本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置。背景技術(shù)：目前，隨著科技水平的提高，半導(dǎo)體元件被使用的越來越***，半導(dǎo)體在制作過程中，其中一項(xiàng)工序?yàn)榘压桢V通過切割的方式制作成硅晶圓，一般的硅晶圓切割裝置，是通過電機(jī)螺桿傳動(dòng)送料的，這種送料方式會(huì)使硅錠的移動(dòng)不夠準(zhǔn)確，導(dǎo)致每個(gè)晶圓的厚度不均勻，并且螺桿長時(shí)間連續(xù)工作容易發(fā)***熱扭曲變形，**終導(dǎo)致切割位置偏移，另外，切割片在連續(xù)切割時(shí)，容易發(fā)熱，導(dǎo)致晶圓受熱變形，但由于晶圓很薄，無法用直接噴冷卻水的方式冷卻，會(huì)導(dǎo)致晶圓在切割過程中被沖擊變形。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置，用于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置，包括機(jī)體，所述機(jī)體內(nèi)設(shè)有向上和向右開口的送料腔，所述送料腔的前后壁間左右滑動(dòng)設(shè)有滑塊，所述滑塊的頂面上設(shè)有可用于夾持硅錠的夾塊，所述送料腔的下側(cè)連通設(shè)有從動(dòng)腔，所述從動(dòng)腔內(nèi)設(shè)有可控制所述滑塊帶動(dòng)所述硅錠向左步進(jìn)移動(dòng)的步進(jìn)機(jī)構(gòu)，所述滑塊的右側(cè)面固設(shè)有橫板，所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔。國內(nèi)哪家做半導(dǎo)體晶圓比較好？河北半導(dǎo)體晶圓價(jià)錢

    metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導(dǎo)體元器件的設(shè)計(jì)當(dāng)中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導(dǎo)體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再從金屬層110經(jīng)由該晶圓層120流回該半導(dǎo)體元器件的另一部分。舉例來說，電流路徑可以是從金氧半導(dǎo)體場效晶體管的汲極到源極。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場效晶體管當(dāng)中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的百分之三十到五十之間。請參考圖2所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)200的另一剖面示意圖。結(jié)構(gòu)200的半導(dǎo)體組件層至少包含兩個(gè)垂直型設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體元器件，例如***n型金氧半導(dǎo)體場效晶體管231與第二n型金氧半導(dǎo)體場效晶體管232。這兩個(gè)n型金氧半導(dǎo)體場效晶體管231與232可以具有共同的源極。這兩個(gè)元器件之間可以建立起一條電流路徑，例如從***n型金氧半導(dǎo)體場效晶體管231流至第二n型金氧半導(dǎo)體場效晶體管232。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場效晶體管當(dāng)中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的30%~50%之間。江蘇半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)中硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓。

    所述有機(jī)胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機(jī)羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的清洗液能有效***金屬污染物的殘留問題，同時(shí)對金屬和非金屬的腐蝕速率較小，有效改善了一般氟類清洗液不能同時(shí)控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題，提高化學(xué)清洗質(zhì)量；對殘留物的清洗時(shí)間明顯縮短，效率提高；由于不存在強(qiáng)氧化劑，清洗液放置穩(wěn)定，使用安全。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1一種用于半導(dǎo)體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液。

    圖11b為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖12為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖13為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據(jù)本申請另一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據(jù)本申請實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明將詳細(xì)描述一些實(shí)施例如下。然而，除了所揭露的實(shí)施例外，本發(fā)明的范圍并不受該些實(shí)施例的限定，是以其后的申請專利范圍為準(zhǔn)。而為了提供更清楚的描述及使該項(xiàng)技藝的普通人員能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容，圖示內(nèi)各部分并沒有依照其相對的尺寸進(jìn)行繪圖，某些尺寸或其他相關(guān)尺度的比例可能被凸顯出來而顯得夸張，且不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分并沒有完全繪出，以求圖示的簡潔。請參考圖1所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)100的一剖面示意圖。在該結(jié)構(gòu)100當(dāng)中，依序包含一金屬層110、一晶圓層120與一半導(dǎo)體組件層130。晶圓層120夾在該金屬層110與半導(dǎo)體組件層130之間。在圖1當(dāng)中，該半導(dǎo)體組件層130可以包含垂直型設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體元器件，例如包含至少一個(gè)金氧半導(dǎo)體場效晶體管器件(mosfet。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢？

    其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計(jì)彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。在一實(shí)施例中，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形。在一實(shí)施例中，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀，其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中該晶圓層包含與該第二表面相對應(yīng)的一***表面，在進(jìn)行該蝕刻步驟之后，在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。洛陽怎么樣半導(dǎo)體晶圓?淄博半導(dǎo)體晶圓推薦廠家

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    進(jìn)而可取出產(chǎn)品。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)103包括固設(shè)在所述動(dòng)力腔26底壁上的第三電機(jī)25，所述第三電機(jī)25的頂面動(dòng)力連接設(shè)有電機(jī)軸24，所述電機(jī)軸24的頂面固設(shè)有***轉(zhuǎn)盤23，所述升降腔18的上下壁之間轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有***螺桿17，所述***螺桿17貫穿所述升降塊15，并與所述升降塊15螺紋連接，所述***螺桿17向下延伸部分伸入所述動(dòng)力腔26內(nèi)，且其底面固設(shè)有第二輪盤21，所述第二輪盤21的底面與所述***轉(zhuǎn)盤23的頂面鉸接設(shè)有第三連桿22，所述第二輪盤21直徑大于所述***轉(zhuǎn)盤23的直徑，通過所述第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使所述電機(jī)軸24帶動(dòng)所述***轉(zhuǎn)盤23轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而可使所述第二輪盤21帶動(dòng)所述***螺桿17間歇性往返轉(zhuǎn)動(dòng)，則可使所述升降塊15間歇性升降，繼而可使所述切割片50能夠連續(xù)切割所述硅錠48。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)104包括滑動(dòng)設(shè)在所述移動(dòng)腔13前后壁上的移動(dòng)塊53，所述海綿52向所述移動(dòng)腔13延伸部分伸入所述移動(dòng)腔13內(nèi)，并與所述移動(dòng)塊53固定連接，所述移動(dòng)腔13的下側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14，所述冷卻水腔14內(nèi)存有冷卻水，所述海綿52向下延伸部分伸入所述冷卻水腔14內(nèi)，所述移動(dòng)塊53的頂面固設(shè)有第四連桿54，所述傳動(dòng)腔55的底壁上轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有第二螺桿57。河北半導(dǎo)體晶圓價(jià)錢

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