本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓清洗領(lǐng)域，更具體地，涉及采用可控聲能的濕法清洗方法和裝置。背景技術(shù)：半導(dǎo)體器件是在半導(dǎo)體晶圓上采用一系列的處理步驟來(lái)制造晶體管和互連元件。近來(lái)，晶體管的建立由兩維到三維，例如鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；ミB元件包括導(dǎo)電的(例如金屬)槽、通孔等形成在介質(zhì)材料中。為了形成這些晶體管和互連元件，半導(dǎo)體晶圓經(jīng)過(guò)多次掩膜、蝕刻和沉積工藝以形成半導(dǎo)體器件所需的結(jié)構(gòu)。例如，多層掩膜和等離子體刻蝕步驟可以在半導(dǎo)體晶圓上的電介質(zhì)層中形成作為鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鰭的凹進(jìn)區(qū)域和互連元件的槽和通孔。為了去除刻蝕或光刻膠灰化后在鰭結(jié)構(gòu)和/或槽和通孔內(nèi)的顆粒和污染物，必須進(jìn)行濕法清洗。然而，濕法過(guò)程中使用的化學(xué)液可能會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁損失。當(dāng)器件制造節(jié)點(diǎn)不斷接近或小于14或16nm，鰭和/或槽和通孔的側(cè)壁損失是維護(hù)臨界尺寸的關(guān)鍵。為了減少或消除側(cè)壁損失，應(yīng)當(dāng)使用溫和的或稀釋的化學(xué)液，有時(shí)甚至只使用去離子水。然而，溫和的或稀釋的化學(xué)液或去離子水通常不能有效去除鰭結(jié)構(gòu)和/或槽和通孔內(nèi)的微粒，因此，需要使用機(jī)械力來(lái)有效去除這些微粒，例如超聲波/兆聲波。超聲波/兆聲波會(huì)產(chǎn)生氣穴振蕩來(lái)為晶圓結(jié)構(gòu)的清洗提供機(jī)械力。然而。中硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓。成都半導(dǎo)體晶圓價(jià)錢

    對(duì)比臺(tái)積電（50%）和中芯國(guó)際（25%）的毛利率發(fā)現(xiàn)前者是后者的兩倍之多。因此，大陸半導(dǎo)體制造業(yè)，在經(jīng)歷開(kāi)荒式的野蠻增長(zhǎng)后，未來(lái)需要精耕細(xì)作，通過(guò)良率的提升來(lái)增加國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)積電和中芯國(guó)際毛利率對(duì)比圖但是同樣是先進(jìn)制程，臺(tái)積電和中芯國(guó)際良率差別如此之大，究竟是為什么呢？檢測(cè)設(shè)備能在其中發(fā)揮什么作用呢？在晶圓的整個(gè)制造過(guò)程中，光刻步驟越多造成的缺陷就越多，這是產(chǎn)生不良率的主要來(lái)源。因此即使是使用相同的阿斯麥的EUV光刻機(jī)，不同晶圓廠制造良率也會(huì)存在差別。光刻機(jī)對(duì)晶圓圖形化的過(guò)程中，如果圖片定位不準(zhǔn)，則會(huì)讓整個(gè)電路失效。因此，制造過(guò)程的檢測(cè)至關(guān)重要。晶圓檢測(cè)設(shè)備主要分為無(wú)圖案缺陷檢測(cè)設(shè)備和有圖案缺陷檢測(cè)設(shè)備兩種無(wú)圖案檢測(cè)主要用于對(duì)空白裸硅片的清潔度進(jìn)行檢查，由于晶圓還未雕刻圖案，因此無(wú)需圖像比較即可直接檢測(cè)缺陷，檢測(cè)難度相對(duì)較小。有圖案檢測(cè)主要用于光刻步驟中，晶圓表面不規(guī)則性等缺陷，通過(guò)相鄰芯片圖案的差異來(lái)檢測(cè)。當(dāng)設(shè)備檢測(cè)到缺陷時(shí)，需要自己判斷哪些是“致命”的缺陷，以保證整條產(chǎn)線的生產(chǎn)效率。因此難度較大。一個(gè)公司的數(shù)據(jù)缺陷庫(kù)，其用戶越多，提交的故障數(shù)據(jù)就越多，其解決方案就越強(qiáng)大。廣東半導(dǎo)體晶圓模具半導(dǎo)體晶圓推薦貨源.?

    當(dāng)該金屬層1010a與該樹(shù)酯層1040a都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該該金屬層1010a用于包圍該樹(shù)酯層1040a的四個(gè)邊框的厚度。當(dāng)該金屬層1010b與該樹(shù)酯層1040b都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該該金屬層1010b用于包圍該樹(shù)酯層1040b的四個(gè)邊框的厚度。在一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在更一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計(jì)的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導(dǎo)體元器件，而不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值可以是不同的。因此，可以如圖12所示的實(shí)施例，在部分區(qū)域讓金屬層1010的厚度較厚，在其他區(qū)域利用較厚的樹(shù)酯層1040替換部分的金屬層1010的金屬，以便適應(yīng)不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值。在制作方面，雖然樹(shù)酯層1040的深度、形狀與位置有所變化，但由于制作樹(shù)酯層1040的工序都是一樣，所以成本只和金屬用量的多少有關(guān)而已。請(qǐng)參考圖13所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓1300的一示意圖。該晶圓1300可以是業(yè)界經(jīng)常使用的四吋、六吋、八吋、十二吋、十四吋或十六吋晶圓。

    目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1，因此，聲波能量對(duì)氣泡的加熱不那么強(qiáng)烈，功率水平p2可略高于功率水平p1，但是不能太高，以確保在時(shí)間段τ2內(nèi)，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過(guò)程中，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖15a所示。半導(dǎo)體晶圓定制價(jià)格。

    功率為p1時(shí)檢測(cè)到的通電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ1進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的通電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ1長(zhǎng)，檢測(cè)電路發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)，主機(jī)接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源；檢測(cè)電路還比較檢測(cè)到的斷電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ2，如果檢測(cè)到的斷電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ2短，檢測(cè)電路發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)，主機(jī)接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源。在一個(gè)實(shí)施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過(guò)噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置、至少一個(gè)噴頭、超聲波或兆聲波電源、主機(jī)和檢測(cè)電路?？ūP支撐半導(dǎo)體基板。超聲波或兆聲波裝置置于半導(dǎo)體基板附近。至少一個(gè)噴頭向半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學(xué)液體。主機(jī)設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1。怎么選擇質(zhì)量好的半導(dǎo)體晶圓？棗莊應(yīng)該怎么做半導(dǎo)體晶圓

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    用振幅隨著時(shí)間變化的電源的功率水平p來(lái)代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的功率水平p1。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖8a所示，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p增大。在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖8b所示，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p減小。在又一個(gè)實(shí)施例中，如圖8c所示，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先減小后增大。在如圖8d所示的實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先增大后減小。圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的頻率隨著時(shí)間變化，而這個(gè)工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣，在該實(shí)施例中，用隨著時(shí)間變化的電源的頻率來(lái)代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的頻率f1。如圖9a所示，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1后設(shè)置為f3，f1高于f3。如圖9b所示，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3后增大至f1。如圖9c所示，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f3變化至f1再變回f3。如圖9d所示，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f1變?yōu)閒3再變回f1。與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1。成都半導(dǎo)體晶圓價(jià)錢

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