頻陷波線圈的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與振蕩線圈相似，只是磁帽可調(diào)磁心。2）．電視機(jī)用行振蕩線圈行振蕩線圈用在早期的黑白電視機(jī)中，它與**的阻容元件及行振蕩晶體管等組成自激振蕩電路（三點(diǎn)式振蕩器或間歇振蕩器、多諧振蕩器），用來(lái)產(chǎn)生頻率為15625HZ的的矩形脈沖電壓信號(hào)。該線圈的磁心中心有方孔，行同步調(diào)節(jié)旋鈕直接插入方孔內(nèi)，旋動(dòng)行同步調(diào)節(jié)旋鈕，即可改變磁心與線圈之間的相對(duì)距離，從而改變線圈的電感量，使行振蕩頻率保持為15625HZ，與自動(dòng)頻率控制電路（AFC）送入的行同步脈沖產(chǎn)生同步振蕩。電子線圈哪家專業(yè)，無(wú)錫東英電子值得信賴，歡迎各位新老朋友垂詢！江蘇電子線圈技術(shù)指導(dǎo)

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公司DY生產(chǎn)塑料芯線圈已有20多年的歷史了。我們豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)使我們能夠根據(jù)客戶要求定制各種塑料芯線圈，例如：點(diǎn)火線圈，螺線管，繼電器線圈和其他不同的線圈。

由于我們擁有注塑機(jī)，因此可以制造塑料芯線圈的塑料結(jié)構(gòu)，從而降低了成本。此外，我們可以更好地了解質(zhì)量。結(jié)構(gòu)的質(zhì)量也會(huì)影響塑料芯線圈的質(zhì)量。例如，如果結(jié)構(gòu)上有毛刺，這些毛刺可能會(huì)刺穿漆包線，然后在使用過(guò)程中使線圈無(wú)用。因此，如果出現(xiàn)故障，我們的工人將檢查每個(gè)結(jié)構(gòu)。

我們提供PA66，PA46，PPA和PPE塑料芯線圈結(jié)構(gòu)材料供您選擇。如果您對(duì)材料有其他要求，我們也可以滿足您的要求。

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并呈整齊、美觀的喇叭口。(7)用壓線板和插折轉(zhuǎn)槽絕緣，打入槽楔，在打槽楔時(shí)下面可墊一張紙，以免損傷絕緣，槽楔松緊要適當(dāng)。(8)繞組全部嵌好后，剪去相間絕緣的多余部分，用橡皮榔頭或一般榔頭墊著竹板，把端部線圈修成喇叭口，以不碰端蓋，使轉(zhuǎn)子能自由穿入為準(zhǔn)，修正時(shí)用力要輕巧、均勻，不得敲傷線圈絕緣，修正后端部外圈應(yīng)整齊，導(dǎo)線應(yīng)無(wú)交叉。三.連接繞組端線（1）仔細(xì)核對(duì)連線是否符合原電機(jī)的連線。（2）在要連接的線上套上絕緣套管，把要連接部位的絕緣漆刮凈，然后絞緊導(dǎo)線進(jìn)行焊接，焊接部分不應(yīng)過(guò)長(zhǎng)，對(duì)線較大的銅線，應(yīng)用預(yù)先搪過(guò)錫的銅皮做并頭套，或用細(xì)銅線扎緊后再進(jìn)行焊接。（3）各連接處應(yīng)錯(cuò)開(kāi)，引線盡量靠近接線盒，連接應(yīng)整齊，便于包扎和外形美觀。引線應(yīng)按電機(jī)額定電流選擇，但電流密度較一般導(dǎo)線低2-3倍，其截面參照下表選用。電機(jī)引線截面積選擇電動(dòng)機(jī)功率（KV）1以下5-1011-1415-20引線截面積（mm2）146電動(dòng)機(jī)功率（KV）22-2830-4引線截面積（mm2）四.連接線焊接（1）低壓電機(jī)，用焊錫焊接時(shí)，應(yīng)用松香或中性焊錫膏，不能使用有腐蝕性的焊錫膏。焊接時(shí)焊錫要吃透，焊頭要牢靠光滑，應(yīng)防止熔錫掉進(jìn)線圈。（2）對(duì)容量較大的電機(jī)。電子線圈哪家好，無(wú)錫東英電子值得信賴?？诒秒娮泳€圈值得推薦

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導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟：計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡９ぷ鲿r(shí)突然短路，所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來(lái)計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc)：結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過(guò)175℃，所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過(guò)將圖二測(cè)得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過(guò)EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對(duì)于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3下面一條曲線(單脈沖)可知，對(duì)于單脈沖來(lái)說(shuō)。江蘇電子線圈技術(shù)指導(dǎo)