下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極管。2．光控晶閘管的工作原理當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。可推算出下式：Ia=Il/[1-（a1+a2）]式中，Il為光電二極管的光電流；Ia為光控晶閘管陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流；a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。新疆國產(chǎn)晶閘管模塊貨源充足

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。新疆晶閘管模塊現(xiàn)價晶閘管為半控型電力電子器件。

對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少，尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導體開關器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達6英寸，單閥片耐壓值**高可達11KV，的通流能力**高可達4500A。在該領域比較**的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實際使用。其中GTO的單片耐壓可達，工況下通流能力可達4kA，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的**高耐壓可達10kV，通流能力可達。[1]針對脈沖功率電源中應用的晶閘管，國內(nèi)還沒有廠家在這方面進行研究，在國際上具有**技術的是瑞士ABB公司。他們針對脈沖功率電源用大功率晶閘管進行了十數(shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為GTO，其直徑為英寸，單片耐壓為，通常3個閥片串聯(lián)工作?？梢猿惺艿碾娏鞣逯禐?20kA/90us，電流上升率di/dt**高可承受。門極可承受觸發(fā)電流**大值為800A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為400A/us。

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學科?！熬чl管交流技術”?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展?？煽毓柙趹秒娐分械淖饔皿w現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關等用途。塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時，晶閘管導通時間較早；UG到達較晚時，晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間，可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中，交流電的半周常被設定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一個正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過改變控制角度0或?qū)ń莟heta，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現(xiàn)可控整流器。晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。新疆晶閘管模塊現(xiàn)價

晶閘管在工業(yè)中的應用越來越廣，隨著行業(yè)的應用范圍增大。新疆國產(chǎn)晶閘管模塊貨源充足

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。（1）按關閉、傳導和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。（五）按關斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR，屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作一個晶閘管，它是由PNPN四層半導體材料構(gòu)成的元件。新疆國產(chǎn)晶閘管模塊貨源充足