金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請并不限定該晶圓層320外緣的形狀。換言之，本申請不限定該芯片的形狀。本申請也不限定該金屬層310的形狀。除此之外，當(dāng)該晶圓層320與該金屬層310都是矩形時，本申請也不限定該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框的厚度。在一實施例當(dāng)中，這四個邊框的厚度621~624可以相同，以簡化設(shè)計與制作的問題。在另一實施例當(dāng)中，這四個邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡化設(shè)計與制作的問題。在更一實施例當(dāng)中，這四個邊框的厚度621~624可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計的需要。請參考圖7所示。半導(dǎo)體晶圓推薦廠家..西安半導(dǎo)體晶圓商家

    圖7d揭示了根據(jù)本發(fā)明的***個實施例的避免氣泡內(nèi)爆的詳細(xì)工藝步驟。工藝步驟從步驟7010開始，在步驟7010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟7020中，將清洗液，可以是化學(xué)液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟7030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉(zhuǎn)或振動。在步驟7040中，頻率為f1，功率水平為p1的電源被應(yīng)用于聲波裝置。在步驟7050中，在氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度達(dá)到內(nèi)爆溫度ti之前，或在時間τ1達(dá)到通過方程式(11)所計算出的τi之前，設(shè)置電源輸出為0，因此，由于清洗液的溫度遠(yuǎn)低于氣體溫度，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度開始冷卻。在步驟7060中，當(dāng)氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度降低至室溫t0或時間達(dá)到τ2(在τ2時間段內(nèi)，設(shè)置電源輸出為0)后，電源輸出恢復(fù)到頻率為f1，功率水平為p1。在步驟7070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟7010-7060?；蛘撸赡懿恍枰诿總€周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。參考圖7d所示，在步驟7050中，為了避免氣泡內(nèi)爆，時間段τ1必須比時間段τi短，可以通過公式(11)計算出τi。在步驟7060中。鄭州建設(shè)項目半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體晶圓廠家供應(yīng)。

    用振幅隨著時間變化的電源的功率水平p來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的功率水平p1。在一個實施例中，如圖8a所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p增大。在另一個實施例中，如圖8b所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p減小。在又一個實施例中，如圖8c所示，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先減小后增大。在如圖8d所示的實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先增大后減小。圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的頻率隨著時間變化，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣，在該實施例中，用隨著時間變化的電源的頻率來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的頻率f1。如圖9a所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1后設(shè)置為f3，f1高于f3。如圖9b所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3后增大至f1。如圖9c所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f3變化至f1再變回f3。如圖9d所示，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f1變?yōu)閒3再變回f1。與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1。

    ***相機(jī)，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺，其上放置有檢測晶圓；環(huán)繞所述檢測晶圓布置的倏逝場移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓的暗場照明光源；第二相機(jī)，用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠(yuǎn)場像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被檢晶圓半導(dǎo)體材料的光譜吸收特性，選擇對應(yīng)的照明光源，具體包括暗場照明源，pl激發(fā)源，共聚焦照明光源以及倏逝場移頻照明光源；完成所有照明成像系統(tǒng)的集成化設(shè)計，具體包括暗場照明光路、pl激發(fā)光路、自聚焦掃描成像光路、倏逝場照明光路的設(shè)計以及所有光路系統(tǒng)的整合。同時，完成部分模塊的集成，如自聚焦模塊；另外，針對不同照明模式的缺陷檢測過程，圖像的采集方案有所差別，對應(yīng)的圖像拼接算法應(yīng)做出調(diào)整。推薦的，所述的照明光源為汞氙燈、led光源或激光光源。照明光源可以選用汞氙燈(hg-xelamp)、特定波段的發(fā)光二極管(led)光源、白光led光源，或者其他非相干和部分相干光源等。其中pl照明模式、共焦掃描成像模式也可選用激光光源。推薦的，所述的耦合物鏡與***偏振片間依次設(shè)置有***透鏡、***、第二透鏡和濾光片。推薦的，所述的偏振片與偏振分光棱鏡間依次設(shè)置有柱面鏡和第三透鏡。推薦的。半導(dǎo)體制程重要輔助設(shè)備。

    所述動力腔26內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊15間歇性往返升降，來達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機(jī)構(gòu)103，所述切割腔27靠上側(cè)位置設(shè)有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片50的海綿52，所述切割腔27的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14，是冷卻水腔14的上側(cè)連通設(shè)有傳動腔55，所述傳動腔55內(nèi)設(shè)有可控制所述海綿52在所述切割片50上升時抵接所述切割片50，達(dá)到冷卻效果的傳動機(jī)構(gòu)104，所述傳動機(jī)構(gòu)104與所述動力機(jī)構(gòu)103聯(lián)動運(yùn)轉(zhuǎn)。另外，在一個實施例中，所述步進(jìn)機(jī)構(gòu)101包括固設(shè)在所述滑塊47底面上的步進(jìn)塊37，所述步進(jìn)塊37位于所述從動腔62內(nèi)，所述步進(jìn)塊37的底面固設(shè)有***齒牙38，所述從動腔62的后壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有兩個左右對稱的旋轉(zhuǎn)軸36，所述旋轉(zhuǎn)軸36的外周上固設(shè)有***連桿32，所述從動腔62的后壁上鉸接設(shè)有兩個左右對稱的第二連桿30，所述第二連桿30與所述***連桿32之間鉸接設(shè)有三叉連桿31，所述三叉連桿31另一側(cè)鉸接設(shè)有旋轉(zhuǎn)軸36，兩個所述旋轉(zhuǎn)軸36的頂面上固設(shè)有一個橫條33，所述橫條33的頂面上固設(shè)有第二齒牙34，所述第二齒牙34可與所述***齒牙38嚙合，通過所述旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn)，可使所述***連桿32帶動所述三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的價格。遼寧國內(nèi)12 寸半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)

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    ticuni)、鈦合金、釩鎳合金、銀合金、鎳合金、銅合金、純鈷，也可以包含鋁、鈦、鎳、銀、鎳、銅各種金屬的合金。如圖16e所示的一實施例當(dāng)中，步驟1550所作出的金屬層的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應(yīng)當(dāng)是平行的。如圖16f所示的一實施例當(dāng)中，基板結(jié)構(gòu)的金屬層1010可以更包含兩個金屬子層1011與1012。這兩個金屬子層1011與1012的材質(zhì)可以相同，也可以不同。金屬子層1011的形狀與第二表面8222相應(yīng)。金屬子層1012的形狀與金屬子層1011相應(yīng)。制作金屬子層1011的工法可以和制作金屬子層1012的工法相同，也可以不同。圖16f所示的實施例的一種變化當(dāng)中，也可以只包含一層金屬層1010，其形狀與第二表面822相應(yīng)。如圖16g所示的一實施例當(dāng)中，基板結(jié)構(gòu)可以包含兩個金屬子層1011與1012。金屬子層1011的形狀與第二表面822相應(yīng)。金屬子層1012的下表面與金屬子層1011的上表面相應(yīng)，但金屬子層1012的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應(yīng)當(dāng)是平行的。雖然在圖16f與16g的實施例只示出兩個金屬子層1011與1012，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到步驟1550可以制作出包含更多金屬子層的金屬層。西安半導(dǎo)體晶圓商家

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