圖11a所示的實(shí)施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號(hào)。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀。舉例來說，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結(jié)構(gòu)。在圖11a所示的實(shí)施例當(dāng)中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個(gè)邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內(nèi)部，還有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。該內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b的內(nèi)部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結(jié)構(gòu)820a與內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b是同心的相應(yīng)形狀。由于芯片的設(shè)計(jì)當(dāng)中，在中心的區(qū)域由于具有和四邊等距離的幾何特性，因此通常是**適合放置邏輯電路。而在周邊的區(qū)域，則通常會(huì)放置和存取相關(guān)的模擬電路。在這種的電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，由于邏輯電路一旦故障，整個(gè)芯片可能就得報(bào)廢。而模擬電路的線路通常較粗，可能承受相同程度的損傷還不至于故障。所以可以利用內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b來加強(qiáng)邏輯電路中心區(qū)域的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以增加芯片的強(qiáng)固程度。再者，雖然在圖11a所示的實(shí)施例當(dāng)中，只有一個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解到。國外哪個(gè)國家的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品好？德陽半導(dǎo)體晶圓多大

    并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實(shí)際應(yīng)用中，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個(gè)微波產(chǎn)生器130。一般而言，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來，微波w可均勻地進(jìn)入腔室c內(nèi)，并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200，從而促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。舉例而言，如圖1所示，至少兩個(gè)微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè)，使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設(shè)置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設(shè)備(圖未示)上。一般而言，單晶圓濕處理設(shè)備具有旋轉(zhuǎn)基座，其用以承載單一片半導(dǎo)體晶圓，以于單晶圓濕處理設(shè)備內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行各種處理。經(jīng)單晶圓濕處理設(shè)備處理后，半導(dǎo)體晶圓可被留在旋轉(zhuǎn)基座上，并且可將本發(fā)明的殼體120以及設(shè)置于其上的微波產(chǎn)生器130設(shè)置于單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座上，從而能執(zhí)行前文所述的半導(dǎo)體晶圓干燥過程。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100進(jìn)一步包含旋轉(zhuǎn)器140。旋轉(zhuǎn)器140連接基座110，并且被配置成旋轉(zhuǎn)基座110。于半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100對(duì)半導(dǎo)體晶圓200執(zhí)行干燥處理的期間。咸陽半導(dǎo)體晶圓應(yīng)用半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的用途是什么？

    請(qǐng)參考圖10a所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。和圖9所示的實(shí)施例不同之處，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請(qǐng)參考圖10b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。圖10b所示的實(shí)施例是圖10a所示實(shí)施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比，圖10b所示實(shí)施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實(shí)施例的其余特征均與圖10a所示實(shí)施例相同。請(qǐng)參考圖11a所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。為了方便說明起見。

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時(shí)，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g。**終氣泡3012到達(dá)內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達(dá)到上千個(gè)大氣壓和上千攝氏度)，會(huì)損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044。什么才可以稱為半導(dǎo)體晶圓？

    該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請(qǐng)所欲保護(hù)的其他基板結(jié)構(gòu)，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖10a實(shí)施例所說的第二表面822。步驟1520：根據(jù)所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層。在圖16b當(dāng)中，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面。而每一個(gè)芯片預(yù)定區(qū)域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區(qū)域。當(dāng)所欲實(shí)施的基板結(jié)構(gòu)如同圖8a~10b所示的基板結(jié)構(gòu)800~1000，或是具有內(nèi)框結(jié)構(gòu)時(shí)，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在一實(shí)施例當(dāng)中，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻、電漿蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半，但本申請(qǐng)并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結(jié)構(gòu)與/或芯片內(nèi)部的方框結(jié)構(gòu)。利用兩個(gè)步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)。國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,硅晶圓片工藝技術(shù)!遼陽半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品介紹

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    氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計(jì)算出內(nèi)爆時(shí)間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計(jì)算出或直接得到。然而可以憑經(jīng)驗(yàn)直接得到τi的值。圖7e揭示了根據(jù)經(jīng)驗(yàn)得出內(nèi)爆時(shí)間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個(gè)不同的時(shí)間段τ1作為實(shí)驗(yàn)設(shè)定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時(shí)間段τ2，在***次測(cè)試時(shí)**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運(yùn)行以上五種條件來分別清洗具有圖案結(jié)構(gòu)的晶圓。此處，p0是在如圖6a所示的連續(xù)不間斷模式(非脈沖模式)下確定會(huì)對(duì)晶圓的圖案結(jié)構(gòu)造成損傷的功率水平。在步驟7240中，使用掃描電鏡(sem)或晶圓圖案損傷查看工具來檢查以上五種晶圓的損壞程度，如應(yīng)用材料的semvision或日立is3000，然后內(nèi)爆時(shí)間τi可以被確定在某一范圍。損傷特征的百分比可以通過由掃描電鏡檢查出的損傷特征總數(shù)除以圖案結(jié)構(gòu)特征的總數(shù)。也可以通過其它方法計(jì)算得出損傷特征百分比。例如，**終晶圓的成品率可以用來表征損傷特征的百分比。德陽半導(dǎo)體晶圓多大

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