結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請(qǐng)參考圖5b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實(shí)施例是圖5a所示實(shí)施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比，圖5b所示實(shí)施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實(shí)施例的其余特征均與圖5a所示實(shí)施例相同。請(qǐng)參考圖6所示，為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面600的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面600可以是圖3所示結(jié)構(gòu)300的aa線剖面，也可以是圖4所示結(jié)構(gòu)400的aa線剖面，還可以是圖5b所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。為了方便說(shuō)明起見(jiàn)，圖6所示的實(shí)施例是圖3所示的結(jié)構(gòu)300，因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號(hào)。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面600可以適用于結(jié)構(gòu)400或500。開(kāi)封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?上海半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    在所述鏤空側(cè)壁22的外緣設(shè)置有至少一個(gè)連接端子23，所述連接端子23與提把1上的任一連接端口11相配合可使得平放花籃2可拆卸地固定于提把1上對(duì)應(yīng)于該連接端口的位置。如圖3、圖4所示，該治具還包括一組豎直擋板24，豎直擋板24上均勻開(kāi)設(shè)有一組通孔；所述平放花籃2的鏤空側(cè)壁22內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤(pán)21上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板24的卡槽，豎直擋板24與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃2內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。本實(shí)施例中采用由兩根一字形擋板組成的十字形豎直擋板，可將平放花籃2內(nèi)的空間等分為4個(gè)**的90度扇形空間，適用于90度扇形晶圓的清洗，**的扇形區(qū)域可以保證不同的晶圓片**放置，避免碰撞產(chǎn)生碎片；也可以用一根一字形擋板將平放花籃2內(nèi)的空間等分為2個(gè)半圓形空間，從而適用于半圓形晶圓的清洗。在進(jìn)行晶圓清洗時(shí)，可將5個(gè)不同尺寸規(guī)格的平放花籃2分別固定在提把1的5個(gè)連接端口處，并通過(guò)相應(yīng)豎直擋板將各個(gè)平放花籃分隔為半圓、90度扇形等不同形狀的**區(qū)域，這樣就可實(shí)現(xiàn)同時(shí)清洗不同尺寸圓形、扇形、半圓形等多種形狀，不同工藝工序相同工藝條件的晶圓片，提高生產(chǎn)產(chǎn)能，降低單一清洗治具的設(shè)計(jì)與定制成本。成都半導(dǎo)體晶圓鄭重承諾國(guó)內(nèi)哪家做半導(dǎo)體晶圓比較好？

    其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面700的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面700可以是圖5a所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。該樹(shù)酯層540與該金屬層510外緣之間，是該金屬層510用于包圍該樹(shù)酯層540的四個(gè)金屬邊框。該四個(gè)金屬邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來(lái)說(shuō)，相對(duì)于上下外緣的厚度711與713可以相同，相對(duì)于左右外緣的厚度712與714可以相同。但厚度711與712可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過(guò)圖7理解到，本申請(qǐng)并不限定該樹(shù)酯層540外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。當(dāng)該金屬層510與該樹(shù)酯層540都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該該金屬層510用于包圍該樹(shù)酯層540的四個(gè)邊框的厚度。在一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度711~714可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問(wèn)題。在更一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度711~714可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計(jì)的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導(dǎo)體元器件，而不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值可以是不同的。因此，可以如圖7所示的實(shí)施例，在部分區(qū)域讓金屬層510的厚度較厚。

    其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關(guān)于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實(shí)施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實(shí)施例中，這三個(gè)芯片1310~1430可以是同一種設(shè)計(jì)的芯片。換言之，這三個(gè)芯片1310~1430可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種?；蛘哒f(shuō)整個(gè)晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這三個(gè)芯片1310~1430可以是不同種設(shè)計(jì)的芯片。也就是說(shuō)，這三個(gè)芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中兩種或三種。換言之，整個(gè)晶圓1400的多個(gè)芯片包含兩種以上的基板結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)500，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)900，芯片1430可以包含基板結(jié)構(gòu)400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)300，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)800。圖14所示的芯片也可以包含圖6、7、11、12分別所示的四種剖面600、700、1100與1200。換言之，本申請(qǐng)并不限定同一個(gè)晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面。從圖13與14所示的晶圓1300與1400當(dāng)中可以得知，本申請(qǐng)并不限定同一晶圓上的芯片是否都具有同一尺寸與形狀。洛陽(yáng)怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    上述步驟7210至7240可以重復(fù)操作以此來(lái)縮小內(nèi)爆時(shí)間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時(shí)間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設(shè)置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實(shí)驗(yàn)的一實(shí)例。假設(shè)圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結(jié)了其他試驗(yàn)參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個(gè)試驗(yàn)中，當(dāng)τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時(shí)，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達(dá)1216個(gè)點(diǎn)。當(dāng)τ1＝(或周期數(shù)為100)時(shí)，聲波清洗工藝對(duì)相同的圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷為0。所以τi為。通過(guò)縮小τ1的范圍來(lái)做更多的試驗(yàn)可進(jìn)一步縮小τi的范圍。在上述實(shí)驗(yàn)中，周期數(shù)取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率。功率密度越大，則周期數(shù)越??；頻率越低，則周期數(shù)越小。從以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以預(yù)測(cè)出無(wú)損傷的周期數(shù)應(yīng)該小于2000，假設(shè)超聲波或兆聲波的功率密度大于，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于，那么可以預(yù)測(cè)周期數(shù)將會(huì)增加。知道時(shí)間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來(lái)獲得。確定時(shí)間τ1。半導(dǎo)體晶圓量大從優(yōu)..遼陽(yáng)半導(dǎo)體晶圓定制價(jià)格

半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域分析。上海半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達(dá)到時(shí)間段τ2后(在時(shí)間段τ2內(nèi)，設(shè)置電源輸出為零)，電源輸出恢復(fù)至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟15210-15260。或者，可能不需要在每個(gè)周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過(guò)經(jīng)驗(yàn)確定。參考圖15d所示，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠(yuǎn)低于內(nèi)爆溫度ti。此外，在步驟15250中，只要?dú)馀菖蛎浟Σ黄茐幕驌p壞圖案結(jié)構(gòu)15034，氣泡的尺寸可以略大于圖案結(jié)構(gòu)15034的間距w。參考圖15d所示，步驟15240的持續(xù)時(shí)間可以從圖7e所示的過(guò)程中經(jīng)驗(yàn)地獲得為τ1。在一些實(shí)施例中，圖7至圖14所示的晶圓清洗工藝可以與圖15所示的晶圓清洗工藝相結(jié)合。圖16a-16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度達(dá)到內(nèi)爆溫度ti之前或者在τ1達(dá)到根據(jù)公式(11)計(jì)算出的τi之前，設(shè)置電源輸出為圖16a所示的正的直流值或是圖16b和圖16c所示的負(fù)的直流值。結(jié)果，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度開(kāi)始降低。上海半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

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