碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英；展會(huì)將于2025年3月10日上海世博展覽館開幕！3月6-8日先進(jìn)陶瓷技術(shù)論壇

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本愛發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷論壇2025年3月10日，讓我們相聚中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，共商共享，共創(chuàng)未來(lái)。探索先進(jìn)制造的萬(wàn)千可能。

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過(guò)粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無(wú)機(jī)非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機(jī)和金屬材料以外的其他所有材料，即無(wú)機(jī)非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學(xué)成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e(cuò)，無(wú)明顯的界限，而在應(yīng)用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個(gè)系統(tǒng)，詳細(xì)的分類法也說(shuō)法不一，到現(xiàn)在國(guó)際上還沒(méi)有 一個(gè)統(tǒng)一的分類方法?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！ 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間順序來(lái)看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對(duì)高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場(chǎng)景的器件要求?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！賦能前沿智造，智領(lǐng)行業(yè)未來(lái)，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無(wú)限商機(jī)！

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館，讓我們相聚上海，共同見證盛會(huì)開幕！2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝。2025年3月10日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您蒞臨！3月6-8日先進(jìn)陶瓷技術(shù)論壇

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后不進(jìn)行保溫，立即以很快的速度降溫到相對(duì)較低的溫度進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過(guò)控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導(dǎo)致晶粒長(zhǎng)大）的同時(shí)，保持晶界擴(kuò)散（這是坯體致密化的動(dòng)力）處于活躍狀態(tài)，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶粒不長(zhǎng)大的前提下達(dá)到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對(duì)較低的溫度下保溫一段時(shí)間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷。3月6-8日先進(jìn)陶瓷技術(shù)論壇