓1010上方的超聲波或兆聲波裝置1003,因此,隨著晶圓1010的旋轉(zhuǎn)以及從噴頭1012內(nèi)噴出的恒定流量的清洗液1032,在晶圓1010和聲波裝置1003之間保持具有厚度d的清洗液1032液膜。聲波裝置1003進一步包括壓電式傳感器1004及與其配對的聲學(xué)共振器1008。壓電式傳感器1004通電后振動,聲學(xué)共振器1008會將高頻聲能量傳遞到清洗液1032中。由高頻聲能引起氣穴振蕩使得晶圓1010表面上的雜質(zhì)顆粒,也就是污染物等松動,以此去除晶圓1010表面上的污染物。再次參考圖1a所示,晶圓清洗裝置還包括與聲波裝置1003相連接的臂1007以在豎直方向z上移動聲波裝置1003,從而改變液膜厚度d。豎直驅(qū)動裝置1006驅(qū)動臂1007的豎直移動。豎直驅(qū)動裝置1006和轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置1016都由控制器1088控制。參考圖1b所示,揭示了圖1a所示的晶圓清洗裝置的頂視圖。聲波裝置1003*覆蓋晶圓1010的一小部分區(qū)域。大連半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??

    ticuni)、鈦合金、釩鎳合金、銀合金、鎳合金、銅合金、純鈷,也可以包含鋁、鈦、鎳、銀、鎳、銅各種金屬的合金。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,可以根據(jù)該芯片所實作的制作工藝不同,成本不同,以及其所要應(yīng)用的環(huán)境與規(guī)格不同,調(diào)整上述金屬層310的成分與厚薄。在一實施例中,該第三表面313與第四表面314的厚度,介于25-50um之間。在另一實施例當中,兩者介于6-30um之間。如圖3所示,該第三表面313與第四表面314的**大距離,出現(xiàn)在芯片的中間處,也就是半導(dǎo)體組件層130的元器件投影在該***表面321的相應(yīng)之處。如此,在芯片中間的金屬層310增厚,可以降低金屬層310的電阻值,進一步減少半導(dǎo)體元器件的電流路徑的總電阻值。以便減少消耗功率,降低熱耗損,增進芯片的使用壽命。請參考圖4所示,其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)400的一剖面示意圖。圖4所示的結(jié)構(gòu)400所包含的各組件,如果符號與圖3所示的結(jié)構(gòu)300所包含的組件相同者,則可以適用圖3所示實施例的敘述。和圖3所示的結(jié)構(gòu)300相比,圖4的結(jié)構(gòu)400更加包含了一環(huán)氧樹酯(epoxyresin)層或樹酯層440。環(huán)氧樹酯又稱作人工樹酯、人造樹酯、樹酯膠,其得名于其結(jié)構(gòu)上的環(huán)氧基。

    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的,為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,其中在該蝕刻步驟進行一部份后,再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的,為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片,其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域,該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進一步的,為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作,其中該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。進一步的,為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本,其中該金屬層具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,該第三表面完全貼合于該第二表面,其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域,該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。進一步的,為了設(shè)計與制作的方便,其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積??偵纤?。咸陽12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。

    結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離,要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄,因此可以節(jié)省金屬本身的成本,也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請參考圖5b所示,其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實施例是圖5a所示實施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比,圖5b所示實施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實施例的其余特征均與圖5a所示實施例相同。請參考圖6所示,為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面600的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面600可以是圖3所示結(jié)構(gòu)300的aa線剖面,也可以是圖4所示結(jié)構(gòu)400的aa線剖面,還可以是圖5b所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。為了方便說明起見,圖6所示的實施例是圖3所示的結(jié)構(gòu)300,因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,剖面600可以適用于結(jié)構(gòu)400或500。半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)工藝流程。大連半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商

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