WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn)，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí)，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WHS3844QWMM7040DTHN0-8/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥）封裝：SMD-8P,3x4mm。

WNM6001：?jiǎn)蜰溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為L(zhǎng)ED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2851E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

WS3202E：過壓和過流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過壓保護(hù)（OVP）和過流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí)，該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過溫保護(hù)（OTP）功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時(shí)間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應(yīng)時(shí)間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域：

· GPS設(shè)備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機(jī)

· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)

     WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC，為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時(shí)其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WAS4768Q-10/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN-10(1.8x1.4)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q

ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C

WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C