系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上，然后將其封裝到單個芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨芯片，將它們連接并組合成單個封裝到單個基板（PCB）上?？紤]到這一點，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術和封裝技術的進步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個主要因素推動了當前用SiP取代SoC的趨勢：SiP封裝通常在一塊大的基板上進行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。山東模組封裝廠家

SiP具有以下優(yōu)勢：小型化 – 半導體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實在物聯(lián)網(wǎng)設備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當系統(tǒng)中只有幾個組件可以縮小時，維護起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因為它可以提供更好的芯片集成和更緊密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統(tǒng)的整體尺寸減小多達65%。簡化 – SiP方法允許芯片設計人員使用更抽象的構建模塊，從而具有更高的周轉率和整體更短的設計周期的優(yōu)勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經(jīng)經(jīng)過驗證的模塊的測試。MEMS封裝方式不同的芯片，排列方式，與不同內部結合技術搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

SiP是使用成熟的組裝和互連技術，把各種集成電路器件（IC、MOS等）以及各類無源元件如電阻、電容等集成到一個封裝體內，實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應當前技術發(fā)展的需要。為了滿足SiP產(chǎn)品的失效分析，實現(xiàn)內部互連結構和芯片內部結構中失效點的定位，分析技術必須向高空間分辨率、高電熱測試靈敏度以及高頻率的方向發(fā)展。典型的SiP延用COB工藝，將電路板的主要器件塑封（COB），再把COB器件以元器件貼片到FPC軟板上。

SiP還具有以下更多優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規(guī)模經(jīng)濟時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。固晶貼片機（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設備。

SiP具有以下優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規(guī)模經(jīng)濟時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。SiP是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間。山東模組封裝廠家

SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。山東模組封裝廠家

至于較初對SiP的需求，我們只需要看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產(chǎn)要求與模擬電路、電源管理設備或存儲設備的要求大不相同。這導致系統(tǒng)層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對較新，但在實踐中SiP長期以來一直是半導體行業(yè)的一部分。在1970年代，它以自由布線、多芯片模塊（MCM）和混合集成電路（HIC） 的形式出現(xiàn)。在 1990 年代，它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP已經(jīng)變成了一種解決方案，用于將多個芯片集成到單個封裝中，以減少空間和成本。山東模組封裝廠家