該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中。在一實(shí)施例中，為了設(shè)計(jì)與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積?？偵纤觯旧暾?qǐng)?zhí)峁┝司哂袕?qiáng)度較大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)，也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進(jìn)行熱處理、加工與焊貼等工序時(shí)，因?yàn)閼?yīng)力或熱應(yīng)力而導(dǎo)致失效的機(jī)率。在此同時(shí)，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進(jìn)芯片的使用壽命。以上所述，*是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。什么才可以稱為半導(dǎo)體晶圓？北京半導(dǎo)體晶圓應(yīng)用

    τ1是氣泡內(nèi)的溫度上升到高于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔，τ2是氣泡內(nèi)的溫度下降到遠(yuǎn)低于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔。由于可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩在清洗過(guò)程中具有一定的氣泡內(nèi)爆，因此，可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成**小的損傷。臨界內(nèi)爆溫度是會(huì)導(dǎo)致***個(gè)氣泡內(nèi)爆的氣泡內(nèi)的**低溫度。為了進(jìn)一步提高pre，需要進(jìn)一步提高氣泡的溫度，因此需要更長(zhǎng)的時(shí)間τ1。通過(guò)縮短時(shí)間τ2來(lái)提高氣泡的溫度。超或兆聲波的頻率是控制內(nèi)爆強(qiáng)度的另一個(gè)參數(shù)。可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩是通過(guò)設(shè)置聲波電源在時(shí)間間隔小于τ1內(nèi)頻率為f1，設(shè)置聲波電源在時(shí)間間隔大于τ2內(nèi)頻率為f2，重復(fù)上述步驟直到晶圓被清洗干凈，其中，f2遠(yuǎn)大于f1，**好是f1的2倍或4倍。通常，頻率越高，內(nèi)爆的強(qiáng)度越低。τ1是氣泡內(nèi)的溫度上升到高于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔，τ2是氣泡內(nèi)的溫度下降到遠(yuǎn)低于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔。可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成**小的損傷。臨界內(nèi)爆溫度是會(huì)導(dǎo)致***個(gè)氣泡內(nèi)爆的氣泡內(nèi)的**低溫度。為了進(jìn)一步提高pre，需要進(jìn)一步提高氣泡的溫度。遼陽(yáng)半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品介紹半導(dǎo)體晶圓推薦貨源.?

    氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象。空化氣泡的產(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu)、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過(guò)程中，只有當(dāng)功率足夠高，例如大于5-10瓦時(shí)，才會(huì)產(chǎn)生***的顆粒去除效率(“pre”)。然而，當(dāng)功率大于約2瓦時(shí)，晶圓開(kāi)始有明顯的損傷。因此，很難找到功率窗口使得晶圓在被有效清洗時(shí)避免重大的損傷。因此，維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制聲波機(jī)械力低于損傷限度而仍然能夠有效地去除圖案結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)顆粒的關(guān)鍵。因此，提供一種系統(tǒng)和方法，用于控制在晶圓清洗過(guò)程中由超聲波或兆聲波設(shè)備產(chǎn)生的氣泡氣穴振蕩，以便能夠有效地去除細(xì)小的雜質(zhì)顆粒，而不會(huì)損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提出一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，包括在清洗過(guò)程中輸送清洗液到半導(dǎo)體晶圓表面；在該清洗過(guò)程中通過(guò)聲波換能器向清洗液傳遞聲能，以在***預(yù)定時(shí)段以***預(yù)定設(shè)置及在第二預(yù)定時(shí)段以第二預(yù)定設(shè)置交替向聲波換能器供電，其中，清洗液中的氣泡氣穴振蕩在***預(yù)定時(shí)段內(nèi)增大，在第二預(yù)定時(shí)段內(nèi)減小，***預(yù)定時(shí)段和第二預(yù)定時(shí)段連續(xù)的一個(gè)接著一個(gè)，因此。

    并且與基座110形成腔室c。在實(shí)際應(yīng)用中，殼體120接觸基座110。依據(jù)實(shí)際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發(fā)明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導(dǎo)體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠(yuǎn)離基座110設(shè)置。微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120上，并且被配置成對(duì)半導(dǎo)體晶圓200所在的腔室c發(fā)射微波w。在半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100運(yùn)行的期間，半導(dǎo)體晶圓200首先被設(shè)置于基座110上，使得半導(dǎo)體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內(nèi)。接下來(lái)，微波產(chǎn)生器130對(duì)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200發(fā)射微波w，使得先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓200表面的水(圖未示)接收到發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w。如此一來(lái)，半導(dǎo)體晶圓200表面的水被加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣s，而水蒸氣s隨后經(jīng)由殼體120的排氣口121排出腔室c。因此，半導(dǎo)體晶圓200表面的水被移除，使得半導(dǎo)體晶圓200變得干燥。運(yùn)用微波w移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓200表面上的水，使得干燥過(guò)程變得簡(jiǎn)單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓200的作業(yè)成本。此外，如圖1所示，微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120外。殼體120具有多個(gè)穿孔h1，其被配置成供微波w穿越，使得發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w得進(jìn)入腔室c。浙江12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。

    金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長(zhǎng)度611與左右軸長(zhǎng)度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時(shí)，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個(gè)邊框。該四個(gè)邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來(lái)說(shuō)，相對(duì)于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對(duì)于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過(guò)圖6理解到，本申請(qǐng)并不限定該晶圓層320外緣的形狀。換言之，本申請(qǐng)不限定該芯片的形狀。本申請(qǐng)也不限定該金屬層310的形狀。除此之外，當(dāng)該晶圓層320與該金屬層310都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個(gè)邊框的厚度。在一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度621~624可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在更一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度621~624可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計(jì)的需要。請(qǐng)參考圖7所示。咸陽(yáng)12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。四川4寸-12寸半導(dǎo)體晶圓

半導(dǎo)體行業(yè)，晶圓制造和晶圓加工。北京半導(dǎo)體晶圓應(yīng)用

    進(jìn)而可取出產(chǎn)品。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)103包括固設(shè)在所述動(dòng)力腔26底壁上的第三電機(jī)25，所述第三電機(jī)25的頂面動(dòng)力連接設(shè)有電機(jī)軸24，所述電機(jī)軸24的頂面固設(shè)有***轉(zhuǎn)盤23，所述升降腔18的上下壁之間轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有***螺桿17，所述***螺桿17貫穿所述升降塊15，并與所述升降塊15螺紋連接，所述***螺桿17向下延伸部分伸入所述動(dòng)力腔26內(nèi)，且其底面固設(shè)有第二輪盤21，所述第二輪盤21的底面與所述***轉(zhuǎn)盤23的頂面鉸接設(shè)有第三連桿22，所述第二輪盤21直徑大于所述***轉(zhuǎn)盤23的直徑，通過(guò)所述第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使所述電機(jī)軸24帶動(dòng)所述***轉(zhuǎn)盤23轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而可使所述第二輪盤21帶動(dòng)所述***螺桿17間歇性往返轉(zhuǎn)動(dòng)，則可使所述升降塊15間歇性升降，繼而可使所述切割片50能夠連續(xù)切割所述硅錠48。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)104包括滑動(dòng)設(shè)在所述移動(dòng)腔13前后壁上的移動(dòng)塊53，所述海綿52向所述移動(dòng)腔13延伸部分伸入所述移動(dòng)腔13內(nèi)，并與所述移動(dòng)塊53固定連接，所述移動(dòng)腔13的下側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14，所述冷卻水腔14內(nèi)存有冷卻水，所述海綿52向下延伸部分伸入所述冷卻水腔14內(nèi)，所述移動(dòng)塊53的頂面固設(shè)有第四連桿54，所述傳動(dòng)腔55的底壁上轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有第二螺桿57。北京半導(dǎo)體晶圓應(yīng)用

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司致力于能源，是一家貿(mào)易型的公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋晶圓，wafer，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司從事能源多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。創(chuàng)米半導(dǎo)體秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。