IGBT封裝工藝流程：1、超聲波清洗：通過(guò)清洗劑對(duì)焊接完成后的DBC半成品進(jìn)行清洗，以保證IGBT芯片表面潔凈度滿足鍵合打線要求求。2、X-RAY缺陷檢測(cè)：通過(guò)X光檢測(cè)篩選出空洞大小符合標(biāo)準(zhǔn)的半成品，防止不良品流入下一道工序；3、自動(dòng)鍵合：通過(guò)鍵合打線，IGBT芯片打線將各個(gè)IGBT芯片或DBC間連結(jié)起來(lái)，形成完整的電路結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體鍵合AOI主要應(yīng)用于WB段后的檢測(cè)，可為IGBT生產(chǎn)提供焊料、焊線、焊點(diǎn)、DBC表面、芯片表面、插針等全方面的檢測(cè)。4、激光打標(biāo)：對(duì)IGBT模塊殼體表面進(jìn)行激光打標(biāo)，標(biāo)明產(chǎn)品型號(hào)、日期等信息；8、殼體塑封：對(duì)殼體進(jìn)行點(diǎn)膠并加裝底板，起到粘合底板的作用；5、功率端子鍵合；6、殼體灌膠與固化：對(duì)殼體內(nèi)部進(jìn)行加注A、B膠并抽真空，高溫固化 ，達(dá)到絕緣保護(hù)作用；7、封裝、端子成形：對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加裝頂蓋并對(duì)端子進(jìn)行折彎成形；8、功能測(cè)試：對(duì)成形后產(chǎn)品進(jìn)行高低溫沖擊檢驗(yàn)、老化檢驗(yàn)后，測(cè)試IGBT靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)以符合出廠標(biāo)準(zhǔn) IGBT 模塊成品。SOT封裝主要用于低頻、低功率的場(chǎng)合，如電子玩具、家電產(chǎn)品等。遼寧半導(dǎo)體芯片特種封裝參考價(jià)

芯片封裝類型有很多種，常見(jiàn)的幾種包括：1. BGA封裝（Ball Grid Array）：BGA封裝是一種引腳以焊球形式存在于底部的封裝形式。它提供更高的引腳密度和更好的熱散發(fā)性能，普遍應(yīng)用于高性能和大功率芯片。2. LGA封裝（Land Grid Array）：LGA封裝與BGA類似，但引腳為焊盤形狀，而不是焊球形狀。LGA封裝通常在高頻率和高速通信的應(yīng)用中使用。此外，還有CSP封裝（Chip Scale Package）、TSOP封裝（Thin Small Outline Package）、PLCC封裝（Plastic Leaded Chip Carrier）等多種封裝類型，每種都有其適用的特定場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)。選擇合適的封裝類型取決于芯片的功能、功率需求、尺寸限制和制造工藝等因素。遼寧半導(dǎo)體芯片特種封裝參考價(jià)常見(jiàn)的模塊封裝有PLCC、QFN、SIP和SMT等封裝。

半加成法，半加成法（Semi-Additive Process，SAP），利用圖形電鍍?cè)黾泳?xì)線路的厚度，而未電鍍加厚非線路區(qū)域在差分蝕刻過(guò)程則快速全部蝕刻，剩下的部分保留下來(lái)形成線路。封裝基板制作技術(shù)-高密度互連（HDI）改良制作技術(shù)，高密度互連（HDI）封裝基板制造技術(shù)是常規(guī)HDI印制電路板制造技術(shù)的延伸，其技術(shù)流程與常規(guī)HDI-PCB板基本相同，而二者的主要差異在于基板材料使用、蝕刻線路的精度要求等，該技術(shù)途徑是目前集成電路封裝基板制造的主流技術(shù)之一。由于受蝕刻技術(shù)的限制，HDI封裝基板制造技術(shù)在線路超精細(xì)化、介質(zhì)層薄型化等方面遇到了挑戰(zhàn)，近年出現(xiàn)了改良型HDI封裝基板制造技術(shù)。

BGA封裝，BGA技術(shù)（Ball Grid Array Package）即球柵陣列封裝技術(shù)。這種技術(shù)的出現(xiàn)就成了CPU、高密度、高性能、多引腳包裝的較佳選擇，如主板南、北橋芯片。BGA封裝占用基板面積較大。盡管這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展I/O引腳數(shù)量增加，但引腳之間的距離遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率。該技術(shù)采用可控坍塌芯片法焊接，提高了其電熱性能。此外，該技術(shù)的組裝可以通過(guò)表面焊接，從而較大程度上提高了包裝的可靠性通過(guò)該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了包裝CPU信號(hào)傳輸延遲小，可以較大程度上提高適應(yīng)頻率。DIP 封裝是一種傳統(tǒng)的 MOS 管封裝方式，通常用于低頻、低功率的場(chǎng)合。

在選擇芯片封裝類型時(shí)，主要考慮以下幾個(gè)方面的因素：產(chǎn)品散熱性能、電性能，集成電路在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。在了解客戶的散熱性能需求和電性能要求后，需要對(duì)選定的封裝體進(jìn)行熱仿真電仿真，以便確認(rèn)是否滿足散熱性能要求和電性能要求?；谏嵝阅艿囊螅庋b體越薄越好，一般針對(duì)高功耗產(chǎn)品，除了考慮選用低阻率、高導(dǎo)熱性能的材料黏結(jié)芯片，高導(dǎo)熱塑封料，采用金屬合金焊接工藝，還可以考慮選擇加強(qiáng)型封裝（如增加內(nèi)置式散熱片、外露式散熱片或引線框架載片臺(tái)外露），以增強(qiáng)其散熱、冷卻功能，如HSPBGA、HSBGA、EDHS-QFP、DHS-QFP、QFN、E-PadLQFP等封裝形式。陶瓷封裝的種類有DIP和SIP;對(duì)大規(guī)模集成電路封裝包括PGA,QFP,PLCC和BGA。遼寧半導(dǎo)體芯片特種封裝參考價(jià)

使用金屬 TO 外殼封裝可實(shí)現(xiàn) 25Gbit/s 以上傳輸速率。遼寧半導(dǎo)體芯片特種封裝參考價(jià)

金屬封裝，金屬封裝始于三極管封裝，后慢慢地應(yīng)用于直插式扁平式封裝，基本上乃是金屬-玻璃組裝工藝。由于該種封裝尺寸嚴(yán)格、精度高、金屬零件便于大量生產(chǎn)，故其價(jià)格低、性能優(yōu)良、封裝工藝容易靈活，被普遍應(yīng)用于晶體管和混合集成電路如振蕩器、放大器、鑒頻器、交直流轉(zhuǎn)換器、濾頗器、繼電器等等產(chǎn)品上，現(xiàn)在及將來(lái)許多微型封裝及多芯片模塊(MCM)也采用此金屬封裝。金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型；分妒器件封裝包括A型、B型和C型；混合電路封裝包括雙列直插型和扁平型；特殊器件封裝包括矩正型、多層多窗型和無(wú)磁材料型。遼寧半導(dǎo)體芯片特種封裝參考價(jià)