除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術(shù)主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可按照客戶(hù)或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。SiP技術(shù)路線(xiàn)表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現(xiàn)有多芯片封裝結(jié)合在一個(gè)堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長(zhǎng)面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在用于生產(chǎn)200mm和300mm微晶片的焊接設(shè)備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。SIP模組尺寸小，在相同功能上，可將多種芯片集成在一起，相對(duì)單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。山西陶瓷封裝市場(chǎng)價(jià)格

SiP技術(shù)特點(diǎn)：制造工藝，SiP的制造涉及多種工藝，包括：基板技術(shù)：提供電氣連接和物理支持的基板，可以是有機(jī)材料（如PCB）或無(wú)機(jī)材料（如硅、陶瓷）。芯片堆疊：通過(guò)垂直堆疊芯片來(lái)節(jié)省空間，可能使用通過(guò)硅孔（TSV）技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接。焊接和鍵合：使用焊球、金線(xiàn)鍵合或銅線(xiàn)鍵合等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片之間的電氣連接。封裝：較終的SiP模塊可能采用BGA（球柵陣列）、CSP（芯片尺寸封裝）或其他封裝形式。SiP 封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線(xiàn)鍵合封裝和倒裝焊兩種。天津COB封裝SiP技術(shù)路線(xiàn)表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。

SiP芯片成品的制造過(guò)程，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)種類(lèi)繁多，本文以雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡(jiǎn)要介紹SiP芯片成品的制造過(guò)程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無(wú)源器件貼片，倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過(guò)凸點(diǎn)（Bump）與基板互連，回流焊接（正面）——通過(guò)控制加溫熔化封裝錫膏達(dá)到器件與基板間的鍵合焊線(xiàn)，鍵合（Wire Bond）——通過(guò)細(xì)金屬線(xiàn)將裸片與基板焊盤(pán)連接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及元器件。

SiP 封裝優(yōu)勢(shì)：1）封裝面積增大，SiP在同一個(gè)封裝種疊加兩個(gè)或者多個(gè)芯片。把垂直方向的空間利用起來(lái)，同時(shí)不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個(gè)殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進(jìn)的封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見(jiàn)笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號(hào)的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。SiP 封裝優(yōu)勢(shì)：縮短產(chǎn)品研制和投放市場(chǎng)的周期。

SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個(gè)功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動(dòng)元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動(dòng)元件、整合性被動(dòng)元件或嵌入式被動(dòng)元件的方式整合在一個(gè)模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線(xiàn)鍵合封裝和倒裝焊兩種。一個(gè)SiP可以選擇性地包含無(wú)源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封裝和設(shè)備。山西陶瓷封裝市場(chǎng)價(jià)格

SiP 封裝優(yōu)勢(shì)：封裝面積增大，SiP在同一個(gè)封裝種疊加兩個(gè)或者多個(gè)芯片。山西陶瓷封裝市場(chǎng)價(jià)格

PoP(Package-on-Package)，是用于將邏輯器件和存儲(chǔ)器器件進(jìn)行疊層封裝的技術(shù)。通常情況下底層多為邏輯器件，例如移動(dòng)電話(huà)基帶（調(diào)制解調(diào)器）處理器或應(yīng)用處理器，上層為存儲(chǔ)器，例如閃存或者疊層內(nèi)存芯片。顯然，這種垂直組合封裝的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省了電路板空間。適用于需要在更小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能的應(yīng)用，例如數(shù)碼相機(jī)、PDA、MP3 播放器和移動(dòng)游戲設(shè)備等。POP的工藝流程，PoP的組裝方式目前有兩種。一種是預(yù)制PoP工序，即先將PoP的多層封裝堆疊到一起，焊接成一個(gè)元器件，再貼裝到PCB上，然后再進(jìn)行一次回流焊。一種是在板PoP工序上，依次將底部的BGA和頂部BGA封裝在PCB上，然后過(guò)一次回流焊。山西陶瓷封裝市場(chǎng)價(jià)格