WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專(zhuān)為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS4508E-5/TR 電池管理 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WHS3815Q

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列還提供了過(guò)熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯(cuò)誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以?xún)?nèi)。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒（STB）

計(jì)算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過(guò)熱保護(hù)和限流功能，增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3053WS72552S-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOP-8。

    WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無(wú)需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過(guò)一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過(guò)溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動(dòng)限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無(wú)線電話(huà)

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

RB521C30：肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來(lái)說(shuō)都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合，如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56131W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323F。

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開(kāi)關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話(huà)說(shuō)，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開(kāi)關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號(hào)路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WHS3815Q

WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：TSOT-23-6L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WHS3815Q

      WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開(kāi)關(guān)

負(fù)載開(kāi)關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無(wú)鉛無(wú)鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)，驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WHS3815Q