隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只節(jié)省了空間，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。Sip技術(shù)是什么？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，SiP技術(shù)允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種SiP封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng)，同時保持小尺寸和高性能。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。河南COB封裝供應(yīng)商

SiP技術(shù)特點(diǎn)：設(shè)計(jì)優(yōu)勢，SiP技術(shù)允許設(shè)計(jì)師將來自不同制造商的較佳芯片組合在一起，實(shí)現(xiàn)定制化的解決方案，這種靈活性使得SiP在多樣化的市場需求中具有普遍的應(yīng)用前景。主要優(yōu)勢如以下幾點(diǎn)：空間優(yōu)化：通過將多個組件集成到一個封裝中，SiP可以明顯減少電路板上所需的空間。性能提升：SiP可以通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局來提升性能，減少信號傳輸延遲。功耗降低：緊密集成的組件可以減少功耗，特別是在移動和便攜式設(shè)備中。系統(tǒng)可靠性：減少外部連接點(diǎn)可以提高系統(tǒng)的整體可靠性。廣西BGA封裝參考價(jià)在電源、車載通訊方面也開始進(jìn)行了 SiP 探索和開發(fā)實(shí)踐。

3D主要有三種類型：埋置型、有源基板型、疊層型。其中疊層型是 當(dāng)前普遍采用的封裝形式。疊層型是在2D基礎(chǔ)上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行垂直互連，構(gòu)成立體疊層封裝。可以通過三種方法實(shí)現(xiàn)：疊層裸芯片封裝、封裝堆疊直連和嵌入式3D封裝。業(yè)界認(rèn)定3D封裝是擴(kuò)展SiP應(yīng)用的較佳方案，其中疊層裸芯片、封裝堆疊、硅通孔互連等都是當(dāng)前和將來3D封裝的主流技術(shù)。并排放置（平面封裝）的 SiP 是一種傳統(tǒng)的多芯片模塊封裝形式，其中使用了引線鍵合或倒裝芯片鍵合技術(shù)。

電鍍鎳金：電鍍是指借助外界直流電的作用，在溶液中進(jìn)行電解反應(yīng)，是導(dǎo)電體（例如金屬）的表面趁機(jī)金屬或合金層。電鍍分為電鍍硬金和軟金工藝，鍍硬金與軟金的工藝基本相同，槽液組成也基本相同，區(qū)別是硬金槽內(nèi)添加了一些微量金屬鎳或鈷或鐵等元素，由于電鍍工藝中鍍層金屬的厚度和成分容易控制，并且平整度優(yōu)良，所以在采用鍵合工藝的封裝基板進(jìn)行表面處理時，一般采用電鍍鎳金工藝，鋁線的鍵合一般采用硬金，金線的鍵合一般都用軟金。SiP系統(tǒng)級封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面：1、穩(wěn)定的力控制：在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而，過大的壓力可能導(dǎo)致芯片損壞，而過小的壓力則可能導(dǎo)致連接不良。因此，固晶設(shè)備需要具備穩(wěn)定的力控制能力，以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場及變形的控制：在固晶過程中，溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質(zhì)量。因此，固晶設(shè)備需要具備對溫度場和基板變形的控制能力，以確保在整個固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中。廣西BGA封裝參考價(jià)

SIP模組尺寸小，在相同功能上，可將多種芯片集成在一起，相對單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。河南COB封裝供應(yīng)商

SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動元件、整合性被動元件或嵌入式被動元件的方式整合在一個模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。河南COB封裝供應(yīng)商