“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后不進(jìn)行保溫，立即以很快的速度降溫到相對(duì)較低的溫度進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過(guò)控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導(dǎo)致晶粒長(zhǎng)大）的同時(shí)，保持晶界擴(kuò)散（這是坯體致密化的動(dòng)力）處于活躍狀態(tài)，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶粒不長(zhǎng)大的前提下達(dá)到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對(duì)較低的溫度下保溫一段時(shí)間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷。先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：展會(huì)將于2025年3月10日上海世博展覽館開(kāi)幕。3月6日先進(jìn)陶瓷論壇

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領(lǐng)域。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于電驅(qū)主逆變器、車(chē)載充電器（OBC）及DC-DC（直流—直流）轉(zhuǎn)換器。隨著新能源汽車(chē)需求增長(zhǎng)及碳化硅功率器件的普及，其市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在光伏發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器，能提高能量轉(zhuǎn)換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級(jí)從1000V提升至1500V，未來(lái)將進(jìn)一步提升至1700V乃至2000V，在更高的電壓等級(jí)下，碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)將更加突出?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024年3月6日中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)產(chǎn)品展覽會(huì)先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”：2025年3月10-12日上海世博展覽館！

外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大，碳化硅襯底無(wú)法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長(zhǎng)缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100μm以上?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！賦能品質(zhì)制造，探索萬(wàn)千可能。中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)承載業(yè)界期許，2025年3月10-12日誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類(lèi)型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，聚焦前沿科技產(chǎn)品的領(lǐng)軍平臺(tái)。誠(chéng)邀您2025年3月10日相聚上海，共襄盛會(huì)。3月10-12日中國(guó)上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷展會(huì)

誠(chéng)邀您參加中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，展示前沿技術(shù)、前沿產(chǎn)品，2025年3月10-12日上海世博展覽館見(jiàn)！3月6日先進(jìn)陶瓷論壇

我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但近年來(lái)，在國(guó)家政策推動(dòng)和地方積極產(chǎn)業(yè)布局下，我國(guó)逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長(zhǎng)三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等相關(guān)科研院所，并擁有天科合達(dá)、同光晶體、泰科天潤(rùn)、世紀(jì)金光等第三代半導(dǎo)體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈；長(zhǎng)三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個(gè)研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導(dǎo)體等在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！3月6日先進(jìn)陶瓷論壇