幾種類(lèi)型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類(lèi)封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來(lái)越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級(jí)封裝，并且利用晶圓級(jí)技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢(shì)推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺(tái)積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機(jī)領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機(jī)和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。封裝基板的分類(lèi)有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類(lèi)。浙江半導(dǎo)體芯片封裝市價(jià)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達(dá)到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機(jī)設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。吉林半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)SiP是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢(shì)，降低成本，縮短上市時(shí)間。

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進(jìn)行互連。在電源、車(chē)載通訊方面也開(kāi)始進(jìn)行了 SiP 探索和開(kāi)發(fā)實(shí)踐。

基板的分類(lèi)：封裝基板的分類(lèi)有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類(lèi)。結(jié)構(gòu)分類(lèi)：剛性基板材料和柔性基板材料。增強(qiáng)材料分類(lèi)：有有機(jī)系（樹(shù)脂系）、無(wú)機(jī)系（陶瓷系、金屬系）和復(fù)合系；基板的處理，基板表面處理方式主要有：熱風(fēng)整平、有機(jī)可焊性保護(hù)涂層、化學(xué)鎳金、電鍍金。化學(xué)鎳金：化學(xué)鎳金是采用金鹽及催化劑在80~100℃的溫度下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)析出金層的方法進(jìn)行涂覆的，成本比電鍍低，但是難以控制沉淀的金屬厚度，表面硬并且平整度差，不適合作為采用引線鍵合工藝封裝基板的表面處理方式。在固晶過(guò)程中，需要對(duì)芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。吉林半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競(jìng)爭(zhēng)力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。浙江半導(dǎo)體芯片封裝市價(jià)

隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代越來(lái)越深入人心，不斷的開(kāi)發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡(jiǎn)化方面呈現(xiàn)積極趨勢(shì)。此外，制造越來(lái)越大的單片SoC的推動(dòng)力開(kāi)始在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和可制造性方面遇到障礙，因?yàn)閾碛懈蟮男酒瑫?huì)導(dǎo)致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來(lái)看，SiP是SoC的未來(lái)替代品，因?yàn)樗鼈兛梢约奢^新的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議，而無(wú)需重新設(shè)計(jì)。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應(yīng)用的長(zhǎng)期前景時(shí)另一個(gè)令人鼓舞的因素。浙江半導(dǎo)體芯片封裝市價(jià)