這些步進電機提供目標的4軸運動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標408，以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標408的掃描。如圖4c所示，金屬目標408在接收器線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當如圖4c所示地掃描金屬目標408時從接收器線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。位置定位器系統(tǒng)410的準確度可以被定義為在金屬目標408從初始位置掃描到結(jié)束位置期間的位置的測量與該掃描的預(yù)期理想曲線之間的差。該結(jié)果以相對于全標度的百分比表示，如圖5所示。在圖5中，pos0是來自位置定位系統(tǒng)410的測量值，并且輸出擬合是理想曲線。pos0是從控制器402的寄存器測量的值，而fs是全標度的值。例如。傳感器線圈推薦，無錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎有需求的朋友們聯(lián)系我司！貴州直銷傳感器線圈

    所述位置定位系統(tǒng)用于需要位置傳感器技術(shù)、扭矩、扭矩角傳感器(tas)的所有應(yīng)用以及使用感應(yīng)原理和在pcb上的接收器線圈的所有其他應(yīng)用。某些實施例的益處包括在兩個接收器上具有零偏差，這意味著達到理論極限零。從優(yōu)化線圈之前出現(xiàn)的％fs-3％fs的起點獲得％fs的誤差(提高6倍)可以實現(xiàn)。此外，如果誤差減小得足夠好，則不需要線性化方法或校準方法。此外，可以減少用于產(chǎn)生可行的線圈設(shè)計的試錯的次數(shù)，提供縮短的產(chǎn)品推向市場的時間。圖8a和圖8b示出pcb(為了清楚起見未示出)上的線圈布局800的示例，其可以用作如圖7a所示的算法700的輸入。在一些情況下，算法700將修改根據(jù)算法720所產(chǎn)生的經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計，以優(yōu)化線圈布局800的準確性。圖8a示出線圈布局800，而圖8b示出線圈布局800的平面圖，其將跡線重疊在pcb的頂側(cè)和底側(cè)上。如圖8a和圖8b所示，線圈設(shè)計800包括發(fā)射線圈802，其可以包括多個環(huán)路，并且還可以包括穿過pcb的通孔，使得用于發(fā)射線圈802的跡線中的一些跡線在pcb的一側(cè)上，而發(fā)射線圈802的其他跡線在pcb的相反側(cè)上。在一些情況下，可以優(yōu)化發(fā)射線圈以使其相對于接收線圈盡可能對稱，同時小化所需空間。圖8a示出通孔814和通孔816。微型傳感器線圈口碑推薦可以生產(chǎn)傳感器線圈的廠家有哪些？

    圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來實現(xiàn)。可以看出，該場與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分數(shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準確性。

為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通?？梢员唤楸〗饘倨Ｍǔ?，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標1024的細導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎您的光臨！

類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。蘇州市制作傳感器線圈的地方；浙江高速傳感器線圈

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    具體地，提出一種提供經(jīng)優(yōu)化的位置定位傳感器線圈設(shè)計的方法。該方法包括：接收線圈設(shè)計；利用該線圈設(shè)計對位置確定進行仿真，以形成仿真性能；將仿真響應(yīng)與規(guī)范進行比較以提供比較；以及基于仿真性能和性能規(guī)范之間的比較來修改線圈設(shè)計，以獲得更新的線圈設(shè)計。下文結(jié)合附圖討論這些和其他實施例。附圖說明圖1a和圖1b示出用于確定目標的位置的線圈系統(tǒng)。圖2a、圖2b、圖2c、圖2d和圖2e示出在整個線圈系統(tǒng)上掃描金屬目標時的接收器線圈的響應(yīng)。圖3a和圖3b示出線圈系統(tǒng)中的印刷電路板上的接收線圈的配置。圖3c示出由線圈系統(tǒng)中的發(fā)射線圈生成的電磁場的非均一性。圖3d和圖3e示出由線圈系統(tǒng)中的接收器線圈測量的場的差異。圖4a示出測試位置定位系統(tǒng)的準確性的測試設(shè)備的框圖。圖4b示出諸如圖4a所示的測試設(shè)備。圖4c示出利用圖4b所示的測試設(shè)備來測試位置定位系統(tǒng)。圖4d示出利用圖4b所示的測試設(shè)備測量的來自位置定位系統(tǒng)中的接收線圈的接收電壓。圖5示出測量到的響應(yīng)和仿真響應(yīng)。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實施例優(yōu)化的示例線圈設(shè)計的測量到的響應(yīng)與仿真響應(yīng)之間的誤差。圖7a和圖7b示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于優(yōu)化位置定位傳感器的線圈設(shè)計的算法。貴州直銷傳感器線圈

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