SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進一步增強SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。四川陶瓷封裝哪家好

封裝（Package），是把晶圓上切下來的裸片裝配為芯片較終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把制造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個整體。作為動詞，“封裝”強調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別、基底、外殼、引線材料，強調(diào)其保護芯片、增強電熱性能、方便整機裝配的重要作用。SiP封裝是將不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存儲器等集成在一個封裝體內(nèi)，從而實現(xiàn)一整個芯片系統(tǒng)。陜西半導(dǎo)體芯片封裝廠家據(jù)報告，2022年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進行互連。

SiP 與先進封裝也有區(qū)別：SiP 的關(guān)注點在于系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn)，所以系統(tǒng)是其重點關(guān)注的對象，和 SiP 系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝；先進封裝的關(guān)注點在于：封裝技術(shù)和工藝的先進性，所以先進性的是其重點關(guān)注的對象，和先進封裝對應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝。SiP 封裝并無一定形態(tài)，就芯片的排列方式而言，SiP 可為多芯片模塊（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封裝，也可再利用 3D 封裝的結(jié)構(gòu)，以有效縮減封裝面積；而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純地打線接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。

SMT生產(chǎn)工藝挑戰(zhàn)：元件小型化，Chip元件逐步淘汰，隨著產(chǎn)品集成化程度越來越高，產(chǎn)品小型化趨勢不可避免，因此0201元件在芯片級制造領(lǐng)域受到微型化發(fā)展趨勢，將被逐步淘汰。Chip元件普及，隨著蘋果i-watch的面世，SIP的空間設(shè)計受到挑戰(zhàn)，伴隨蘋果，三星等移動設(shè)備的高標要求，01005 chip元件開始普遍應(yīng)用在芯片級制造領(lǐng)域。Chip元件開始推廣，SIP工藝的發(fā)展，要求元件板身必須小型化，隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上，這就要求SIP在滿足功能的前提下，還能降尺寸控制在合理范圍，由此催生出0201元件的推廣與應(yīng)用。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。四川陶瓷封裝哪家好

Sip系統(tǒng)級封裝通過將多個裸片（Die）和無源器件融合在單個封裝體內(nèi)，實現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。四川陶瓷封裝哪家好

SiP 封裝優(yōu)勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進的封裝技術(shù)可以實現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。四川陶瓷封裝哪家好