在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過(guò)處理vcos和vsin的值來(lái)確定角位置。如圖所示，通過(guò)從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來(lái)自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來(lái)確定，如圖2e所示。無(wú)錫市制作傳感器線圈的地方；遼寧傳感器線圈工作原理

    說(shuō)明創(chuàng)造性的方面和實(shí)施例的描述不應(yīng)被理解為進(jìn)行限制，而是由權(quán)利要求定義所保護(hù)的發(fā)明。在不脫離本說(shuō)明和權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變。在一些實(shí)例中，為了不使本發(fā)明變得模糊，沒(méi)有詳細(xì)地示出或描述已知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)。圖1a示出定位系統(tǒng)100。如圖1a所示，該定位系統(tǒng)包括發(fā)射/接收控制電路102，該發(fā)射/接收控制電路102被耦合，以驅(qū)動(dòng)發(fā)射器線圈106和從接收線圈104接收信號(hào)。在大多數(shù)配置中，接收線圈104位于發(fā)射器線圈106之內(nèi)，但是在圖1a中，為了清楚起見(jiàn)，它們被分開(kāi)示出。接收線圈104通常物理上位于發(fā)射線圈106的邊界內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例可以包括發(fā)射器線圈106、兩個(gè)接收器線圈104、以及驅(qū)動(dòng)發(fā)射器線圈106和測(cè)量源自接收器線圈104中的信號(hào)的集成電路(ic)102，它們?nèi)慷夹纬稍谟∷㈦娐钒?pcb)上。圖1b示出線性位置定位系統(tǒng)中的發(fā)射線圈106和接收線圈104的配置。如圖1b所示，導(dǎo)電金屬目標(biāo)124可被定位在發(fā)射器線圈和兩個(gè)接收器線圈上方。如圖1a所示，發(fā)射線圈106被驅(qū)動(dòng)以形成磁場(chǎng)108。發(fā)射線圈106可以以一定頻率范圍或特定頻率被驅(qū)動(dòng)。在圖1a中，磁場(chǎng)108(其中用箭頭示出正電流)在每個(gè)導(dǎo)線周圍是圓形的。浙江傳感器線圈資料想要咨詢傳感器線圈的價(jià)格？

   根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當(dāng)塊狀導(dǎo)體置于交變磁場(chǎng)或在固定磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流，此電流在導(dǎo)體內(nèi)閉合，稱為渦流。電渦流式傳感器，將位移、厚度、材料損傷等非電量轉(zhuǎn)換為電阻抗的變化（或電感、Q值的變化），從而進(jìn)行非電量的測(cè)量。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵(lì)線圈和被測(cè)金屬體組成。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當(dāng)傳感器激勵(lì)線圈中通過(guò)以正弦交變電流時(shí)，線圈周圍將產(chǎn)生正選交變磁場(chǎng)，是位于蓋磁場(chǎng)中的金屬導(dǎo)體產(chǎn)生感應(yīng)電流，該感應(yīng)電流又產(chǎn)生新的交變磁場(chǎng)。新的交變磁場(chǎng)阻礙原磁場(chǎng)的變化，使得傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。傳感器線圈受電渦流影響時(shí)的等效阻抗Z為式中，ρ為被測(cè)體的電阻率；μ為被測(cè)體的磁導(dǎo)率；r為線圈與被測(cè)體的尺寸因子；f為線圈中激磁電流的頻率；x為線圈與導(dǎo)體間的距離。由此可見(jiàn)，線圈阻抗的變化完全取決于被測(cè)金屬的電渦流效應(yīng)，分別與以上因素有關(guān)。如果只改變式中的一個(gè)參數(shù)，保持其他參數(shù)不變，傳感器線圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關(guān)，如果測(cè)出傳感器線圈阻抗的變化，就可以確定該參數(shù)。在實(shí)際應(yīng)用中，通常是改變線圈與導(dǎo)體間的距離x，而保持其他參數(shù)不變，來(lái)實(shí)現(xiàn)位移和距離測(cè)量。二、等效電路討論電渦流式傳感器時(shí)。

它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL品質(zhì)因素品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導(dǎo)線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。分布電容任何電感線圈，其匝與匝之間、層與層之間，線圈與參考地之間，線圈與磁屏蔽罩間等都存在一定的電容，這些電容稱為電感線圈的分布電容。若將這些分布電容綜合在一起，就成為一個(gè)與電感線圈并聯(lián)的等效電容C。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。額定電流額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過(guò)的大電流值。若工作電流超過(guò)額定電流，則電感器就會(huì)因發(fā)熱而使性能參數(shù)發(fā)生改變，甚至還會(huì)因過(guò)流而燒毀。允許偏差允許偏差是指電感器上標(biāo)稱的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高。傳感器線圈推薦，無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎各位新老朋友垂詢！

    仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標(biāo)的幾何形狀、氣隙、金屬目標(biāo)在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉(zhuǎn)、以及另外的固定導(dǎo)體，其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導(dǎo)體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標(biāo)的一系列位置處來(lái)自接收器線圈的仿真電壓。在一些實(shí)施例中，在本申請(qǐng)中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而，在一些情況下，執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計(jì)算時(shí)間。可以預(yù)期，相對(duì)于上述bim方法，每個(gè)傳感器目標(biāo)位置的計(jì)算可能使用兩個(gè)或更多個(gè)數(shù)量級(jí)的計(jì)算時(shí)間。此外，可能需要針對(duì)每個(gè)目標(biāo)位置從頭開(kāi)始重建計(jì)算域的網(wǎng)格。而且，由于長(zhǎng)而細(xì)的導(dǎo)體需要大量的網(wǎng)格元素來(lái)獲得精確的解，因此這些技術(shù)的準(zhǔn)確性可能受限。這些計(jì)算也可能受到存儲(chǔ)器和計(jì)算時(shí)間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實(shí)際上，如圖7a的示例中所示的算法700基本上補(bǔ)償了上述的非理想性，并因此產(chǎn)生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問(wèn)題的物理學(xué)相容的佳的可能的解。為此，開(kāi)發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實(shí)高效的數(shù)值模型。如下面更詳細(xì)地討論的，在一些實(shí)施例中，形成發(fā)射線圈、接收器線圈和連接線的跡線用一維金屬導(dǎo)線表示。一些實(shí)施例可以使用更精細(xì)的仿真算法。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無(wú)錫東英電子有限公司為您服務(wù)！詳細(xì)可訪問(wèn)我司官網(wǎng)查看！湖南小型傳感器線圈

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